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公开(公告)号:CN102983277B
公开(公告)日:2015-06-24
申请号:CN201210527846.1
申请日:2012-12-10
Applicant: 吉林大学 , 无锡海达安全玻璃有限公司
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明属于有机光电器件技术领域,具体涉及一种带有银纳米粒子复合空穴传输层的反型结构聚合物有机太阳能电池及其制备方法。是以ITO导电玻璃为阴极(1),以N型TiO2为阴极缓冲层(2),以聚合物为有源层(3),以MoO3/Ag纳米粒子/MoO3为阳极缓冲层(4),以Ag为阳极(5)。有源层(3)为给体材料P3HT与受体材料PCBM按照质量比1:0.8~1的混合,Ag纳米粒子的厚度为1~5nm。Ag纳米粒子通过局域表面等离子体作用以及反向散射增强作用,使有源层对太阳光的利用率提高,并且改善有源层和电极的界面接触性能,提高载流子向阳极的传输能力,进而提高了器件的短路电流密度和能量转化效率。
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公开(公告)号:CN102983277A
公开(公告)日:2013-03-20
申请号:CN201210527846.1
申请日:2012-12-10
Applicant: 吉林大学 , 无锡海达安全玻璃有限公司
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明属于有机光电器件技术领域,具体涉及一种带有银纳米粒子复合空穴传输层的反型结构聚合物有机太阳能电池及其制备方法。是以ITO导电玻璃为阴极(1),以N型TiO2为阴极缓冲层(2),以聚合物为有源层(3),以MoO3/Ag纳米粒子/MoO3为阳极缓冲层(4),以Ag为阳极(5)。有源层(3)为给体材料P3HT与受体材料PCBM按照质量比1:0.8~1的混合,Ag纳米粒子的厚度为1~5nm。Ag纳米粒子通过局域表面等离子体作用以及反向散射增强作用,使有源层对太阳光的利用率提高,并且改善有源层和电极的界面接触性能,提高载流子向阳极的传输能力,进而提高了器件的短路电流密度和能量转化效率。
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公开(公告)号:CN102842677A
公开(公告)日:2012-12-26
申请号:CN201210319233.9
申请日:2012-08-31
Applicant: 吉林大学 , 无锡海达安全玻璃有限公司
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明具体涉及一种聚乙烯吡咯烷酮(PVP)包覆的NaYF4纳米颗粒对有源层进行掺杂的聚合物太阳能电池及其制备方法。首先采用溶剂热法制备PVP包覆的NaYF4纳米晶体颗粒,然后采用溶胶凝胶法在导电玻璃上生长作为电子传输层的TiO2纳米晶体薄膜,采用溶液旋涂方法在TiO2纳米晶体薄膜上制备PVP包覆的NaYF4纳米颗粒掺杂的P3HT:PCBM有源层共混薄膜,采用真空蒸镀法在有源层上制备作为空穴传输层的WO3薄膜,采用真空蒸镀法在WO3薄膜上制备作为顶电极的金属薄膜。本发明制备聚合物太阳能电池具有制备方法简单,成本低廉,可大面积成膜的特点,对聚合物太阳能电池器件的开路电压有明显的提升作用。
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公开(公告)号:CN102832346A
公开(公告)日:2012-12-19
申请号:CN201210319235.8
申请日:2012-08-31
Applicant: 吉林大学 , 无锡海达安全玻璃有限公司
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域,具体涉及一种基于微腔结构的聚合物太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池以石英玻璃为衬底,以WO3/Ag/WO3膜为底电极,以聚合物材料为有源层,以LiF/Al复合层为顶电极,Ag和Al电极之间形成金属微腔结构。首先在玻璃衬底上依次生长均匀致密的WO3、Ag、WO3薄膜,然后旋涂上一层二氯苯等溶解的P3HT:PCBM溶液,退火,最后利用真空蒸镀技术依次生长LiF、Al。利用本方法制备的微腔结构聚合物太阳能电池,解决了传统聚合物太阳能电池吸收范围窄、光子率利用率低的问题。微腔结构通过金属Ag和Al的共振效应提高光子吸收,从而有效地提高了太阳能电池的能量转换效率。
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公开(公告)号:CN103000811A
公开(公告)日:2013-03-27
申请号:CN201210544338.4
申请日:2012-12-14
Applicant: 吉林大学 , 无锡海达安全玻璃有限公司
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明属于聚合物太阳能电池技术领域,具体涉及一种基于高低折射率材料WO3及LiF构成的一维光子晶体作为背反射镜的倒置型半透明聚合物太阳能电池及其制备方法。首先,在导电玻璃衬底上生长一层均匀致密的N型TiO2薄膜,然后旋涂上一层二氯苯溶解的P3HT:PCBM溶液,退火,再依次生长WO3和Ag;最后,在半透明银电极上,再生长[WO3/LiF]N一维光子晶体。本发明制备的半透明聚合物太阳能电池,解决了传统半透明太阳能电池透过率高、效率低的问题。[WO3/LiF]N一维光子晶体的高反射膜结构有利于提高特定波长光的反射和吸收,解决了半透明电池效率与透过率之间的矛盾,有效地提高了能量转换效率。
