无桥功率因数校正电路及其控制方法

    公开(公告)号:CN102545582B

    公开(公告)日:2014-12-24

    申请号:CN201210028511.5

    申请日:2012-02-09

    Abstract: 本发明实施例提供了一种无桥功率因数校正PFC电路,包括交流电源模块、功率模块和控制模块,其中交流电源模块与功率模块连接以便为功率模块提供电能,功率模块包括一路或多路交错PFC电路,其中每路交错PFC电路包括一个电感、一对第一开关元件和至少一个电容,其中电感的第一端与交流电源模块连接,电感的第二端分别通过一对第一开关元件连接到每个电容的两端,控制模块采样功率模块中的每个第一开关元件的电流,并关断其中流经负电流的第一开关元件。本发明实施例采用三角形电流模式TCM控制方法,从而让所有第一开关元件工作在软开关状态,最大程度的减小了损耗,提高了整机的效率。

    一种电路及其控制方法

    公开(公告)号:CN102684519B

    公开(公告)日:2014-09-03

    申请号:CN201210128564.4

    申请日:2012-04-27

    Abstract: 本发明公开了一种电路,其包括:第一桥臂单元和第二桥臂单元,以及第一电容和第二电容。第一桥臂单元和第二桥臂单元的电感的第二端口用于输入同相交流电。通过交错开通第一桥臂单元和第二桥臂单元的开关管,向第一电容和第二电容充电,减小了电容纹波。在电池工作模式下,第一桥臂单元和第二桥臂单元仍能够给电容充电,电路不存在闲置器件,提高了器件的利用率。

    接触器驱动电路
    43.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103996567A

    公开(公告)日:2014-08-20

    申请号:CN201410228099.0

    申请日:2014-05-27

    Inventor: 黄伯宁 杨靖 张鹏

    CPC classification number: H01H47/226 H01H47/00 H01H51/22

    Abstract: 本发明提供一种接触器驱动电路,用于驱动双稳态接触器或常闭型接触器。其包括电源、处理器、线路连接控制单元、第一驱动端及第二驱动端,第一驱动端及第二驱动端用于驱动双稳态接触器或常闭型接触器,处理器电连接线路连接控制单元,当第一驱动端及第二驱动端之间连接接触器时,处理器根据流经接触器的电流的大小判断第一驱动端及第二驱动端之间连接的接触器的类型,并根据判断结果控制线路连接控制单元以使第一驱动端电连接至电源的正极,且控制第二驱动端电连接至电源的负极;或处理器控制线路连接控制单元以使第二驱动端连接至电源的正极,且控制第一驱动端电连接至电源的负极。本发明能够驱动两种接触器。

    发电机组、发电系统和发电过程中的整流方法

    公开(公告)号:CN103633858A

    公开(公告)日:2014-03-12

    申请号:CN201310589808.3

    申请日:2013-11-20

    Inventor: 姜伟文 黄伯宁

    Abstract: 本发明公开了一种发电机组、发电系统和发电过程中的整流方法,涉及电力电子技术领域,降低了标准整流器因输入电流不够平稳而造成损坏的几率。该发电机组,包括:三相发电机,用于产生并输出三相交流电;移相变压器,其输入端连接于所述三相发电机的输出端,所述移相变压器用于将三相交流电转换为n相交流电,其中n为大于3的整数;2n管桥式整流器,其输入端连接于所述移相变压器的输出端,所述2n管桥式整流器用于将所述n相交流电转换为叠加2n脉波交流成分的直流电;标准整流器,其输入端连接于所述2n管桥式整流器的输出端,所述标准整流器用于将所述叠加2n脉波交流成分的直流电转换为标准直流电。

    逆变电源系统
    45.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103401466A

    公开(公告)日:2013-11-20

    申请号:CN201310253209.4

    申请日:2013-06-24

    Abstract: 本发明提供一种逆变电源系统,通过第一选择开关在第一母线电容上的直流母线电压不能满足直交流转换电路逆变输出的要求时接通第一母线电容与交直流转换电路,通过交直流转换电路对第一母线电容上的直流母线电压进行二次升压,使得第二母线电容输出的电压范围变宽,满足了直交流转换电路逆变输出要求,同时又保证了电池电压的宽范围输入,即满足了逆变电源系统输入输出的电压宽范围要求,延长了电池的有效使用时间。并且,通过交直流转换电路对第一母线电容上的直流母线电压进行升压,解决了现有技术需要通过改变PWM变换器的占空比或改变谐振变换器的谐振频率来满足逆变电源系统输入输出的电压宽范围要求导致的转换效率低的问题。

