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公开(公告)号：CN119630019A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202311170776.3
申请日：2023-09-11
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请的实施例提供了一种半导体结构、集成电路以及半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构的质量较好，较为稳定。该半导体结构包括：层叠设置的衬底、成核层以及外延层；衬底包括第一区域和第二区域；第一区域上的成核层与第二区域上的成核层的晶向不同；第一区域上的外延层的极化方向与第二区域上的外延层的极化方向不同。
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公开(公告)号：CN118522761A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202310165304.2
申请日：2023-02-17
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体器件及其制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域。半导体器件包括衬底、氮化铝缓冲层和异质外延层。氮化铝缓冲层位于衬底的一侧，氮化铝缓冲层包括第一表面和第二表面，第一表面相比第二表面远离衬底。第一表面上随机分布多个凹坑，凹坑的底部与第二表面之间存在间距。异质外延层位于氮化铝缓冲层远离衬底的一侧。半导体器件用于在提高外延层的晶体质量，控制外延层应力的同时，降低成本。半导体器件应用于电子设备中，以提高电子设备的性能。
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公开(公告)号：CN114078957A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202010795268.4
申请日：2020-08-10
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/20
Abstract: 本申请提供了一种混合栅场效应管及制备方法、开关电路，混合栅场效应管包括沟道层，以及与沟道层层叠设置的源极、漏极和栅极结构。栅极结构采用混合栅结构，其由两种材质制备而成。栅极结构包括第一结构层和第二结构层。第二结构层包裹第一结构层，第一结构层为N型氮化镓层或本征氮化镓层；第二结构层为P型氮化镓层。栅极金属层设置在栅极结构背离沟道层的一侧，且栅极金属层与第一结构层可通过欧姆接触。由上述描述可看出，通过栅极结构采用混合栅结构的方式，栅极结构采用两种不同材料制备而成，且位于混合栅中间位置的材料可与栅极金属层实现欧姆接触，从而改善了栅极金属层与栅极结构连接的可靠性，进而提高了混合栅场效应管的可靠性。
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公开(公告)号：CN119132998A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202310692432.2
申请日：2023-06-12
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请实施例公开了一种半导体反应室设备、托盘转速测量方法和测量装置，该半导体反应室设备包括：腔室，以及设置在该腔室内的第一托盘、第二托盘和图像采集装置；该第二托盘设置在该第一托盘上，该第一托盘用于在电机驱动下自转，该第二托盘用于随该第一托盘公转，且该第二托盘还用于在气流吹动下自转；其中，该第二托盘上设有标记，该图像采集装置用于在该第二托盘的标记转动至取景视野内时采集包括该标记的多张图片。由此，该标记可以用于确定该第二托盘的运动轨迹，接着可以根据该标记的运动轨迹确定第二托盘转动过的角度，接着根据该第二托盘转动过的角度和该图像采集装置的拍照频率，可以确定该第二托盘的自转角速度。
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公开(公告)号：CN114256057A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202011025013.6
申请日：2020-09-25
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种氮化物外延结构，包括：衬底；成核层，形成于衬底上，成核层为氮化铝层或氮化镓层；缓冲层，形成于成核层上，包括K个堆叠的第Ⅲ族氮化物双层结构，K≥3；每一双层结构均包括层叠的上层和下层，每一双层结构的带隙差为上层材质的禁带宽度与下层材质的禁带宽度的差值；K个双层结构的带隙差沿缓冲层的厚度方向整体呈渐变趋势；外延层，形成于缓冲层上，外延层的材质包括第Ⅲ族氮化物。通过设置具有多个带隙差渐变的双层结构的缓冲层，可有效缓解衬底与外延层的晶格失配，而且可以很好地平衡晶体质量与耐电压性能，从而有效提升半导体器件的性能。本申请实施例还提供了包含该氮化物外延结构的半导体器件。
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