具有超高屏蔽效能的C波段宽带能量选择表面单元及表面

    公开(公告)号:CN118174035B

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202410219341.1

    申请日:2024-02-28

    Abstract: 本发明公开了一种具有超高屏蔽效能的C波段宽带能量选择表面单元及表面,包括三层介质基板以及介质基板上的金属单元的设计,可实现基于入射波功率强度的自适应响应。位于顶层的第一介质基板上的金属单元包括四个扇形金属贴片和十六个矩形金属贴片,位于中间层的第二介质基板上的金属单元包括两个矩形金属贴片且呈十字形排列,位于底层的第三介质基板上的金属单元与位于顶层的第一介质基板上的金属单元结构设计相同。本发明的超高屏蔽效能的C波段宽带能量选择表面针对不同的功率的输入信号具有较低的插入损耗和较高的屏蔽效能,且在低功率下具有良好的带内传输及带外抑制能力,同时具有良好的角度稳定性。

    基于时域谱元法的局部时间步任意高阶精度全波求解方法

    公开(公告)号:CN116127699B

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202211473995.4

    申请日:2022-11-23

    Abstract: 本发明公开了一种基于时域谱元法的局部时间步任意高阶精度全波求解方法,包括:根据模型尺寸进行结构化建模;根据模型特征,对精细结构或未知量变化较为剧烈的区域进行空间上的剖分细化;采用全共形网格剖分;以谱元法为求解平台,采用高阶正交基函数对波动方程中的未知量进行伽辽金测试,得到半离散格式的波动方程;采用任意高阶精度格式对未知量的各阶偏导项进行求解;采用局部时间步技术对全波求解过程加速;在确保求解精度的前提下,调节全部剖分网格尺寸直至最大;在求解收敛的前提下,调整全局时间步至最大;在求解收敛的前提下,调整局部时间步至最大,并计算出全局时间步长和局部时间步长之比。本发明能够提高计算效率,降低计算成本。

    一种阵列天线前门电磁脉冲效应分析方法

    公开(公告)号:CN115203996B

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202210570649.1

    申请日:2022-05-24

    Abstract: 本发明公开了一种阵列天线前门电磁脉冲效应分析方法,包括:根据天线的几何尺寸和结构参数建模,并根据戴维南定理进行阵列天线等效阻抗的提取;对天线的频域内阻曲线采用高阶拟合函数逼近,确定频域内阻的高阶拟合函数;通过天线端口电场的线积分得到天线端口电压,并采用前向差分方法建立迭代方程进行天线端口电流密度的求解;通过集成电路端口电场的线积分得到集成电路端口电压,并采用电压电流关系进行集成电路端口电流密度的求解;将端口电流密度通过迎风通量代入时域不连续伽辽金有限元方法建立的场路耦合微分方程组,并引入局部时间步进方法求解出全部电磁场的解。本发明能够提高计算效率,降低成本,避免天线复杂结构带来的多尺度问题。

    一种非互易高屏蔽超宽带的X波段能量选择表面单元及系统

    公开(公告)号:CN119853660A

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202411900263.8

    申请日:2024-12-23

    Abstract: 本发明公开了一种非互易高屏蔽超宽带的X波段能量选择表面单元及系统,该系统包括X波段能量选择表面的设计和为实现非互易性传输而设计的耦合器、功率检测电路、快速反应开关与偏置电路。X波段能量选择表面包括阵列周期排布的三层单元结构,顶层和底层的上下两端有直微带线作为偏置电路,耦合器包括左右对称的直微带与圆弧形微带,功率检测电路为二极管检测电路。本发明的非互易高屏蔽超宽带的X波段能量选择表面单元系统针对收发链路中不同入射角度的低功率信号具有很低的插入损耗便于有用信号的无损传输,由于偏置电路的作用,使发射链路中高功率信号正常发射、接收链路中高功率信号屏蔽保护,从而设计出射频前端收发链路中接收与发射信号的非互易性传输的自适应防护阵列。

    基于时域谱元法的GaN HEMT电热耦合高效模拟方法

    公开(公告)号:CN118133751B

    公开(公告)日:2024-09-13

    申请号:CN202410253036.4

    申请日:2024-03-06

    Abstract: 本发明公开了一种基于时域谱元法的GaN HEMT电热耦合高效模拟方法,结合不同的连续性条件和边界条件,利用时域谱元法推导了漂移扩散方程、泊松方程和热传导方程的具体离散格式,并引入表面电荷密度表征AlGaN/GaN异质结上的二维电子气,在固定的偏置电压下,在漏极施加正弦周期信号,通过引入温度缩放因子,实现热累积效应的加速模拟。本发明用来提升电热耦合的仿真效率,温度缩放因子取值为500时,在保证电热模拟精度的前提下,本发明所提出的模拟方法可以获得超过8倍的仿真效率。

