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公开(公告)号：CN117017570A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311090659.6
申请日：2023-08-29
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明为一种具有感觉的人造角膜及其制备方法。该人造角膜的组成包括：传感器振荡电路、人造突触器件、放大电路和电致变色器件通过导线依次连接；所述的传感器振荡电路具体为振动‑传感器振荡电路或光‑传感器振荡电路；所述的人造突触器件具体为突触晶体管；所述的电致变色器件具体是以PET为衬底，以PEDOT:PSS为电致变色层，以含Li离子的离子胶为导电层的两端器件。本发明所采用的方法赋予了人造角膜感觉，提高了传统人造角膜的智能化程度，为神经形态电子学和人造视觉义肢领域的发展提供了有益的指导。
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公开(公告)号：CN116453956A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310283251.4
申请日：2023-03-22
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/34 , D01D5/00 , H01L29/786
Abstract: 本发明为一种本征突触可塑性可调控的ZTO半导体纤维基突触晶体管的制备方法。该方法首先配制不同Zn/Sn摩尔比的前驱体溶液；其次利用电流体打印机制备不同Zn/Sn摩尔比的ZTO半导体纤维作为突触晶体管的沟道；然后在经高温退火的ZTO半导体纤维上蒸镀金属电极作为源极和漏极；最后将离子胶转移覆盖在ZTO半导体纤维上作为栅极，制得本征突触可塑性可调控的ZTO半导体纤维基突触晶体管。本发明所采用的方法实现了ZTO半导体纤维有序排列，首次制备出本征突触可塑性可调控的ZTO半导体纤维基突触晶体管，为神经形态电子学和类脑计算领域的器件设计和制备提供了有益的指导。
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公开(公告)号：CN112201750B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202011073522.6
申请日：2020-10-09
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明为一种用于模拟生物突触神经递质多路复用的双兴奋性人工突触器件的制备方法。该方法包括以下步骤：1)[PVDF‑HFP][EMIM‑TFSI]离子胶的制备；2)在衬底上覆盖二维过渡金属硫化物薄膜；3)在二维过渡金属硫化物薄膜上蒸镀金属电极；4)在两侧金电极的中间沟道处加盖离子胶绝缘层。本发明实现了模拟同一个突触前膜释放两种兴奋性神经递质，这两种兴奋性神经递质既可以独立的引起突触后膜的兴奋性反应，又可以在同时存在的情况下起到相互抑制的作用，减小兴奋性突触后电流。
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公开(公告)号：CN113363386B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202110625803.6
申请日：2021-06-04
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明为一种基于P3HT纳米线的三端三维人造突触电子器件的制备方法。该方法包括如下步骤：将碳纳米管水分散液喷涂到贴有掩模版的氧化硅片上，得到碳纳米管层材质的电极；将掩模版取下，再向氧化硅片上涂覆离子液体溶液，干燥后揭下离子胶，得到上面分布有电极形状的碳纳米管层的离子胶衬底；在分布有电极形状的碳纳米管层的离子胶衬底表面上，通过静电纺丝方式得到的P3HT纳米线；再将第二离子胶层贴在上一步中得到材料上，获得三端三维突触电子器件。本发明得到的电子器件可以在正反等多个方向对刺激进行感应，实现了真正意义上对生物突触的模拟，对大规模集成和阵列的应用意义重大。
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公开(公告)号：CN114606773A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210219199.1
申请日：2022-03-08
Applicant: 南开大学
IPC: D06M15/643 , D06M11/74 , D03D15/217 , D03D15/283 , D03D15/40 , D06B3/10 , G01D5/12 , D06M101/06 , D06M101/28 , D06M101/32
