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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN222532108U
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202421221667.X
申请日：2024-05-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体结构包括基板、鳍片、栅极结构及多个栅极间隔物。鳍片位于基板上并沿着第一方向纵向延伸。栅极结构位于鳍片上方，并沿着垂直于第一方向的第二方向纵向延伸。多个栅极间隔物位于栅极结构的多个侧壁上。鳍片具有第一部分与第二部分，第一部分位于栅极结构正下方，第二部分位于栅极间隔物正下方，其中沿第二方向第二部分的宽度大于第一部分的宽度。
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公开(公告)号：CN222382031U
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202421138334.0
申请日：2024-05-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体装置。第一金属栅极堆叠位于第一通道区上方。第二金属栅极堆叠位于第二通道区上方。源极/漏极特征位于第一通道区与第二通道区之间。源极/漏极接触件位于源极/漏极特征上方。第一介电质顶盖位于第一金属栅极堆叠上方。第二介电质顶盖位于第二金属栅极堆叠上方。接触件蚀刻停止层位于源极/漏极接触件上方以及第一介电质顶盖与第二介电质顶盖上方，其中接触件蚀刻停止层的组成和第一介电质顶盖与第二介电质顶盖的组成不同。源极/漏极通孔穿过层间介电质层与接触件蚀刻停止层，其中源极/漏极通孔与源极/漏极接触件进行全表面接触，并且源极/漏极通孔和第一介电质顶盖与第二介电质顶盖进行部分表面接触。
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公开(公告)号：CN222721860U
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202421294471.3
申请日：2024-06-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一个示例半导体结构包括从基板形成并沿一方向纵向延伸的鳍片结构、在基板上方和鳍片结构周围的隔离特征、包裹鳍片结构的通道区域的栅极结构、沿栅极结构侧壁延伸的第一栅极间隔物、在第一栅极间隔物上方的第二栅极间隔物、在第二栅极间隔物上方的填料介电层、设置在鳍片结构的源极/漏极区域上方的磊晶特征，磊晶特征的一部分设置在填料介电层上方、在磊晶特征和填料介电层上方的接触蚀刻停止层、在接触蚀刻停止层上方的层间介电层。接触蚀刻停止层的一部分沿一方向在磊晶特征和栅极结构的侧壁之间延伸。
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公开(公告)号：CN222897484U
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202421709829.4
申请日：2024-07-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10D64/27 , H10D64/23 , H10D84/83 , H10D30/62 , H01L23/538
Abstract: 一种半导体元件包含：栅极堆叠，处于基材上方；金属介电衬垫，处于栅极堆叠上方；栅极遮罩，处于金属介电衬垫上方；第一氧化物层，处于基材上方，第一氧化物层的顶表面与栅极遮罩的顶表面齐平；介电层，处于栅极遮罩及第一氧化物层上方，介电层为与栅极遮罩不同的材料；第二氧化物层，处于介电层上方；第一导电特征，延伸穿过第一氧化物层，第一导电特征的顶表面与栅极遮罩的顶表面齐平；及第二导电特征，延伸穿过第二氧化物层及介电层，第二导电特征与第一导电特征接触。
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