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公开(公告)号：CN119853660A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411900263.8
申请日：2024-12-23
Applicant: 南京理工大学
IPC: H03K19/003 , H03K19/0185 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种非互易高屏蔽超宽带的X波段能量选择表面单元及系统，该系统包括X波段能量选择表面的设计和为实现非互易性传输而设计的耦合器、功率检测电路、快速反应开关与偏置电路。X波段能量选择表面包括阵列周期排布的三层单元结构，顶层和底层的上下两端有直微带线作为偏置电路，耦合器包括左右对称的直微带与圆弧形微带，功率检测电路为二极管检测电路。本发明的非互易高屏蔽超宽带的X波段能量选择表面单元系统针对收发链路中不同入射角度的低功率信号具有很低的插入损耗便于有用信号的无损传输，由于偏置电路的作用，使发射链路中高功率信号正常发射、接收链路中高功率信号屏蔽保护，从而设计出射频前端收发链路中接收与发射信号的非互易性传输的自适应防护阵列。
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公开(公告)号：CN117728173B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202311760026.1
申请日：2023-12-19
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于空心波导的超宽带圆极化毫米波通信阵列天线，包括辐射层、耦合层、SICL馈电网络层、连接器和吸波器层，SICL馈电网络层包含悬置微带线和金属通孔；辐射层包含圆极化天线子阵，即16个辐射口径；吸波器层包含三条1×10的吸波器线阵，即30个吸波器单元。本发明的阻抗相对带宽和轴比相对带宽均大于49％。从19到31GHz，输入反射系数优于‑15dB，天线效率在整个工作波段超过80％。在19‑31GHz范围内，圆极化极化的峰值增益在18.0～21.9dBi之间变化。本发明可实现波导天线的宽频带，宽轴比的设计，可适用于毫米波通信。
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公开(公告)号：CN118099751B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202311751451.4
申请日：2023-12-18
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种宽频带多功能可重构电磁超表面，该电磁超表面包括极化扭转层、电阻损耗层以及可重构频率选择层；通过加载螺旋电感可实现中频段的宽阻带的构建，将下层地板替换为可重构渐变梯形频率选择表面，通过PIN管的开关可以实现中频段透射、反射的切换，再此基础上利用等效电路表征和多参数协同设计方法，通过调整层间高度，可实现高频段阻带的构建；引入极化扭转层可实现高频段极化扭转功能，利用极化相位相消，可实现漫散射功能。本发明能够拓展传统电磁设备应用场景适应性与生存力，在信息安全、抗电磁干扰、雷达天线罩、电磁信息与体系对抗等领域有着重要的学术价值和应用前景。
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公开(公告)号：CN118261091B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410268522.3
申请日：2024-03-11
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/3308 , G06F17/11 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种硅基MOSFET总剂量效应分析方法及系统，该方法利用运动粒子与深浅能级陷阱的动力学反应来描述硅基MOSFET中氧化层正固定电荷与界面态陷阱电荷的产生过程，建立了硅基MOSFET总剂量效应物理模型，采用时域谱元法数值求解硅基MOSFET在太空辐照下的瞬时载流子浓度和电势分布，得出当前时刻的漏极电流和器件阈值电压。本发明对硅基MOSFET器件的抗辐照加固研究具有重要的现实意义。
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公开(公告)号：CN118133751B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410253036.4
申请日：2024-03-06
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/36 , G06F111/04 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于时域谱元法的GaN HEMT电热耦合高效模拟方法，结合不同的连续性条件和边界条件，利用时域谱元法推导了漂移扩散方程、泊松方程和热传导方程的具体离散格式，并引入表面电荷密度表征AlGaN/GaN异质结上的二维电子气，在固定的偏置电压下，在漏极施加正弦周期信号，通过引入温度缩放因子，实现热累积效应的加速模拟。本发明用来提升电热耦合的仿真效率，温度缩放因子取值为500时，在保证电热模拟精度的前提下，本发明所提出的模拟方法可以获得超过8倍的仿真效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118133751A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410253036.4