Abstract: 本发明为一种基于纺织微结构的柔性触觉传感器的制备方法。该方法在纺织品表面涂覆PDMS溶液，揭下后得到具有纺织微结构的柔性衬底薄膜，再在其表面涂覆碳纳米管分散液，获得碳纳米管微结构柔性薄膜；将其作为传感器的灵敏单元结构，从而提高传感器件的灵敏度。本发明得到的传感器可以对拉伸、压力及不同方向弯曲等多种触觉信息进行检测，针对压力的灵敏度为2.35kPa‑1，对拉伸应变的灵敏系数GF值为200，便于实现未来在同一传感器件的检测功能复杂化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114597131A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210215494.X
申请日：2022-03-07
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/443 , H01L29/10 , B41M5/00 , G06N3/063
Abstract: 本发明为一种具备纳米沟道的人工突触器件的制备方法。该方法以聚乙烯基咔唑和苯乙烯混合制得前驱体溶液，然后利用高分辨率电流体喷印设备在制备好的半导体层上打印出纳米线阵列，经蒸镀电极之后利用胶带将所制备的纳米阵列沿金属电极边缘撕下，得到纳米沟道。本发明制备的纳米沟道尺寸可控，排列整齐，可以应用于小尺寸电子器件，解决了现有技术制备电子器件尺寸限制的问题，具有操作简单、工艺简便、可大规模制备的优点，并且具备纳米沟道的人工突触器件的能量消耗被大大降低。
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公开(公告)号：CN111834530B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010743126.3
申请日：2020-07-29
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明为一种基于单晶钙钛矿的两端人工突触及其制备方法。所述的人工突触分为三层，由下至上依次为衬底、半导体活性层和间隔金属层；所述的间隔金属层为左金属电极和右金属电极；左、右电极距离为100‑150微米；其中，所述的半导体活性层的材质为单晶钙钛矿；所述的左金属电极和右金属电极的材质均为金。本发明得到的横向传输电流的单晶钙钛矿人工突触具有超长且可控的电流传输距离(100‑150微米)，皮安级别的操作电流，且能耗在数值上突破了飞焦级别(～10飞焦)。
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公开(公告)号：CN114122260A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110893895.6
申请日：2021-08-05
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明为一种基于PIN异质结两端人工突触及其制备方法。该人工突触的结构包括：衬底上部分分布有电子传输层，电子传输层上依次为光吸收层和空穴传输层；衬底上的非电子传输层部分和空穴传输层上的部分表面还覆盖有金属层；所述空穴传输层为噻吩类聚合物。本发明的人工突触光照时通过在右侧顶电极施加正负极性的电压刺激产生与光生电流同向和反向的电流，利用二者的叠加作用，可分别实现增强和抑制两种不同的光响应。
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公开(公告)号：CN112024904A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010900271.8
申请日：2020-09-01
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明为一种数码可控打印铜纳米导线的方法。该方法包括如下步骤：将聚乙烯吡咯烷酮、三氟乙酸铜溶于混合溶剂中，常温搅拌0.5～24小时，制备为前驱体溶液；然后利用电流体喷印设备将前驱体溶液打印，得到纳米线阵列；将纳米线阵列在空气气氛下300～500℃下煅烧30-120分钟，再置于管式炉中，在氢气气氛下300～500℃煅烧1～5小时，得到铜纳米导线。本发明得到的铜纳米导线透光率高、尺寸可控、排列整齐，可用于场效应晶体管、传感器等领域，具有操作简单、工艺简便、可大规模制备的优点。
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公开(公告)号：CN111333103A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010261612.1
申请日：2020-04-04
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明一种数码可控打印IZO半导体纳米线的方法。该方法以N,N-二甲基甲酰胺及三氯乙烯为混合溶剂，溶解聚乙烯吡咯烷酮、醋酸锌及硝酸铟水合物制得前驱体溶液，然后利用电流体喷印设备打印出纳米线阵列，最后高温退火后制备出透光率高、长而连续、尺寸均匀、数码可控的IZO半导体纳米线。本发明解决了传统无机纳米线合成方法中短小、杂乱的问题，可以规则排列，适用于更多器件类型：如晶体管、传感器等，为无机半导体纳米线的制备开辟新径。
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