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公开(公告)号：CN116855885B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310817493.7
申请日：2023-07-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 证了基材的力学性能。电场辅助脉冲增强柱状阴极弧在细长管筒件内壁快速均匀沉积金属薄膜的装置及方法，本发明为了解决常规方法难以满足细长管筒件内壁快速、均匀沉积大厚度薄膜的问题。本发明沉积金属薄膜的装置中磁钢座套设在柱状阴极靶材内部，磁钢座上设置有多列磁铁，电场辅助圆筒、细长管筒件和柱状阴极弧源同轴设置。柱状阴极靶材与脉冲阴极弧电源的负输出端连接，其正输出端与电场辅助圆筒连接，细长管筒件与中频偏压电源的负输出端连接。本发明通过电场辅助圆筒与柱状阴极靶材之间的优先放电，解耦了
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114875367B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210485242.9
申请日：2022-05-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 脉冲阴极弧/工件偏压脉冲协同控制的沉积厚的四面体非晶碳膜(ta‑C)的方法，本发明是为了解决ta‑C碳膜制备过程中较高的固有应力，限制了碳膜厚度的问题。沉积厚的ta‑C的方法：一、真空室内石墨阴极靶材与脉冲阴极弧电源连接，工件基体与工件脉冲偏压电源相连接；二、抽真空通入氩气，通过脉冲阴极弧/工件偏压脉冲协同控制放电模式沉积ta‑C碳膜，其中工件偏压脉冲中先施加多段正向短脉冲，之后的多段负向工件偏压脉冲与脉冲阴极弧多段正向脉冲保持同频率和脉宽工作。本发明通过多段正向偏压脉冲排斥Ar+离子，规避Ar+离子对膜层的轰击夯实作用，降低薄膜应力。通过多段脉冲的设计有效地控制了薄膜沉积过程中的膜层温度。
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公开(公告)号：CN114472900B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202210108487.X
申请日：2022-01-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B22F7/08
Abstract: 一种冷喷涂异种金属对接连接方法，本发明涉及异种材料连接技术领域，特别是一种冷喷涂异种金属对接连接方法。本发明是为了解决现有的铁/铝异种金属连接方法的温度高基材易氧化，易产生Fe‑Al金属间化合物，连接效率低产生应力大的的问题。工艺步骤为：异种金属坡口加工→粉末成分比例选择→喷涂参数优化的→异种金属喷涂连接。采用冷喷涂方法对于开“V型坡口”的对接异种铁/铝金属进行连接。在喷涂的过程中通过设计工艺参数和调节送粉来进行涂层成分过渡的控制，实现异种金属的连接。本发明大幅度降低连接温度，避免高温产生的应力。为异种金属连接提供了一种新方法。
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公开(公告)号：CN116855885A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310817493.7
申请日：2023-07-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 电场辅助脉冲增强柱状阴极弧在细长管筒件内壁快速均匀沉积金属薄膜的装置及方法，本发明为了解决常规方法难以满足细长管筒件内壁快速、均匀沉积大厚度薄膜的问题。本发明沉积金属薄膜的装置中磁钢座套设在柱状阴极靶材内部，磁钢座上设置有多列磁铁，电场辅助圆筒、细长管筒件和柱状阴极弧源同轴设置。柱状阴极靶材与脉冲阴极弧电源的负输出端连接，其正输出端与电场辅助圆筒连接，细长管筒件与中频偏压电源的负输出端连接。本发明通过电场辅助圆筒与柱状阴极靶材之间的优先放电，解耦了阴、阳极狭小间隙的限制。另外，在柱状阴极靶材上施加极高的脉冲电流，增强了等离子体密度，实现了快速沉积，并控制了基体材料的温升，保证了基材的力学性能。
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公开(公告)号：CN114472900A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210108487.X
申请日：2022-01-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B22F7/08
Abstract: 一种冷喷涂异种金属对接连接方法，本发明涉及异种材料连接技术领域，特别是一种冷喷涂异种金属对接连接方法。本发明是为了解决现有的铁/铝异种金属连接方法的温度高基材易氧化，易产生Fe‑Al金属间化合物，连接效率低产生应力大的的问题。工艺步骤为：异种金属坡口加工→粉末成分比例选择→喷涂参数优化的→异种金属喷涂连接。采用冷喷涂方法对于开“V型坡口”的对接异种铁/铝金属进行连接。在喷涂的过程中通过设计工艺参数和调节送粉来进行涂层成分过渡的控制，实现异种金属的连接。本发明大幅度降低连接温度，避免高温产生的应力。为异种金属连接提供了一种新方法。
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公开(公告)号：CN114875367A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210485242.9
申请日：2022-05-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 脉冲阴极弧/工件偏压脉冲协同控制的沉积厚的四面体非晶碳膜(ta‑C)的方法，本发明是为了解决ta‑C碳膜制备过程中较高的固有应力，限制了碳膜厚度的问题。沉积厚的ta‑C的方法：一、真空室内石墨阴极靶材与脉冲阴极弧电源连接，工件基体与工件脉冲偏压电源相连接；二、抽真空通入氩气，通过脉冲阴极弧/工件偏压脉冲协同控制放电模式沉积ta‑C碳膜，其中工件偏压脉冲中先施加多段正向短脉冲，之后的多段负向工件偏压脉冲与脉冲阴极弧多段正向脉冲保持同频率和脉宽工作。本发明通过多段正向偏压脉冲排斥Ar+离子，规避Ar+离子对膜层的轰击夯实作用，降低薄膜应力。通过多段脉冲的设计有效地控制了薄膜沉积过程中的膜层温度。
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