申请日：2024-03-06
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/36 , G06F111/04 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种基于时域谱元法的GaN HEMT电热耦合高效模拟方法，结合不同的连续性条件和边界条件，利用时域谱元法推导了漂移扩散方程、泊松方程和热传导方程的具体离散格式，并引入表面电荷密度表征AlGaN/GaN异质结上的二维电子气，在固定的偏置电压下，在漏极施加正弦周期信号，通过引入温度缩放因子，实现热累积效应的加速模拟。本发明用来提升电热耦合的仿真效率，温度缩放因子取值为500时，在保证电热模拟精度的前提下，本发明所提出的模拟方法可以获得超过8倍的仿真效率。
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公开(公告)号：CN117353037A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311477264.1
申请日：2023-11-07
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种具有宽角度高屏蔽效能的超宽带能量选择表面，包括依次层叠的第一层介质基板、第二层介质基板和底层介质基板，其中相邻的两层介质基板通过空气间隙层隔开，所述第一层介质基板上设置有顶层金属单元，所述第二层介质基板上设置有中间层金属单元，所述底层介质基板上设置有底层金属单元。本发明实现了当有源超表面被低功率信号照射时，传输频带与带通超表面的传输频带重叠，当HPM入射时，有源超表面的谐振频率移动到带通超表面的阻带，具有宽角度、高屏蔽效能、能量选择性透过的功能，在低功率下低插损传输，在高功率下超宽带防护。
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公开(公告)号：CN116522624B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310436072.X
申请日：2023-04-21
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/20 , G06F17/16 , G06F119/02
Abstract: 本发明公开了一种基于不连续伽辽金的微波器件击穿阈值高效预测方法，研究了不连续伽辽金(Discontinuous Galerkin,DG)时域谱元法的技术，考虑边界处电子密度，针对较易击穿区域目标的击穿特性，引入数值通量，在不同区域交界面的两边采用不同尺寸的网格进行离散，在不需要精细处理的地方采用大网格离散，在含有精细结构的区域用小网格离散，减少未知量个数，最后通过数值方法准获取微波器件内部输运系数，结合电子连续性方程对击穿阈值就行求解。本发明解决了现有击穿阈值预测技术效率低及运算速率慢的局限，最终实现微波器件低气压放电阈值的高效准确预测。
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公开(公告)号：CN116306036B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310561748.8
申请日：2023-05-18
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种时空混合离散DGTD的负载均衡并行方法及介质，包括：根据多尺度目标的几何尺寸和结构参数建模，并在ANSYS中采用四/六面体混合建模技术进行离散；考虑局部时间步进技术，将各离散单元上的权重及相邻单元之间的权重关系转换为图表文件作为METIS的输入文件，METIS根据分区数量将离散单元均衡分配至各进程计算，使各进程的计算负载相对平衡及进程间的通信最小化。本发明能够有效减少计算时间，提高计算效率，实现多尺度复杂电磁目标的高效分析。
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公开(公告)号：CN116127699A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211473995.4
申请日：2022-11-23
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于时域谱元法的局部时间步任意高阶精度全波求解方法，包括：根据模型尺寸进行结构化建模；根据模型特征，对精细结构或未知量变化较为剧烈的区域进行空间上的剖分细化；采用全共形网格剖分；以谱元法为求解平台，采用高阶正交基函数对波动方程中的未知量进行伽辽金测试，得到半离散格式的波动方程；采用任意高阶精度格式对未知量的各阶偏导项进行求解；采用局部时间步技术对全波求解过程加速；在确保求解精度的前提下，调节全部剖分网格尺寸直至最大；在求解收敛的前提下，调整全局时间步至最大；在求解收敛的前提下，调整局部时间步至最大，并计算出全局时间步长和局部时间步长之比。本发明能够提高计算效率，降低计算成本。
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