公开(公告)号：CN117276097A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311112889.8

申请日：2023-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曹智强 ,  郭炫廷 ,  邱肇玮 ,  林修任 ,  谢静华

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488

Abstract: 一种形成集成电路器件的方法包括在第一封装组件的第一接触焊盘上方沉积焊膏。将第二封装组件的弹簧连接件与焊膏对准。回流焊膏，以将第二封装组件的弹簧连接件电耦接且物理耦接至第一封装组件的第一接触焊盘。本发明的实施例还提供了集成电路器件。

公开(公告)号：CN116525574A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310210917.3

申请日：2023-03-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余人睿 ,  曹智强 ,  郭炫廷 ,  张楙曮 ,  林修任 ,  谢静华 ,  裴浩然

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/50 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明实施例提供一种半导体封装，包括衬底、衬底上方的半导体器件以及接合在半导体器件和衬底之间的多个焊点结构，其中多个焊点结构中的每一个包括按重量百分比计的2％至23％的铟。

公开(公告)号：CN115440606A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202211108574.1

申请日：2019-01-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈威宇 ,  谢静华 ,  余振华 ,  刘重希 ,  林修任 ,  裴浩然 ,  黄贵伟 ,  蔡钰芃 ,  郑佳申 ,  钟宇轩

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/14 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/488

Abstract: 本公开提供一种方法，包含在第一封装组件的顶部表面的第一部分上执行第一激光照射。第一封装组件在第二封装组件上方，且通过第一激光照射来回焊第一封装组件与第二封装组件之间的第一焊料区。在第一激光照射后，在第一封装组件的顶部表面的第二部分上执行第二激光照射。通过第二激光照射来回焊第一封装组件与第二封装组件之间的第二焊料区。

公开(公告)号：CN110660682B

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN201811286453.X

申请日：2018-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭炫廷 ,  谢静华 ,  陈正庭 ,  林修任 ,  裴浩然 ,  蔡钰芃 ,  张家纶 ,  曹智强 ,  钟宇轩

IPC: H01L21/56 ,  H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 一种叠层封装结构的制造方法包括以下步骤。在条带载体上提供第一封装，其中所述第一封装包括经包封半导体装置、设置在所述经包封半导体装置上的第一重布线结构及设置在所述第一重布线结构上且贴合到所述条带载体的多个导电凸块。通过多个电端子利用热压合工艺在所述第一封装上安装第二封装，所述热压合工艺使所述导电凸块变形成多个经变形导电凸块。所述经变形导电凸块中的每一者包括对所述第一重布线结构进行连接的基底部分及对所述基底部分进行连接的顶端部分，且所述基底部分的曲率大体上小于所述顶端部分的曲率。

公开(公告)号：CN114709187A

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202210223084.X

申请日：2022-03-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴松岳 ,  黄见翎 ,  廖仁骏 ,  谢静华 ,  李佩璇 ,  刘家宏

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31

Abstract: 一种封装结构包括载板、管芯及第一重布线结构。载板具有第一表面及与第一表面相对的第二表面。载板包括绝缘本体及嵌置在绝缘本体中的载板穿孔(TCV)。管芯设置在载板的第一表面上。管芯与TCV电连接。第一重布线结构设置在载板的第二表面上。

公开(公告)号：CN113871339A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202110176171.X

申请日：2021-02-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁正轩 ,  谢静华 ,  林修任 ,  裴浩然 ,  郭炫廷 ,  陈威宇 ,  郑佳申 ,  钟宇轩

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/60

Abstract: 提供一种对半导体工件进行回焊的系统，所述系统包括平台、第一真空模块及第二真空模块、以及能量源。平台包括基座及连接到基座的突出部，平台以可移动的方式沿着平台的高度方向以相对于半导体工件移动，突出部以可操作的方式固持及加热半导体工件，突出部包括第一部分及第二部分，第二部分被第一部分环绕且在空间上与第一部分隔开。第一真空模块及第二真空模块分别耦合到突出部的第一部分及第二部分，第一真空模块及第二真空模块可操作地以分别对第一部分及第二部分施加压力。能量源设置在平台之上，以对由平台的突出部固持的半导体工件进行加热。

公开(公告)号：CN110880457B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201910831648.6

申请日：2019-09-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  潘国龙 ,  郭庭豪 ,  蔡豪益 ,  林修任 ,  裴浩然 ,  谢静华

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/485 ,  H01L23/498

Abstract: 一种方法包括在载体上方形成复合材料层，该复合材料层包括结合到基底材料中的填充材料的颗粒，在复合材料层的第一侧上方形成一组通孔，将管芯附接在复合材料层的第一侧上方，管芯与该组通孔间隔开，在复合材料层的第一侧上方形成模制材料，模制材料最少横向密封管芯和该组通孔的通孔，在管芯和模制材料上方形成再分布结构，再分布结构电连接到通孔，在与第一侧相对的复合材料层的第二侧中形成开口，以及在开口中形成导电连接件，导电连接件电连接到通孔。本发明的实施例还涉及半导体封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN110391146B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201910318651.8

申请日：2019-04-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  黄英叡 ,  董志航 ,  邵栋梁 ,  谢静华 ,  黄见翎 ,  萧义理 ,  杨素纯

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/67

Abstract: 一种方法包括：拾取第一封装组件，去除第一封装组件的电连接件上的氧化物层，在去除氧化物层之后，将第一封装组件放置在第二封装组件上，以及将第一封装组件接合到第二封装组件。本发明的实施例还涉及利用预先去氧化物工艺的接合及其执行装置。

公开(公告)号：CN111863636A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010347891.3

申请日：2020-04-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁圣丰 ,  谢静华 ,  刘重希 ,  林志伟 ,  邱圣翔 ,  赖耀东 ,  林家民

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31

Abstract: 一种模制设备被配置成用于对半导体装置进行模制且所述模制设备包括下部模具及上部模具。所述下部模具被配置成承载所述半导体装置。所述上部模具设置在所述下部模具上方以接纳所述半导体装置且所述上部模具包括模具部件及动态部件。所述模具部件被配置成覆盖所述半导体装置的上表面。所述动态部件围绕所述上部模具的装置接纳区设置且被配置成相对于所述模具部件移动。另提供一种模制方法及一种模制半导体装置。

公开(公告)号：CN109786340B

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN201810996129.0

申请日：2018-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 裴浩然 ,  陈威宇 ,  郑佳申 ,  曹智强 ,  陈正庭 ,  张家纶 ,  林志伟 ,  林修任 ,  谢静华 ,  刘重希

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体结构及其形成方法。一种半导体结构包括嵌入在模制材料中的管芯，管芯具有位于第一侧上的管芯连接件；位于管芯的第一侧处的第一再分布结构，第一再分布结构通过管芯连接件电连接至管芯；位于管芯的与第一侧相对的第二侧处的第二再分布结构；以及位于第二再分布结构中的导热材料，管芯介于导热材料和第一再分布结构之间，导热材料延伸穿过第二再分布结构，并且导热材料是电隔离的。