公开(公告)号：CN116978418A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202311097575.5

申请日：2023-08-29

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 于春青 ,  李同德 ,  王亚坤 ,  王亮 ,  张彦龙 ,  岳素格 ,  苑靖爽 ,  孙雨 ,  朱永钦 ,  杜芊 ,  鲍一豪

IPC: G11C11/15 ,  G11C29/12

Abstract: 一种激光模拟磁阻式随机存取存储器的单粒子闩锁评估方法，通过包括磁阻式随机存取存储器、试验电路板、线缆、程控电源，上位机的单粒子闩锁评估系统，首先进行背辐照样品制备及功能测试，以通过功能测试的磁阻式随机存取存储器进行激光单粒子闩锁试验，通过获取的单粒子闩锁阈值、单粒子闩锁饱和截面、SEL现象敏感位置信息实现单粒子抗闩锁特性的综合评估。

公开(公告)号：CN116545417A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310287650.8

申请日：2023-03-22

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 苑靖爽 ,  李同德 ,  王亚坤 ,  朱永钦 ,  于春青 ,  孙雨 ,  鲍一豪 ,  杜芊 ,  王亮 ,  王勇 ,  赵元富

IPC: H03K3/3562

Abstract: 本申请公开了一种冗余互锁的抗多位单粒子翻转触发器电路，包括输入输出电路、传输门电路、时钟输出电路以及冗余互锁的主从锁存器电路。反相器电路用于反相输入数据信号D、时钟信号以及输出数据到触发器电路的输出端Q。传输门电路用于控制信号在主从锁存器中的传播。冗余互锁的主从锁存器电路用于锁存数据以及保证电路在受到单粒子辐射时信号保持正确的状态。本申请设计的电路，针对单粒子翻转，加固效果好，电路设计简单，易实现。

公开(公告)号：CN114582862A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202210221722.4

申请日：2022-03-09

Applicant: 西安电子科技大学 ,  北京微电子技术研究所 ,  北京时代民芯科技有限公司

Inventor： 赵胜雷 ,  刘爽 ,  张进成 ,  舒磊 ,  赵杜钧 ,  李同德 ,  王亮 ,  赵元富 ,  郝跃

IPC: H01L27/085 ,  H01L21/8258

Abstract: 本发明公开了一种单片集成GaN/Ga2O3的Cascode增强型抗单粒子烧毁器件，包括Ga2O3FET结构和设置在所述Ga2O3FET结构右侧的GaN HEMT结构，Ga2O3FET结构和GaN HEMT结构均设置在衬底上，GaN HEMT结构和Ga2O3FET结构之间设置有第一钝化层；Ga2O3FET结构自下而上依次包括Ga2O3缓冲层和Ga2O3沟道层，Ga2O3沟道层的上方从左至右依次设置有第一源极、第一栅极和第一漏极；GaN HEMT结构自下而上依次包括AlN成核层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层的上方从左至右依次设置有第二源极、p‑GaN层和第二漏极，p‑GaN层的上方设置有第二栅极。本发明采用上述结构实现了新型Ga2O3的增强型器件，降低了宇航系统的重量和复杂度，增加了器件的可靠性，提高了器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压。

公开(公告)号：CN114528983A

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202111681671.5

申请日：2021-12-29

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 覃辉 ,  陈雷 ,  王亮 ,  宋立国 ,  陈淼 ,  郑宏超 ,  李同德 ,  诸磊 ,  赵元富

IPC: G06N3/063

Abstract: 一种脉冲神经元加固电路、加固方法，解决现有技术中脉冲神经元受到单粒子效应影响易发生计算错误的缺陷，有效的提高脉冲神经元的空间环境适应性。该方法通过配置信息和模型参数能够实现脉冲神经网络所需要的脉冲神经元及神经元放电脉冲信号；进一步地，该方法通过ECC编解码模块对配置信息和模型参数进行纠检错容错；进一步地，该方法通过影子存储器(或寄存器组)对配置信息和模型参数进行备份容错。

公开(公告)号：CN114297097A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111452275.5

