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公开(公告)号：CN222532108U
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202421221667.X
申请日：2024-05-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体结构包括基板、鳍片、栅极结构及多个栅极间隔物。鳍片位于基板上并沿着第一方向纵向延伸。栅极结构位于鳍片上方，并沿着垂直于第一方向的第二方向纵向延伸。多个栅极间隔物位于栅极结构的多个侧壁上。鳍片具有第一部分与第二部分，第一部分位于栅极结构正下方，第二部分位于栅极间隔物正下方，其中沿第二方向第二部分的宽度大于第一部分的宽度。
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