公开(公告)号：CN114520192A

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202210021210.3

申请日：2022-01-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴锡荣 ,  余晟辅 ,  萧茹雄 ,  卢颖新

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供了半导体器件和方法。实施例包括一种半导体器件，该半导体器件包括从衬底延伸的多个鳍结构，多个鳍结构具有多个第一鳍结构和多个第二鳍结构。半导体器件还包括位于衬底上并且被布置在多个鳍结构之间的多个隔离区域。该器件还包括位于多个隔离区域上的多个栅极结构。该器件还包括位于多个第一鳍结构上的多个外延结构。该器件还包括位于多个外延结构上的多个接触件结构，其中多个第一鳍结构、多个栅极结构、多个外延结构和多个接触件结构是一个或多个谐振器的元件。

公开(公告)号：CN222532109U

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202421225530.1

申请日：2024-05-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴伟豪 ,  余晟辅

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/03 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 揭示多种半导体装置，半导体装置包括由移除虚设栅极结构形成的沟槽区中的凹陷隔离区。凹陷隔离区在通道区中可允许较大鳍片高度。金属栅极结构可形成于凹陷隔离区及鳍片上。