    检测电路以及同步整流电路

    公开(公告)号:CN102135556B

    公开(公告)日:2013-04-17

    申请号:CN201010538338.4

    申请日:2010-11-09

    CPC classification number: H02M3/33592 Y02B70/1475

    Abstract: 本发明实施例公开了一种检测电路以及同步整流电路,涉及电子技术领域。解决了现有技术无法准确检测出场效应管的漏极与场效应管的源极之间电压的电压值以及流过场效应管漏极和场效应管的源级的电流的电流值的技术问题。该检测电路,包括电感模块、电阻模块以及检测模块,互相串联的电感模块与电阻模块连接于场效应管的源极与场效应管的漏极之间;检测模块,用于通过测量获得电感模块和电阻模块的连接点到场效应管源极之间的电压值或流过电阻模块与场效应管的源极的电流的电流值,并根据电压值或电流值得出场效应管的源极与漏极之间的有效电压值或流过场效应管的源极与漏极的有效电流值。本发明应用于检测并控制同步整流电路中的场效应管。

    电源转换电路及设备、功率因数矫正电路交错控制方法

    公开(公告)号:CN101958657A

    公开(公告)日:2011-01-26

    申请号:CN200910159150.6

    申请日:2009-07-17

    Inventor: 黄伯宁

    CPC classification number: H02M1/4208 H02M2003/1586 Y02B70/126

    Abstract: 本发明涉及电路技术,公开了电源转换电路及设备、功率因数矫正电路交错控制方法,其中电源转换电路包括第一桥臂单元、第二桥臂单元和电容;第一桥臂单元的上端和第二桥臂单元的上端与电容的第一端口连接,第一桥臂单元的下端和第二桥臂单元的下端与电容的第二端口连接;第一桥臂单元包括两个二极管,该两个二极管同向串联连接,该两个二极管的连接处用于与电源的第一端口连接;第二桥臂单元包括两个开关管和一个电感,第二桥臂单元包括的两个开关管同向串联连接,电感的第一端口连在第二桥臂单元包括的两个开关管的连接处,电感的第二端口用于与电源的第二端口连接。使用本发明,可以提高电感利用率。

    一种混合栅场效应管及制备方法、开关电路

    公开(公告)号:CN114078957A

    公开(公告)日:2022-02-22

    申请号:CN202010795268.4

    申请日:2020-08-10

    Abstract: 本申请提供了一种混合栅场效应管及制备方法、开关电路,混合栅场效应管包括沟道层,以及与沟道层层叠设置的源极、漏极和栅极结构。栅极结构采用混合栅结构,其由两种材质制备而成。栅极结构包括第一结构层和第二结构层。第二结构层包裹第一结构层,第一结构层为N型氮化镓层或本征氮化镓层;第二结构层为P型氮化镓层。栅极金属层设置在栅极结构背离沟道层的一侧,且栅极金属层与第一结构层可通过欧姆接触。由上述描述可看出,通过栅极结构采用混合栅结构的方式,栅极结构采用两种不同材料制备而成,且位于混合栅中间位置的材料可与栅极金属层实现欧姆接触,从而改善了栅极金属层与栅极结构连接的可靠性,进而提高了混合栅场效应管的可靠性。

    复合衬底及其制备方法、半导体器件、电子设备

    公开(公告)号:CN113658849A

    公开(公告)日:2021-11-16

    申请号:CN202110762279.7

    申请日:2021-07-06

    Abstract: 本申请实施例提供一种复合衬底及其制备方法、半导体器件、电子设备,涉及半导体技术领域,用于解决因SiC成本高,导致AlxGayN基半导体器件成本高的问题。复合衬底,包括:承载层、碳化硅层以及至少一层外延层。碳化硅层设置在承载层上,与承载层键合;碳化硅层的材料包括单晶碳化硅。至少一层外延层设置在碳化硅层远离承载层一侧。

    半导体器件及其制作方法、及电子设备

    公开(公告)号:CN113178474A

    公开(公告)日:2021-07-27

    申请号:CN202110228786.2

    申请日:2021-03-02

    Abstract: 本申请提供一种半导体器件及其制作方法、及电子设备。半导体器件包括漂移区、第一电极结构和第二电极结构,第一电极结构和第二电极结构位于漂移区的同侧。第一电极结构包括第一绝缘层和第一电极,第一绝缘层位于第一电极的外围,第二电极结构包括第二绝缘层和第二电极,第二绝缘层位于第二电极的外围,第一电极和第二电极之间设有缓冲结构,缓冲结构用于增加导通时载流子在漂移区的积累。本申请通过在第一电极和第二电极之间设置缓冲结构,缓冲了半导体器件导通时漂移区存储的载流子的流动,提高漂移区载流子的浓度,有利于降低半导体器件的导通压降。

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