公开(公告)号：CN110129742B

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN201910548524.7

申请日：2019-06-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 田修波 ,  孔营 ,  巩春志 ,  吴厚朴 ,  田钦文

IPC: C23C14/32 ,  C23C14/06 ,  C23C14/02

Abstract: 一种超硬强韧TiSiCN硬质涂层的制备方法，它涉及一种超硬强韧TiSiCN硬质涂层的制备方法。本发明的目的是为了解决现有多弧工艺中加入TMS后，弧靶很容易中毒，导致放电不稳定、偏流降低，膜层质量不好的问题，本发明以氮气和由含碳、硅元素的有机硅为反应气体，经过基体的清洗干燥、离子增强辉光刻蚀、沉积过渡层、将TiSiCN涂层沉积于基体表面。本发明涂层具有高硬度以及优异的断裂韧性，克服了涂层硬度高但韧性不足的问题，膜的硬度高达47.1GPa，压痕韧性5.22MPa·m1/2。本发明应用于硬质涂层技术领域。

公开(公告)号：CN109402612A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201811391383.4

申请日：2018-11-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 田修波 ,  孙薇薇 ,  巩春志 ,  李慕勤 ,  田钦文

IPC: C23C16/515 ,  C23C16/24 ,  C23C16/26 ,  C23C16/02

Abstract: 本发明的利用自源自偏压空心阴极放电法沉积DLC薄膜的装置及基于该装置沉积DLC薄膜的方法，涉及沉积DLC薄膜的装置和方法，目的是为了克服由于现有技术所采用方法的局限性，导致无法灵活地对工件的局部进行镀膜的问题，装置包括笼网、真空室、高压脉冲电源、偏压脉冲电源和解耦装置；笼网笼罩在待镀膜工件表面需镀膜区域，笼网与待镀膜工件之间具有间隙且绝缘，笼网与待镀膜工件总体构成空心阴极放电结构；方法具体步骤如下：步骤一、沉积硅过渡层；步骤二、沉积薄膜。本发明的有益效果是：装置简单，笼网大小可以根据所需镀膜范围任意调节，能够满足不同尺寸表面的局部镀膜要求，灵活性好。

公开(公告)号：CN109402612B

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN201811391383.4

申请日：2018-11-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 田修波 ,  孙薇薇 ,  巩春志 ,  李慕勤 ,  田钦文

IPC: C23C16/515 ,  C23C16/24 ,  C23C16/26 ,  C23C16/02

Abstract: 本发明的利用自源自偏压空心阴极放电法沉积DLC薄膜的装置及基于该装置沉积DLC薄膜的方法，涉及沉积DLC薄膜的装置和方法，目的是为了克服由于现有技术所采用方法的局限性，导致无法灵活地对工件的局部进行镀膜的问题，装置包括笼网、真空室、高压脉冲电源、偏压脉冲电源和解耦装置；笼网笼罩在待镀膜工件表面需镀膜区域，笼网与待镀膜工件之间具有间隙且绝缘，笼网与待镀膜工件总体构成空心阴极放电结构；方法具体步骤如下：步骤一、沉积硅过渡层；步骤二、沉积薄膜。本发明的有益效果是：装置简单，笼网大小可以根据所需镀膜范围任意调节，能够满足不同尺寸表面的局部镀膜要求，灵活性好。

公开(公告)号：CN110129742A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910548524.7

申请日：2019-06-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 田修波 ,  孔营 ,  巩春志 ,  吴厚朴 ,  田钦文

IPC: C23C14/32 ,  C23C14/06 ,  C23C14/02

Abstract: 一种超硬强韧TiSiCN硬质涂层的制备方法，它涉及一种超硬强韧TiSiCN硬质涂层的制备方法。本发明的目的是为了解决现有多弧工艺中加入TMS后，弧靶很容易中毒，导致放电不稳定、偏流降低，膜层质量不好的问题，本发明以氮气和由含碳、硅元素的有机硅为反应气体，经过基体的清洗干燥、离子增强辉光刻蚀、沉积过渡层、将TiSiCN涂层沉积于基体表面。本发明涂层具有高硬度以及优异的断裂韧性，克服了涂层硬度高但韧性不足的问题，膜的硬度高达47.1GPa，压痕韧性5.22MPa·m1/2。本发明应用于硬质涂层技术领域。