一种超高品质因数的单带通可调谐微波光子滤波器

    公开(公告)号:CN103715480B

    公开(公告)日:2015-12-02

    申请号:CN201410025426.2

    申请日:2014-01-20

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 一种超高品质因数的单带通可调谐微波光子滤波器,属于微波光子学技术领域,具体涉及一种基于高非线性光纤受激布里渊散射效应以及增益谱与损耗谱叠加技术实现的超高品质因数的单带通可调谐微波光子滤波器。由激光器、第一光耦合器、相位调制器、光隔离器、矢量网络分析仪、高非线性光纤、第一双平行强度调制器、第一强度调制器、第二光耦合器、第一光滤波器、第二光滤波器、第二双平行强度调制器、第二强度调制器、第三强度调制器、第一掺铒光纤放大器、第二掺铒光纤放大器、第三光耦合器、光环形器和光电探测器组成。本发明减小了滤波器的3dB带宽,并且增加了滤波器的频率调谐范围,从而增加了滤波器的Q值。

    SOI和聚合物混合集成的F-P谐振腔可调谐光滤波器及制备方法

    公开(公告)号:CN102621714B

    公开(公告)日:2014-04-09

    申请号:CN201210127189.1

    申请日:2012-04-27

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明属于光电子器件领域,涉及一种基于热光效应驱动的SOI和聚合物混合集成的F-P谐振腔可调谐光滤波器及其制备方法。沿着输入光信号方向依次是输入波导、由硅和聚合物交替组成的第一DBR阵列、聚合物F-P谐振腔、由硅和聚合物交替组成的第二DBR阵列、输出波导组成,且在聚合物F-P谐振腔的上表面设置有加热电极;从输入脊型波导出来的光,依次进入第一DBR阵列、F-P谐振腔和第二DBR阵列;光束在聚合物F-P谐振腔中经过多次反射、干涉,形成稳定输出的光场后,满足微腔谐振条件的特定频率值的光将由输出脊型波导输出。本发明器件可以通过使用不同的聚合物材料实现波长调谐范围的可控性,并且能实现大的调谐范围。

    具有水溶性五氧化二钒空穴传输层的聚合物太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN102983275A

    公开(公告)日:2013-03-20

    申请号:CN201210562991.3

    申请日:2012-12-21

    Applicant: 吉林大学

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 本发明属于聚合物太阳能电池领域,具体涉及一种具有水溶性五氧化二钒空穴传输层的聚合物太阳能电池。本发明所述结构的器件,由阴极、电子传输层、有源层、空穴传输层和阳极构成,其特点在于所用的空穴传输层不采用传统的真空热蒸镀方法,而是采用溶液处理的方法旋涂在有源层之上。所用的空穴传输层材料为五氧化二钒,其经过水热法处理后能够形成纳米线结构,并且能够较好的分散到异丙醇溶液中,从而可以通过旋涂成膜的方式作为聚合物太阳能电池的空穴传输层。利用本方法制备的太阳能电池器件,制备工艺更加简单方便,可制备大面积的太阳能电池器件,而且可以极大的减少制备过程中对能源的消耗。

    基于SOI光波导单片集成的微波光子移相器及制备方法

    公开(公告)号:CN101364656B

    公开(公告)日:2012-02-22

    申请号:CN200810051199.5

    申请日:2008-09-23

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明属于微波光子器件领域,涉及一种基于SOI光波导的单片集成的微波光子移相器及其制备方法。微波光子移相器由三个Y分支组成的级联波导分路器、四根波导延时线组成的固定延时单元、在波导延时线上的四个可变液晶光衰减单元和三个Y分支组成的级联波导合路器构成;级联波导分路器、固定延时单元和级联波导合路器是由制作在SOI衬底上的脊型光波导构成,由上到下依次为顶层硅、埋层二氧化硅、硅衬底。根据需要移相的微波信号的频率的不同,通过设计固定延时线的长度,可以对2GHz~20GHz的微波信号实现0~360°的连续相移。本专利所述器件具有集成度高、结构紧凑、尺寸小等特点。

    基于SOI光波导的反射型热光可变光衰减器及制备方法

    公开(公告)号:CN101915998A

    公开(公告)日:2010-12-15

    申请号:CN201010234943.2

    申请日:2010-07-23

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明属于光电子器件领域,具体涉及一种基于SOI光波导的反射型热光可变光衰减器及其制备方法。该器件是在SOI衬底的顶层硅一侧制作,为一体脊型结构,沿着输入光的方向顺次是输入单模波导1、第一单模渐变波导2、多模波导3、第二单模渐变波导4、输出单模波导5;在各段波导的上表面制备有一层二氧化硅上包层204,在二氧化硅上包层的上面制备有用于热光调制的平行四边形金属电极205。本发明所述基于SOI光波导的反射型热光可变光衰减器采用光刻、感应耦合等离子体(ICP)刻蚀、生长金属膜和金属膜的腐蚀等工艺制作。该可变光衰减器可以在0~30dB范围内,实现对光信号的连续可变衰减。

    基于SOI光波导单片集成的微波光子移相器及制备方法

    公开(公告)号:CN101364656A

    公开(公告)日:2009-02-11

    申请号:CN200810051199.5

    申请日:2008-09-23

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明属于微波光子器件领域,涉及一种基于SOI光波导的单片集成的微波光子移相器及其制备方法。微波光子移相器由三个Y分支组成的级联波导分路器、四根波导延时线组成的固定延时单元、在波导延时线上的四个可变液晶光衰减单元和三个Y分支组成的级联波导合路器构成;级联波导分路器、固定延时单元和级联波导合路器是由制作在SOI衬底上的脊型光波导构成,由上到下依次为顶层硅、埋层二氧化硅、硅衬底。根据需要移相的微波信号的频率的不同,通过设计固定延时线的长度,可以对2GHz~20GHz的微波信号实现0~360°的连续相移。本技术所述器件具有集成度高、结构紧凑、尺寸小等特点。

    导电态聚苯胺/纳米晶体TiO2异质结二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN100424908C

    公开(公告)日:2008-10-08

    申请号:CN200510017007.5

    申请日:2005-07-28

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 本发明具体涉及一种以导电态聚苯胺为P型半导体材料、纳米晶体TiO2为N型半导体材料的P-N异质结二极管及该异质结二极管的制备方法。该P-N异质结二极管的组装制备方法是:首先采用溶胶-凝胶技术在ITO玻璃衬底上生长一层均匀致密的纳米晶体TiO2薄膜,然后用另一片ITO玻璃以双面胶作为粘合材料和隔垫物覆盖在纳米晶体TiO2薄膜的表面,最后利用毛细作用在纳米晶体TiO2薄膜与ITO玻璃之间注入导电态聚苯胺的溶液,常温下将溶剂挥发掉。本发明采用有机高分子导电材料作为P型半导体材料与N型的纳米晶体TiO2组装制备了具有良好整流特性(2V时,整流比大于160)的异质结二极管,并且其制备方法简单便于掌握。

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