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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116736435A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310947806.0
申请日：2023-07-31
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明实施例中提供了一种用于硅异质集成的一维光子晶体级联狭缝波导，属于光电子器件技术领域，该狭缝波导包括：单晶硅层，所述单晶硅层构成了狭缝波导的本体；狭缝，所述狭缝设置在所述单晶硅层上；缺陷部，所述缺陷部周期性的设置在一维光子晶体狭缝波导中，所述缺陷部构成了一维光子晶体级联狭缝波导的谐振腔，进而形成一维光子晶体级联狭缝波导的级联谐振单元。本方案的一维光子晶体级联狭缝波导具有优于二维光子晶体结构的光带宽，并具有更低的传输损耗和更好的加工鲁棒性。
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公开(公告)号：CN115373163B
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202211006958.2
申请日：2022-08-22
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种片上多物理场调控装置，包括信号发生器、光源及异质集成光调制器，信号发生器及光源分别与异质集成光调制器连接，信号发生器输出调制电信号至异质集成光调制器，光源输出光载波至异质集成光调制器，异质集成光调制器包括电极层、光波导层及电光材料层，电光材料层覆盖在光波导层的表面，电极层设于电光材料层的表面，光波导层内设有用于限制光载波的基于微纳结构的空隙结构，电光材料层的折射率低于光波导层的折射率。该调控装置在工艺上兼容现有的微纳加工工艺，可以融合多介质材料的优势，结构上基于微纳结构的空隙结构，可以增强光载波、调制电信号与电光材料之间的相互作用，提高了电光调制器的调制效率和带宽性能。
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公开(公告)号：CN115373163A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211006958.2
申请日：2022-08-22
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本发明提供了一种片上多物理场调控装置，包括信号发生器、光源及异质集成光调制器，信号发生器及光源分别与异质集成光调制器连接，信号发生器输出调制电信号至异质集成光调制器，光源输出光载波至异质集成光调制器，异质集成光调制器包括电极层、光波导层及电光材料层，电光材料层覆盖在光波导层的表面，电极层设于电光材料层的表面，光波导层内设有用于限制光载波的基于微纳结构的空隙结构，电光材料层的折射率低于光波导层的折射率。该调控装置在工艺上兼容现有的微纳加工工艺，可以融合多介质材料的优势，结构上基于微纳结构的空隙结构，可以增强光载波、调制电信号与电光材料之间的相互作用，提高了电光调制器的调制效率和带宽性能。
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公开(公告)号：CN220232014U
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202322026022.2
申请日：2023-07-31
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本实用新型实施例中提供了一种用于硅异质集成的一维光子晶体级联狭缝波导，属于光电子器件技术领域，该狭缝波导包括：单晶硅层，所述单晶硅层构成了狭缝波导的本体；二氧化硅层，所述二氧化硅层与所述单晶硅层相邻；狭缝，所述狭缝设置在所述单晶硅层上；缺陷部，所述缺陷部周期性的设置在一维光子晶体狭缝波导中，所述缺陷部构成了一维光子晶体级联狭缝波导的谐振腔，进而形成一维光子晶体级联狭缝波导的级联谐振单元。本方案的一维光子晶体级联狭缝波导具有优于二维光子晶体结构的光带宽，并具有更低的传输损耗和更好的加工鲁棒性。
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公开(公告)号：CN218037583U
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202222206677.3
申请日：2022-08-22
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)
Abstract: 本实用新型提供了一种片上多物理场调控装置，包括信号发生器、光源及异质集成光调制器，信号发生器及光源分别与异质集成光调制器连接，信号发生器输出调制电信号至异质集成光调制器，光源输出光载波至异质集成光调制器，异质集成光调制器包括电极层、光波导层及电光材料层，电光材料层覆盖在光波导层的表面，电极层设于电光材料层的表面，光波导层内设有用于限制光载波的基于微纳结构的空隙结构。本实用新型提出的多物理场调控装置在工艺上兼容现有的微纳加工工艺，可以融合多介质材料的优势，结构上基于微纳结构的空隙结构，可以增强光载波、调制电信号与电光材料之间的相互作用，提高了电光调制器的调制效率和带宽性能。
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