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公开(公告)号：CN116732486A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310717498.2
申请日：2023-06-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种细长管筒状工件内壁清洗及镀膜的一体化装置及其使用方法，它属于表面处理领域。它解决了现有管筒工件内镀膜过程中等离子体清洗难，清洗效果差，污染物难以排出的问题。装置：包括清洗电源、真空室、支架导轨、靶电源、阳极、待镀管、靶和进气管；所述支架导轨包括管支架、立柱和底座，其中管支架一端连接待镀管，另一端通过立柱内的导轨槽与立柱相连，管支架可沿导轨槽线性滑动。本发明在清洗阶段先将待镀管和靶分离，采用待镀管空心阴极放电和靶磁控放电同时进行的方式，有效解决待镀管和靶清洗过程互相污染的问题，实现了污染物的顺利排出；通过待镀管在支架导轨的线性滑动实现清洗和镀膜过程的衔接。本发明的装置简单，操作便捷。
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公开(公告)号：CN116329543A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310156402.X
申请日：2023-02-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种纳米铜包覆石墨烯纳米片增强铜基复合粉末的制备方法，涉及一种铜基复合粉末的制备方法。为了解决现有的石墨烯在铜基体中易团聚以及石墨烯‑铜复合粉末的制备方法存在均匀性差、效率低、结合强度低和易产生环境污染的问题。本发明引入了竖直平面磁控溅射技术，利用改进后的磁控溅射颗粒搅拌工件装置，在石墨烯纳米片粉末表面生长出铜，获得铜包覆石墨烯纳米片粉末，可实现石墨烯纳米片粉末几乎全部外表面的铜包覆，使用优化的低能球磨工艺，获得的铜包覆石墨烯纳米片粉末均匀分布于铜粉的复合粉末，有效避免了石墨烯团聚，具有优异的热电、机械、耐磨损、耐腐蚀性能。
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公开(公告)号：CN116219374A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310182329.3
申请日：2023-03-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种提高管筒件内壁涂层表面光洁度和膜基结合强度的装置及方法，本发明为了解决管筒件内壁涂层表面光洁度差、膜基结合强度弱的问题。本发明提高管筒件内壁涂层表面光洁度和膜基结合强度的装置包括金属阴极弧源、磁场线圈、挡板、屏蔽罩、屏蔽挡板、阳极杆、辅助阳极、进气管、真空室、金属阴极弧直流电源、脉冲偏压电源和辅助阳极直流电源，管筒件置于真空室中。本发明采用弧增强辉光放电工艺，对管筒件内表面进行高密度等离子体刻蚀清洗及活化，也对涂层生长初期提供电子加热，可大幅度提高膜基结合强度。此外，正对金属阴极弧源的管口处加装屏蔽罩，可有效阻挡管口处外壁的成膜物质反溅射进入管内沉积，从而改善涂层表面的粗糙度及光洁度。
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公开(公告)号：CN116021011A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202310027511.1
申请日：2023-01-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B22F1/16 , C23C24/04 , C23C16/513 , C23C16/44 , B22F9/04
Abstract: 一种石墨烯包覆铜粉颗粒增强冷喷涂铜基复合涂层的制备方法，涉及一种铜基复合涂层的制备方法。本发明公开了一种石墨烯包覆铜粉颗粒增强冷喷涂铜基复合涂层的制备方法，通过PECVD技术，在铜粉颗粒表面原位生长出石墨烯，获得石墨烯包覆的铜粉颗粒，使用优化的低能球磨工艺，获得了石墨烯包覆铜粉颗粒均匀分布的铜复合粉末，避免了石墨烯团聚引起的组织缺陷，并基于冷喷涂技术的低温工艺和极快的沉积速率，可以提高涂层与基体的结合强度和涂层内部的组织均匀性，有利于获得优异热、电、机械性能和耐磨损性能的石墨烯包覆铜粉颗粒增强铜基复合涂层。
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公开(公告)号：CN114472900A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210108487.X
申请日：2022-01-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B22F7/08
Abstract: 一种冷喷涂异种金属对接连接方法，本发明涉及异种材料连接技术领域，特别是一种冷喷涂异种金属对接连接方法。本发明是为了解决现有的铁/铝异种金属连接方法的温度高基材易氧化，易产生Fe‑Al金属间化合物，连接效率低产生应力大的的问题。工艺步骤为：异种金属坡口加工→粉末成分比例选择→喷涂参数优化的→异种金属喷涂连接。采用冷喷涂方法对于开“V型坡口”的对接异种铁/铝金属进行连接。在喷涂的过程中通过设计工艺参数和调节送粉来进行涂层成分过渡的控制，实现异种金属的连接。本发明大幅度降低连接温度，避免高温产生的应力。为异种金属连接提供了一种新方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113388807A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110655311.1
