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公开(公告)号：CN100424908C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200510017007.5
申请日：2005-07-28
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明具体涉及一种以导电态聚苯胺为P型半导体材料、纳米晶体TiO2为N型半导体材料的P-N异质结二极管及该异质结二极管的制备方法。该P-N异质结二极管的组装制备方法是：首先采用溶胶-凝胶技术在ITO玻璃衬底上生长一层均匀致密的纳米晶体TiO2薄膜，然后用另一片ITO玻璃以双面胶作为粘合材料和隔垫物覆盖在纳米晶体TiO2薄膜的表面，最后利用毛细作用在纳米晶体TiO2薄膜与ITO玻璃之间注入导电态聚苯胺的溶液，常温下将溶剂挥发掉。本发明采用有机高分子导电材料作为P型半导体材料与N型的纳米晶体TiO2组装制备了具有良好整流特性(2V时，整流比大于160)的异质结二极管，并且其制备方法简单便于掌握。
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公开(公告)号：CN1828950A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610016742.9
申请日：2006-04-04
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明具体涉及一种以纳米晶体TiO2薄膜材料为基体的金属－半导体－金属结构(MSM)的光伏型紫外光探测器及该紫外光探测器的制备方法。从下到上依次包括绝缘衬底、用溶胶凝胶法在绝缘衬底上生长的纳米晶体TiO2薄膜、在纳米晶体TiO2薄膜上用蒸发或溅射的方法制备的插指金属电极。该探测器的制备方法是：首先采用溶胶－凝胶技术在绝缘衬底上生长一层均匀致密的纳米晶体TiO2薄膜，然后在纳米晶体TiO2薄膜的表面溅射－层金属，最后利用标准光刻技术形成插指电极。本发明制备的MSM结构的光伏型紫外光探测器，具备制备方法简单、便于掌握的优点，对波长从230nm到280nm的紫外波段，探测器有很明显的光响应。
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公开(公告)号：CN100517769C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200610016742.9
申请日：2006-04-04
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明具体涉及一种以纳米晶体TiO2薄膜材料为基体的金属—半导体—金属结构(MSM)的光伏型紫外光探测器的制备方法。该紫外光探测器从下到上依次包括绝缘衬底、用溶胶凝胶法在绝缘衬底上生长的纳米晶体TiO2薄膜、在纳米晶体TiO2薄膜上用蒸发或溅射的方法制备的插指金属电极。该探测器的制备方法是：首先采用溶胶—凝胶技术在绝缘衬底上生长一层均匀致密的纳米晶体TiO2薄膜，然后在纳米晶体TiO2薄膜的表面溅射—层金属，最后利用标准光刻技术形成插指电极。本发明制备的MSM结构的光伏型紫外光探测器，具备制备方法简单、便于掌握的优点，对波长从230nm到280nm的紫外波段，探测器有很明显的光响应。
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公开(公告)号：CN1731596A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200510017007.5
申请日：2005-07-28
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明具体涉及一种以导电态聚苯胺为P型半导体材料、纳米晶体TiO2为N型半导体材料的P－N异质结二极管及该异质结二极管的制备方法。该P－N异质结二极管的组装制备方法是：首先采用溶胶－凝胶技术在ITO玻璃衬底上生长一层均匀致密的纳米晶体TiO2薄膜，然后用另一片ITO玻璃以双面胶作为粘合材料和隔垫物覆盖在纳米晶体TiO2薄膜的表面，最后利用毛细作用在纳米晶体TiO2薄膜与ITO玻璃之间注入导电态聚苯胺的溶液，常温下将溶剂挥发掉。本发明采用有机高分子导电材料作为P型半导体材料与N型的纳米晶体TiO2组装制备了具有良好整流特性(2V时，整流比大于160)的异质结二极管，并且其制备方法简单便于掌握。
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