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公开(公告)号：CN105332778B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201510882259.8
申请日：2015-12-05
Applicant: 吉林大学
IPC: F01N13/08
Abstract: 本发明涉及一种具有椭圆形凹槽内表面的仿生减阻排气管，该排气管内壁上分布有椭圆形凹槽，椭圆形凹槽的长轴a为3mm‑15mm，短轴b为2mm‑10mm，椭圆形凹槽的深度h为0.5mm‑1.5mm，两相邻椭圆形凹槽的周向夹角α为15°‑60°，轴向距离s为4mm‑22mm。本发明利用椭圆形凹槽自身结构改变流体在接触表面的流动场，达到减小排气系统内空气的流动阻力的效果，能够降低残余废气系数，减少泵气损失，使得发动机的指示功率和排放效率大大提高，从而达到节能减阻、绿色环保的目的。
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公开(公告)号：CN107201427A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710309875.3
申请日：2017-05-05
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种激光相变强化方法及采用该方法制备硬质相的仿生凸轮轴，所述激光相变强化方法如下：利用高能量密度的激光光束在工件表面进行扫描使被照射的材料表面温度以极快的速度升到高于固相线10‑20℃，使被加热区域表面被加热到半固态状态，随后被母体快速冷却得到组织为细小的马氏体的仿生单元体，硬度可达690HV‑770HV。利用该方法可以在凸轮轴的凸轮表面制备具有软硬相间条纹结构的耐磨表层，提高了凸轮表面硬度和抗磨损性能。本发明操作简单、工件变形小、无缺陷，不仅适用于凸轮轴的强化处理，还适用于齿轮、套筒等其他40Cr材质的工件的表面强化处理。
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公开(公告)号：CN103268897B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201310210273.4
申请日：2013-05-30
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0264 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 具有钝化处理的宽禁带氧化物半导体薄膜层的紫外探测器及制备方法，属于半导体光电器件技术领域。探测器依次由衬底、经(NH4)2S溶液钝化处理的光敏感宽禁带氧化物半导体薄膜层、金属叉指电极组成。其特征在于：首先采用溶胶凝胶法制备TiO2等薄膜层，然后将制备好的薄膜进行硫化铵溶液钝化处理，最后采用光刻、磁控溅射、刻蚀等工艺制备金属叉指电极，从而得到紫外探测器。经过硫化铵溶液钝化处理的TiO2等薄膜表面态密度减小，溅射金属叉指电极后TiO2与金属接触的肖特基势垒降低，改善了光电流和响应时间；另一方面表面电荷的减少抑制了表面漏电流，改善了暗电流，最终提高了器件的整体性能。
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公开(公告)号：CN102368508A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201110339162.4
申请日：2011-11-01
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于半导体光电探测技术领域，具体涉及一种以NaTaO3薄膜为基体材料，以Au、Pt或Ni为金属电极的NaTaO3薄膜紫外光探测器及其制备方法。其是在金属钽片上生长一层NaTaO3薄膜，进而通过磁控溅射技术在覆盖有掩膜板的NaTaO3薄膜上溅射一层金属，掩膜板上具有插指电极结构，据此在薄膜上形成金属插指状电极；本发明制备的NaTaO3薄膜紫外光探测器具有制备方法简单，成本低廉，有望大规模生产的特点，对波长220nm-330nm的紫外线具有良好的检测性能。
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公开(公告)号：CN105332778A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510882259.8
申请日：2015-12-05
Applicant: 吉林大学
IPC: F01N13/08
CPC classification number: F01N13/082
Abstract: 本发明涉及一种具有椭圆形凹槽内表面的仿生减阻排气管，该排气管内壁上分布有椭圆形凹槽，椭圆形凹槽的长轴a为3mm-15mm，短轴b为2mm-10mm，椭圆形凹槽的深度h为0.5mm-1.5mm，两相邻椭圆形凹槽的周向夹角α为15°-60°，轴向距离s为4mm-22mm。本发明利用椭圆形凹槽自身结构改变流体在接触表面的流动场，达到减小排气系统内空气的流动阻力的效果，能够降低残余废气系数，减少泵气损失，使得发动机的指示功率和排放效率大大提高，从而达到节能减阻、绿色环保的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102509743B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201210001003.8
