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公开(公告)号：CN114740934B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202210472058.0
申请日：2022-04-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种大驱动均衡式LDO电路，包括：初始电压快速建立模块、电压调节反馈回路以及功率组合模块；其中，功率组合模块由功率NMOS管、开关PMOS管和驱动NMOS管串联组成，开关PMOS管的源端连接功率NMOS管的源端，开关PMOS管的源端和漏端分别提供大驱动均衡式LDO的输出电压；初始电压快速建立模块，用于驱动功率NMOS管，通过连接电压调节反馈回路输出稳定电压；电压调节反馈回路，用于比较大驱动均衡式LDO的输出电压与基准电压，调节功率NMOS管的栅端电压。本发明LDO电路可以为不同电路模块提供均衡式稳定电压，实现驱动大电流，负载均衡，同时减少芯片子模块之间电源相互影响。
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公开(公告)号：CN113128156B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202110432103.5
申请日：2021-04-21
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种QDR SRAM应用验证系统，包括PC机、QDRSRAM应用验证板和程控电源，该系统实现了对被测QDR SRAM电路各种功能的全面验证。本发明同时公开了一种基于该系统的验证方法，该方法首先确定上电顺序，然后进行读写功能应用验证、JTAG功能应用验证和I/O电流特性应用验证。本发明验证功能全面、通用性强，对QDR SRAM的应用验证具有重要意义。
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公开(公告)号：CN116246680A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310170744.7
申请日：2023-02-27
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种PROM编程器，包括PC机、PROM编程板、PROM子板和程控电源。FPGA编程板设有FPGA芯片，电平转换芯片；FPGA通过电平转换芯片与PROM芯片进行数据交互，通过电平转换芯片的逻辑控制端对IO端口进行方向控制，实现反熔丝PROM编程操作。PROM编程板和PROM子板连接后具备自检查空功能、文件加载、编程及校验功能、JTAG功能验证和电流特性验证、信息记录等功能。本发明验证功能全面、编程成功率极高，对提高反熔丝PROM的编程成功率和准确性具有重要意义。
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公开(公告)号：CN116242496A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310218456.4
申请日：2023-03-01
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种新型的精度可调的温度传感器电路，上电完成后，感温电路开始工作，产生与温度相关的电压VREF和VT，跟随器电路保证电压V1的温度特性与VT一致，实现电平移位。比较器电路在时钟控制下比较VREF和V2的电压值，输出对应的高低信号，此信号经过锁存器锁定后，产生串行信号VA，串行信号VA经过串并转换电路产生10位控制信号反馈到电压控制网络以调整V2的输出值，通过逐次逼近调整，直到VREF和V2基本一致，系统达到稳定，最后通过数字信号VOUT[9:0]读出温度值。采用此架构功耗低，芯片面积小，省略了常规的ADC电路，易于集成，具备较高的测量精度以及较小的芯片面积和功耗，非常适用大规模混合集成电路进行温度监控。
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公开(公告)号：CN111739574B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202010507063.1
申请日：2020-06-05
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种基于随机二进制序列的静态随机存取存储器验证方法，首先计算SRAM存储器地址位宽和数据位宽等器件参数；然后产生SRAM存储器写操作地址；利用正随机二进制序列和反随机二进制序列对SRAM存储器进行验证，分析统计结果，完成SRAM存储器的功能测试。本发明使用随机二进制序列控制SRAM存储器的读写操作，模拟应用条件下的读取地址和数据，增强存储器测试验证与应用条件的契合度，同时可验证存储器在高速应用条件下的带宽能力，提高存储器功能验证的完备性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112599166A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011519716.4
申请日：2020-12-21
