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公开(公告)号：CN113871508A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202110959821.8
申请日：2021-08-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种碲半导体薄膜红外探测器件，属于红外探测技术领域，能够解决当前Te短波红外探测器难以兼顾暗电流、响应度以及CMOS兼容性的技术难题。所述碲半导体薄膜红外探测器件包括：第一电极，第一电极为透明电极；电子传输层，设置在第一电极上；碲薄膜层，设置在电子传输层上；第二电极，设置在碲薄膜层上。本发明用于制作红外探测器件。
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公开(公告)号：CN112531049A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010999796.1
申请日：2020-09-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本申请公开了一种量子点吸光层以及制备方法、应用。所述量子点吸光层包括量子点，所述量子点为经改性组分修饰的胶体量子点；所述改性组分包括金属元素Sn和卤化铅配体；所述胶体量子点包括PbS、PbSe中的至少一种。该量子点吸光层中含有经金属元素Sn和卤化铅配体修饰的胶体量子点，并且协同制备过程中的熟化处理，大大降低了量子点的表面缺陷，提高载流子的迁移率，从而降低探测器件的暗电流噪声，提高探测性能。
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公开(公告)号：CN112521943A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010999795.7
申请日：2020-09-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种量子点材料以及制备方法、应用。所述量子点材料为经改性组分修饰的胶体量子点；所述改性组分包括金属元素Sn和卤化铅配体。该量子点材料通过引入金属Sn元素，与卤化铅配体共同修饰胶体量子点，从而降低了量子点材料的表面缺陷，提高载流子的迁移率，从而降低探测器件的暗电流噪声，提高探测性能。
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公开(公告)号：CN107287656B
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201710442213.3
申请日：2017-06-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种III‑V族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法，包括以下步骤：(1)将III‑V族量子点分散于非极性溶剂中得到量子点溶液，将无机配体溶解于极性溶剂中得到无机配体分散液，再将量子点溶液与无机配体分散液混合搅拌，极性溶剂所在层即对应第一前驱体溶液；(2)将PbX2与MAX均匀分散于极性溶剂中得到第二前驱体溶液；(3)将第一前驱体溶液与第二前驱体溶液混合后利用反溶剂法生长晶体，从而在III‑V族量子点上外延诱导生长得到MAPbX3钙钛矿晶体。本发明通过对关键III‑V族量子点异质外延生长界面配体的种类和结构等进行改进，能够有效解决III‑V族量子点无法与Pb、X卤族元素相键合的问题。
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公开(公告)号：CN119836030A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411798904.3
申请日：2024-12-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请提供一种光电导器件的制备方法以及红外探测器，光电导器件的制备方法包括：将所述铅源前驱液和硒源前驱液进行混合的同时加入金属碘化物盐进行敏化，从而得到硒化铅溶液；利用所述硒化铅溶液在基底上生长硒化铅薄膜；在所述硒化铅薄膜上设置电极，从而制备得到光电导器件。该方法使用化学浴沉积技术制备硒化铅薄膜，在薄膜生长过程中原位加入金属碘化物盐的水溶液，延长了硒化铅薄膜生长的诱导期，使得硒化铅晶粒排布更加致密，减少了薄膜内部缺陷，使得掺杂浓度显著下降。原位敏化策略降低了晶界势垒，减少了晶界复合，使得暗电流下降，光响应显著提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119072203A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202311833000.5
申请日：2023-12-28
Abstract: 本发明提供了一种PbS吸光层制备方法、PbS量子点探测器及制备方法，PbS吸光层制备方法包括以下几个步骤：S1：使用液相配体交换法分别配置多种量子点尺寸不同的PbS量子点溶液；S2：对PbS量子点溶液进行处理，得到PbS量子点浆料；S3：将PbS量子点浆料按照量子点尺寸梯度变化顺序逐层沉积PbS量子点膜，并且每一层PbS量子点膜沉积后均进行低真空度退火处理。相较于现有技术中使用共混涂膜的方式，通过所述PbS吸光层制备方法制备的PbS吸光层能够维持原长波峰值处的光响应，并且也无需限制不同光吸收层PbS所用溶剂的种类，而且对不同大小的量子点的尺寸差异要求较低，使得探测器的设计自由度较高。
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公开(公告)号：CN119060732A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202311833740.9
申请日：2023-12-28
Abstract: 本申请涉及量子点技术领域，具体涉及一种均一的长波红外量子点及其制备方法和光电探测器，光电探测器包括均一的长波红外量子点，均一的长波红外量子点的制备方法包括配置0.07‑0.1mol/L的汞前驱体溶液；配置0.4‑0.6mol/L的硒脲溶液，并在120‑150℃条件下注入汞前驱体溶液，反应2‑10min，得第一溶液；配置0.025‑0.06mol/L的二硫化硒溶液，并在120‑150℃条件下匀速注入第一溶液，控制注入时间为15‑40min，得第二溶液；第二溶液提纯得均一的长波红外量子点。本申请具有获得均一性良好的长波红外量子点的效果。
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公开(公告)号：CN119060728A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410505078.2
申请日：2024-04-25
Abstract: 本申请涉及量子点技术领域，具体涉及一种通过巯基芳香族配体增强稳定性的量子点及制备方法，制备方法，包括以下步骤：取金属卤化物与以油酸为配体的量子点进行配体交换，得量子点滤饼；取巯基芳香族配体与量子点滤饼进行配体交换，得目标量子点，其中，巯基芳香族配体包括邻苯二硫酚、间苯二硫酚、对苯二硫酚、邻氨基苯硫酚、间氨基苯硫酚、对氨基苯硫酚中的至少一种。本申请具有提高四六族量子点在热学性能上稳定性的效果。
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公开(公告)号：CN113871508B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202110959821.8
申请日：2021-08-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种碲半导体薄膜红外探测器件，属于红外探测技术领域，能够解决当前Te短波红外探测器难以兼顾暗电流、响应度以及CMOS兼容性的技术难题。所述碲半导体薄膜红外探测器件包括：第一电极，第一电极为透明电极；电子传输层，设置在第一电极上；碲薄膜层，设置在电子传输层上；第二电极，设置在碲薄膜层上。本发明用于制作红外探测器件。
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公开(公告)号：CN117050049A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310956369.9
申请日：2023-07-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: C07D333/20 , C09K9/02
Abstract: 本发明属于新材料技术领域，更具体地，涉及一种三苯胺苯基共轭修饰的二噻吩基乙烯衍生物、其制备和应用。该二噻吩基乙烯衍生物具有如式(一)所示的结构单元：#imgabs0#其中，R1、R2各自独立地为‑H、C1‑C4的烷基或C6‑C24的芳基。本发明设计了一种三苯胺苯基修饰的二噻吩基乙烯分子开关，使其吸收波长红移至可见光区域，使闭环反应可以由可见光调控，同时开环反应本身调控波长在可见光区域，实现了二噻吩基乙烯分子开关光异构化反应的全可见光调控，并且兼具高的可见光响应性和开关比。
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