申请日：2021-12-01

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 宋立国 ,  王亮 ,  陈雷 ,  覃辉 ,  郑宏超 ,  李同德 ,  于春青

IPC: G06F12/06 ,  G06F15/80

Abstract: 一种众核可定义分布式共享存储结构，包括内部数据总线系统、路由单元、处理器核、网络接口单元和存储器模块；横向双向数据线和纵向双向数据线的交叉点放置路由单元；处理器核通过网络接口单元与路由单元连接，路由单元和网络接口单元之间通过处理器核存储访问总线连接；存储器模块直接与路由单元连接。网络接口单元内部集成路由表，它直接根据处理器核发出的存储访问地址查询到目的物理坐标位置，此目的坐标位置添加到数据包的包头后，数据包能够在目的坐标的指引下，通过路由单元，到达要访问的存储器模块。本发明能够克服目前众核处理器存储系统地址空间固定、不支持乒乓操作、存储器模块间无法灵活组合的缺点。

公开(公告)号：CN113704169A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110924960.7

申请日：2021-08-12

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 宋立国 ,  陈雷 ,  王亮 ,  覃辉 ,  刘春学 ,  郑宏超 ,  毕潇 ,  李同德 ,  于春青

IPC: G06F15/173

Abstract: 本发明公开了一种面向嵌入式的可配置众核处理器，包括：内部数据总线系统、事件总线系统、数据连接线、路由单元和处理器核；内部数据总线系统包括若干条横、纵向数据线；若干条横、纵向数据线横纵交错排列，形成N个交叉点，每个交叉点对应放置一个路由单元，相邻路由单元之间通过横向数据线或纵向数据线连接；事件总线系统包括：事件控制单元、事件总线和事件信号线；各处理器核与对应的路由单元之间通过数据连接线连接；各事件控制单元一方面与事件总线连接，另一方面通过事件信号线与对应的处理器核和路由单元连接。本发明可满足嵌入式、高实时性、芯片内部处理器核之间高同步性、芯片内部通信并行性和高吞吐量的需求。

公开(公告)号：CN112234954A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN202011018917.6

申请日：2020-09-24

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 李同德 ,  赵元富 ,  陈雷 ,  王亮 ,  孙永姝 ,  钱浩 ,  隋成龙 ,  曹炜亦

IPC: H03K3/02

Abstract: 本发明一种节点反馈的单粒子翻转加固触发器电路结构，包括：第一反相器电路、延时电路、C单元结构、第一时钟控制输入电路、第二时钟控制输入电路、第三时钟控制输入电路、第四时钟控制输入电路、主锁存器电路、从锁存器电路、第二反相器电路、第三反相器电路、第四反相器电路和第五反相器电路。反相器电路用于反相输入数据信号D、产生时钟信号CLKN、CLKNN以及输出Q；延时电路用于延时瞬态脉冲；C单元结构用于滤波；时钟控制输入结构用于控制信号在主从锁存器中的传播；主从锁存器电路用于保证电路在受到单粒子辐射时信号保持正确的状态。本发明设计的电路结构，针对单粒子翻转，加固效果好，敏感节点划分容易，版图布局易实现。

公开(公告)号：CN110676252A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201910865159.2

申请日：2019-09-12

Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 ,  北京微电子技术研究所

Inventor： 王亮 ,  赵元富 ,  李同德 ,  曹炜亦 ,  隋成龙 ,  李建成 ,  郭威

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明涉及一种抗瞬时辐射加固的集成电路版图结构，包括P阱，N阱，NMOS器件，PMOS器件，第一P阱接触，第二P阱接触，第一N阱接触，第二N阱接触；其中，NMOS器件、第一P阱接触和第二P阱接触位于P阱中，PMOS器件、第一N阱接触和第二N阱接触位于N阱中；第一P阱接触在NMOS器件源端一侧，第二P阱接触在NMOS器件漏端一侧，第一P阱接触和第二P阱接触的面积之和不小于所在P阱面积的15％，第一N阱接触在PMOS器件源端一侧，第二N阱接触在PMOS器件漏端一侧，第一N阱接触和第二N阱接触的面积之和不小于所在N阱面积的15％；上述面积是指所述区域的平面版图面积。