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公开(公告)号：CN116736435A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310947806.0
申请日：2023-07-31
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本发明实施例中提供了一种用于硅异质集成的一维光子晶体级联狭缝波导，属于光电子器件技术领域，该狭缝波导包括：单晶硅层，所述单晶硅层构成了狭缝波导的本体；狭缝，所述狭缝设置在所述单晶硅层上；缺陷部，所述缺陷部周期性的设置在一维光子晶体狭缝波导中，所述缺陷部构成了一维光子晶体级联狭缝波导的谐振腔，进而形成一维光子晶体级联狭缝波导的级联谐振单元。本方案的一维光子晶体级联狭缝波导具有优于二维光子晶体结构的光带宽，并具有更低的传输损耗和更好的加工鲁棒性。
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公开(公告)号：CN220232014U
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202322026022.2
申请日：2023-07-31
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 本实用新型实施例中提供了一种用于硅异质集成的一维光子晶体级联狭缝波导，属于光电子器件技术领域，该狭缝波导包括：单晶硅层，所述单晶硅层构成了狭缝波导的本体；二氧化硅层，所述二氧化硅层与所述单晶硅层相邻；狭缝，所述狭缝设置在所述单晶硅层上；缺陷部，所述缺陷部周期性的设置在一维光子晶体狭缝波导中，所述缺陷部构成了一维光子晶体级联狭缝波导的谐振腔，进而形成一维光子晶体级联狭缝波导的级联谐振单元。本方案的一维光子晶体级联狭缝波导具有优于二维光子晶体结构的光带宽，并具有更低的传输损耗和更好的加工鲁棒性。
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