申请日：2012-01-04
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明具体涉及一种以超薄硅片为衬底，以纳米TiO2/SrTiO3异质结有源层为基体材料，以Au为金属插指电极的高性能半导体紫外光电探测器及其制备方法。首先采用溶胶凝胶技术制备TiO2及SrTiO3溶胶，并在超薄硅衬底上依次生长成致密的纳米SrTiO3薄膜及TiO2薄膜；然后通过磁控溅射和标准的光刻、剥离技术在薄膜表面制成一定形状的Au插指电极。本发明制备的TiO2/SrTiO3异质结金属-半导体-金属紫外光探测器具有制备方法简单，成本低廉，有望大规模生产的特点，对波长250nm-350nm的紫外线具有良好的检测性能。
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公开(公告)号：CN102194915B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201110070898.6
申请日：2011-03-23
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种以带有官能团的石英为衬底、以纳米TiO2薄膜为基体材料、以Au为金属电极的自组装纳米TiO2薄膜紫外光探测器及其制备方法。其是先将石英衬底官能团化，再在带有官能团的石英衬底上生长一层纳米TiO2薄膜，进而通过磁控溅射技术在生长好的纳米TiO2薄膜上溅射一层金属Au，采用光刻技术形成Au插指状电极；带有官能团的石英衬底是由[3-(三甲氧硅基)丙基]二乙烯三胺与表面带有-OH基的石英衬底通过缩合反应得到，官能团的终端为-NH2基；本发明制备的自组装纳米TiO2薄膜紫外光探测器具有制备方法简单，成本低廉，有望大规模生产的特点，对波长230nm-350nm的紫外线具有良好的检测性能。
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公开(公告)号：CN102368508B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201110339162.4
申请日：2011-11-01
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于半导体光电探测技术领域，具体涉及一种以NaTaO3薄膜为基体材料，以Au、Pt或Ni为金属电极的NaTaO3薄膜紫外光探测器及其制备方法。其是在金属钽片上生长一层NaTaO3薄膜，进而通过磁控溅射技术在覆盖有掩膜板的NaTaO3薄膜上溅射一层金属，掩膜板上具有插指电极结构，据此在薄膜上形成金属插指状电极；本发明制备的NaTaO3薄膜紫外光探测器具有制备方法简单，成本低廉，有望大规模生产的特点，对波长220nm-330nm的紫外线具有良好的检测性能。
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公开(公告)号：CN102163639A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110070874.0
申请日：2011-03-23
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/028 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明具体涉及一种以超薄石英为衬底，以纳米TiO2-ZrO2复合氧化物薄膜为基体，以Au、Pt或Ni为金属插指电极，以Al或Ag为光反射层的低表面态密度的高性能半导体紫外光电探测器及其制备方法。首先采用溶胶凝胶技术制备不同配比的TiO2-ZrO2复合氧化物薄膜，并在超薄石英衬底上生长成致密的纳米薄膜；再经过高强度紫外清洗机对薄膜进行处理；然后通过磁控溅射和标准的光刻、剥离技术在薄膜表面制成一定形状的叉指电极；最后在超薄石英片背面蒸镀一层反射层用以提高光的吸收效率。通过调整TiO2-ZrO2复合氧化物薄膜的不同配比，可以使本发明探测器的响应峰值在200nm到350nm紫外波段范围内可调。
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公开(公告)号：CN102437229A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110386056.1
申请日：2011-11-29
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明具体涉及一种以透明导电玻璃为衬底，以ZrxTi1-xO2固溶体纳米线阵列为基体，以Ag或Au为金属电极的肖特基结构光伏型半导体紫外光电探测器及其制备方法。首先采用低温极性界面水解法制备不同配比的ZrxTi1-xO2固溶体纳米线阵列，以Ag浆或者Au浆在纳米线阵列上制作电极，经过烘干后即可得到工艺简单、低成本、高性能的肖特基结构紫外探测器。通过调整ZrxTi1-xO2固溶体内部元素的不同配比，可以改变基体材料的紫外吸收边，进而制作出响应峰值在250nm到380nm紫外波段范围内可调的紫外探测器。
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