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公开(公告)号:CN102842677B
公开(公告)日:2015-06-24
申请号:CN201210319233.9
申请日:2012-08-31
Applicant: 吉林大学 , 无锡海达安全玻璃有限公司
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明具体涉及一种聚乙烯吡咯烷酮(PVP)包覆的NaYF4纳米颗粒对有源层进行掺杂的聚合物太阳能电池及其制备方法。首先采用溶剂热法制备PVP包覆的NaYF4纳米晶体颗粒,然后采用溶胶凝胶法在导电玻璃上生长作为电子传输层的TiO2纳米晶体薄膜,采用溶液旋涂方法在TiO2纳米晶体薄膜上制备PVP包覆的NaYF4纳米颗粒掺杂的P3HT:PCBM有源层共混薄膜,采用真空蒸镀法在有源层上制备作为空穴传输层的WO3薄膜,采用真空蒸镀法在WO3薄膜上制备作为顶电极的金属薄膜。本发明制备聚合物太阳能电池具有制备方法简单,成本低廉,可大面积成膜的特点,对聚合物太阳能电池器件的开路电压有明显的提升作用。
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公开(公告)号:CN116314388B
公开(公告)日:2025-03-18
申请号:CN202310155485.0
申请日:2023-02-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于稀土金属氧化物Nd2O3的低功耗高性能紫外探测器及其制备方法,属于紫外光电探测技术领域。依次由部分FTO层被刻蚀的带有FTO导电薄膜的玻璃衬底、在衬底表面制备的Ag底电极、采用溶胶‑凝胶法在衬底表面制备的Nd2O3纳米薄膜光敏感层、在FTO层被刻蚀区域上方Nd2O3纳米薄膜光敏感层表面制备的Ag顶电极组成,Ag底电极不与Nd2O3纳米薄膜光敏感层电接触,Ag顶电极‑Nd2O3纳米薄膜光敏感层‑FTO导电薄膜‑Ag底电极构成电回路。本发明制备的器件具有极低的暗电流,同时紫外波段有良好的响应,在无光照待机状态下具有极低的功耗,并且具有较高的紫外光电探测性能,可以用作低功耗高性能紫外探测器。
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公开(公告)号:CN114583065B
公开(公告)日:2025-03-04
申请号:CN202210206972.0
申请日:2022-03-04
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于1,4‑二碘四氟苯掺杂空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,属于钙钛矿太阳能电池技术领域。由ITO导电玻璃衬底、SnO2电子传输层、钙钛矿活性层、苯乙基碘化铵表面钝化层、spiro‑OMeTAD空穴传输层和Ag电极组成。本发明是将1,4‑二碘四氟苯掺杂到spiro‑OMeTAD空穴传输层中,利用1,4‑二碘四氟苯与spiro‑OMeTAD中掺杂剂TBP之间形成的卤素键抑制了TBP对钙钛矿的腐蚀,减少了钙钛矿薄膜的缺陷密度。同时,抑制了TBP诱导的spiro‑OMeTAD去掺杂效应,稳固了spiro‑OMeTAD薄膜的导电能力,使电荷可以良好得传输,从而提升了钙钛矿电池器件的性能。
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公开(公告)号:CN118126087A
公开(公告)日:2024-06-04
申请号:CN202410246332.1
申请日:2024-03-05
Applicant: 吉林大学
IPC: C07F9/6561 , H10K85/60 , H10K30/50
Abstract: 一种以苯并噻二唑为核心的自组装单分子层空穴传输材料、制备方法及其在制备太阳能电池中的应用,属于钙钛矿太阳能电池技术领域。该空穴传输材料中含有N、S杂原子的苯并噻二唑结构单元,能够对钙钛矿底界面的结构缺陷进行有效的钝化,侧链上膦酸基团能与器件基底表面通过化学键合从而形成牢固的自组装空穴传输层,所述太阳能电池结构为ITO/空穴传输层/钙钛矿层/C60/BCP/Ag,该空穴传输层能够提高太阳能电池器件的空穴抽取效率同时钝化钙钛矿底层的结构缺陷。本发明涉及的化合物BPBT‑POH自组装单分子层空穴传输材料应用于钙钛矿太阳能电池时,无需高温退火和掺杂即可获得超过20%的光电转化效率,具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN115589735A
公开(公告)日:2023-01-10
申请号:CN202211344365.7
申请日:2022-10-31
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种非富勒烯掺杂的钙钛矿光电探测器及其以刮涂法为基础的制备方法,属于钙钛矿光电器件技术领域。由ITO导电玻璃阳极、PTAA阳极缓冲层、FA0.85Cs0.15PbI3:WZM7‑A‑b有源层、C60/BCP阴极缓冲层、Cu阴极组成。本发明通过WZM7‑A‑b中的C‑N的孤对电子与未配位的Pb2+配位,使得器件的暗电流降低近一个数量级,噪声类型发生转变,性能大幅度提高,同时也使得钙钛矿的内部结构更加稳定,降低了器件工作状态下的离子迁移现象,从而使得由于离子迁移而导致的晶格损伤降低,明显的提高了器件的性能以及器件寿命,最终达到钝化缺陷、减少陷阱对光生电子的捕获、提高了光电转换效率和稳定性的效果。
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