申请日：2021-06-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种优化管内壁镀膜的镀膜装置及基于该装置的镀膜方法，属于管件内壁薄膜沉积技术领域，本发明为解决现有管筒件内壁镀膜工艺等离子体进入管筒件内部距离较短、等离子体密度低的问题。平面等离子体阴极靶头和辅助阳极装置分别置于管筒件的管头和管尾侧，并均与管筒件的端口正对，励磁线圈安装在平面等离子体阴极靶头后方；平面等离子体阴极靶头、励磁线圈、辅助阳极装置和管筒件的等轴；励磁线圈连接有线圈电源，通过励磁线圈产生的磁场对等离子体进行聚焦，推动等离子体进入管筒件内部；辅助阳极装置连接有电源，吸引电子向辅助阳极装置侧运动，使等离子体进入管筒件内部深处。本发明用于对管筒件内壁进行镀膜。
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公开(公告)号：CN113373417A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110656600.3
申请日：2021-06-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 阴阳极双靶头优化管内壁镀膜的镀膜装置及其镀膜方法，属于管件内壁薄膜沉积技术领域，本发明为解决现有管筒件内壁镀膜工艺等离子体进入管筒件内部距离较短、等离子体密度低的问题。它包括：两个平面等离子体靶头分别置于管筒件的管头和管尾侧，并均与管筒件的端口正对；两个平面等离子体靶头、两个励磁线圈和管筒件等轴；两个平面等离子体靶头连接在同一个靶电源上或分别连接两个靶电源；连接在同一个靶电源上时，交替作为阴阳极，通过交替正负脉冲使一个靶头对另一个靶头放电；连接两个靶电源上时，交替作为辅助阳极，通过波形相位关系使一个靶头对真空室放电，另一个靶头作为辅助阳极。本发明用于对管筒件内壁进行镀膜。
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公开(公告)号：CN110205597B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201910628957.3
申请日：2019-07-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 多段式双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射方法，属于材料制造技术领域，本发明为解决现有双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射方法中正向脉冲对负向脉冲所产生的离子的推动加速作用效率低的问题。本发明维持真空室的真空度为0.1～5.5Pa，开启多段式双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射电源，对待镀样品进行薄膜沉积5～240min，多段式双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射电源将双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射电源的单负向脉冲拆分为两段，分别为负向1脉冲和负向2脉冲，在负向1脉冲后施加正向1脉冲，在负向2脉冲后施加正向2脉冲，在负向1脉冲和正向1脉冲之间施加负向1高脉冲，在负向2脉冲和正向2脉冲之间施加负向2高脉冲。本发明用于磁控溅射。
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公开(公告)号：CN109402612B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201811391383.4
申请日：2018-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/515 , C23C16/24 , C23C16/26 , C23C16/02
Abstract: 本发明的利用自源自偏压空心阴极放电法沉积DLC薄膜的装置及基于该装置沉积DLC薄膜的方法，涉及沉积DLC薄膜的装置和方法，目的是为了克服由于现有技术所采用方法的局限性，导致无法灵活地对工件的局部进行镀膜的问题，装置包括笼网、真空室、高压脉冲电源、偏压脉冲电源和解耦装置；笼网笼罩在待镀膜工件表面需镀膜区域，笼网与待镀膜工件之间具有间隙且绝缘，笼网与待镀膜工件总体构成空心阴极放电结构；方法具体步骤如下：步骤一、沉积硅过渡层；步骤二、沉积薄膜。本发明的有益效果是：装置简单，笼网大小可以根据所需镀膜范围任意调节，能够满足不同尺寸表面的局部镀膜要求，灵活性好。
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公开(公告)号：CN104827177A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510288758.4
申请日：2015-05-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K15/06 , B23K15/02 , B23K103/04 , B23K103/10
CPC classification number: B23K15/02 , B23K15/0046 , B23K15/06 , B23K2103/04 , B23K2103/10
Abstract: 一种低电压高束流电子束真空焊接装置及方法，它涉及一种真空焊接装置及方法，具体涉及一种低电压高束流电子束真空焊接装置及方法。本发明为了解决现有电子束焊前准备复杂，且运行成本较高的问题。本发明包括空心阴极、阳极、加速电极、轴向约束磁场、聚焦机构、放电电源、加速电源、真空室、焊接平台和绝缘套，轴向约束磁场、绝缘套、加速电极、聚焦机构、焊接平台由上至下依次设置在真空室内，空心阴极插装在轴向约束磁场内，阳极设置在空心阴极与加速电极之间，且阳极位于空心阴极的正下方，工件放置在工作平台上，放电电源的负极与空心阴极连接，放电电源的正极和加速电源的负极与阳极连接，加速电源与加速电极连接。本发明用于焊接领域。
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