    基于时域谱元法的GaN HEMT电热耦合高效模拟方法

    公开(公告)号:CN118133751A

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202410253036.4

    申请日:2024-03-06

    Abstract: 本发明公开了一种基于时域谱元法的GaN HEMT电热耦合高效模拟方法,结合不同的连续性条件和边界条件,利用时域谱元法推导了漂移扩散方程、泊松方程和热传导方程的具体离散格式,并引入表面电荷密度表征AlGaN/GaN异质结上的二维电子气,在固定的偏置电压下,在漏极施加正弦周期信号,通过引入温度缩放因子,实现热累积效应的加速模拟。本发明用来提升电热耦合的仿真效率,温度缩放因子取值为500时,在保证电热模拟精度的前提下,本发明所提出的模拟方法可以获得超过8倍的仿真效率。

    一种具有宽角度高屏蔽效能的超宽带能量选择表面

    公开(公告)号:CN117353037A

    公开(公告)日:2024-01-05

    申请号:CN202311477264.1

    申请日:2023-11-07

    Abstract: 本发明公开了一种具有宽角度高屏蔽效能的超宽带能量选择表面,包括依次层叠的第一层介质基板、第二层介质基板和底层介质基板,其中相邻的两层介质基板通过空气间隙层隔开,所述第一层介质基板上设置有顶层金属单元,所述第二层介质基板上设置有中间层金属单元,所述底层介质基板上设置有底层金属单元。本发明实现了当有源超表面被低功率信号照射时,传输频带与带通超表面的传输频带重叠,当HPM入射时,有源超表面的谐振频率移动到带通超表面的阻带,具有宽角度、高屏蔽效能、能量选择性透过的功能,在低功率下低插损传输,在高功率下超宽带防护。

    基于时域谱元法的局部时间步任意高阶精度全波求解方法

    公开(公告)号:CN116127699A

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202211473995.4

    申请日:2022-11-23

    Abstract: 本发明公开了一种基于时域谱元法的局部时间步任意高阶精度全波求解方法,包括:根据模型尺寸进行结构化建模;根据模型特征,对精细结构或未知量变化较为剧烈的区域进行空间上的剖分细化;采用全共形网格剖分;以谱元法为求解平台,采用高阶正交基函数对波动方程中的未知量进行伽辽金测试,得到半离散格式的波动方程;采用任意高阶精度格式对未知量的各阶偏导项进行求解;采用局部时间步技术对全波求解过程加速;在确保求解精度的前提下,调节全部剖分网格尺寸直至最大;在求解收敛的前提下,调整全局时间步至最大;在求解收敛的前提下,调整局部时间步至最大,并计算出全局时间步长和局部时间步长之比。本发明能够提高计算效率,降低计算成本。

    一种阵列天线前门电磁脉冲效应分析方法

    公开(公告)号:CN115203996A

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202210570649.1

    申请日:2022-05-24

    Abstract: 本发明公开了一种阵列天线前门电磁脉冲效应分析方法,包括:根据天线的几何尺寸和结构参数建模,并根据戴维南定理进行阵列天线等效阻抗的提取;对天线的频域内阻曲线采用高阶拟合函数逼近,确定频域内阻的高阶拟合函数;通过天线端口电场的线积分得到天线端口电压,并采用前向差分方法建立迭代方程进行天线端口电流密度的求解;通过集成电路端口电场的线积分得到集成电路端口电压,并采用电压电流关系进行集成电路端口电流密度的求解;将端口电流密度通过迎风通量代入时域不连续伽辽金有限元方法建立的场路耦合微分方程组,并引入局部时间步进方法求解出全部电磁场的解。本发明能够提高计算效率,降低成本,避免天线复杂结构带来的多尺度问题。

    具有超高屏蔽效能的C波段宽带能量选择表面单元及表面

    公开(公告)号:CN118174035A

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN202410219341.1

    申请日:2024-02-28

    Abstract: 本发明公开了一种具有超高屏蔽效能的C波段宽带能量选择表面单元及表面,包括三层介质基板以及介质基板上的金属单元的设计,可实现基于入射波功率强度的自适应响应。位于顶层的第一介质基板上的金属单元包括四个扇形金属贴片和十六个矩形金属贴片,位于中间层的第二介质基板上的金属单元包括两个矩形金属贴片且呈十字形排列,位于底层的第三介质基板上的金属单元与位于顶层的第一介质基板上的金属单元结构设计相同。本发明的超高屏蔽效能的C波段宽带能量选择表面针对不同的功率的输入信号具有较低的插入损耗和较高的屏蔽效能,且在低功率下具有良好的带内传输及带外抑制能力,同时具有良好的角度稳定性。

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