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G11C11/417 , G11C11/418 , G11C7/22
Abstract: 本发明公开了一种用于高速SRAM的高可靠可编程复制位线时钟控制系统，包括：时钟控制电路，用于根据外部读字线控制信号RWL产生字线选通信号SWL，根据复制位线电位RBL产生灵敏放大器使能信号SAE；可编程复制位线，用于根据字线选通信号SWL对可编程复制位线中的预充管和放电单元进行协同控制，并输出实时的复制位线电位RBL；存储单元阵列，用于根据灵敏放大器使能信号SAE，进行读操作。本发明克服了常规复制位线控制电路的问题，消除了在特殊读字线输入条件下引发的不必要功耗损失和读控制时序异常，大幅提高了可编程复制位线结构的操作可靠性，降低了各工作条件下的功耗开销。
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公开(公告)号：CN111487472A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010247272.7
申请日：2020-03-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种测量单粒子瞬态脉冲宽度的电路结构，包括控制电路、衰减单元、延迟单元、驱动Buffer、计数电路。所述的控制电路用于单粒子瞬态脉冲到来后控制此脉冲传输到由此电路和衰减单元、延迟单元、驱动buffer构成的循环结构中。所述的衰减单元用于减小脉冲宽度，延迟单元用于使循环结构的延时宽度大于脉冲宽度。计数电路利用寄存器和加法器实现对脉冲在循环结构中循环的次数的计数，寄存器的时钟信号由脉冲提供不需额外提供，单粒子瞬态脉冲宽度的测量结果是每次循环衰减的量乘以循环的次数。本发明实现的电路结构，可测范围大，测量精度高。
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公开(公告)号：CN107085178B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201710104221.7
申请日：2017-02-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Inventor： 赵元富 , 于春青 , 蔡一茂 , 范隆 , 郑宏超 , 陈茂鑫 , 岳素格 , 王亮 , 李建成 , 王煌伟 , 杜守刚 , 李哲 , 毕潇 , 姜柯 , 赵旭 , 穆里隆 , 关龙舟 , 李继华 , 简贵胄 , 初飞 , 喻贤坤 , 庄伟 , 刘亚丽 , 祝长民 , 王思聪 , 李月
IPC: G01R31/311 , G01J11/00
Abstract: 一种获取器件功能模块单粒子本征错误截面的方法，首先对器件功能模块进行划分，然后直接利用脉冲激光试验获取结构规则功能模块的本征错误截面，编制测试程序，获取每种测试程序下器件的应用错误截面以及各个功能模块的占空因子，根据各种测试程序下器件的应用错误截面公式进行方程组联立求解，得到各个结构不规则功能模块的本征错误截面。本发明方法能够获取集成电路中所有功能模块的本征错误截面，以直观反应每个功能模块的单粒子敏感性。
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公开(公告)号：CN103699710A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310577122.2
申请日：2013-11-18
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种基于脉冲激光的集成电路FIB快速定位方法，根据集成电路版图所提供的布局布线信息，调整显微镜分辨率，找到需要做FIB的区域，然后利用脉冲激光轰击所述需要做FIB的区域，做出烧蚀光斑标记，需要做FIB的区域为集成电路版图中的金属线表面或者空白区域表面，采用本发明方法能够大大提高定位精度和定位效率，可用将传统定位方法大约2个小时左右缩短到20分钟以内，特别是对重复单元较大区域或顶层金属布局无特征参时，可以使其定位效率提高2～4倍。
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公开(公告)号：CN119232139A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411286053.4
申请日：2024-09-13
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H03K19/0185 , H03M9/00
Abstract: 本发明公开了一种适用高速SerDes的混合模驱动器电路，包括NMOS管N1、NMOS管N2、PMOS管P1、PMOS管P2，用于传输经过并串转换后输入驱动器模块的差分主数据信号，以及根据预加重使能信号给出的值，对主数据进行预加重。还包括PMOS管P4、PMOS管P5和偏置电流源I1，用于对输出差分信号实现摆幅可调。本发明采用的混合模驱动器电路具有功耗低和均衡能力强且输出摆幅大的优点，实现驱动主数据并进行预加重，以及对输出摆幅进行调节，符合设计需求，可以用于串行通信领域中高速接口驱动器电路的设计。
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