公开(公告)号：CN102306625A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201110259567.7

申请日：2011-09-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  林猛 ,  安霞 ,  张兴

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明公布了一种锗基MOS器件衬底表面钝化方法，属于半导体材料器件领域。该方法首先对锗衬底进行清洗；随后去除衬底表面的自然氧化层；对锗衬底进行GeF4或含氟锗氢化合物和NH3或NF3的混合气体的等离子体处理，以实现淀积在锗衬底表面淀积氮化锗；淀积高K栅介质，进行退火处理。本发明充分结合氮化锗与氟离子对锗衬底表面钝化的作用，在锗衬底表面淀积氮化锗钝化层的过程中附带引入氟的等离子体处理，有效地减小锗衬底与栅介质界面处的界面态密度、抑制衬底中的锗向栅介质中扩散，明显提高了钝化效果。

公开(公告)号：CN102270598A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110240190.0

申请日：2011-08-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 黄如 ,  云全新 ,  安霞 ,  张兴

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明公开了一种用于集成电路制造的场区隔离方法，该方法在有源区和场区定义之后，在场区注入硅离子，去除注入掩膜之后，利用热氧化在场区生成隔离所需要的氧化硅，最后利用选择腐蚀去除有源区表面热氧化生成的氧化物。本发明既可以获得用于集成电路制造工艺的场区隔离结构，同时工艺制备流程采用常用工艺，制备方法简单。

公开(公告)号：CN102136428A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201110026949.5

申请日：2011-01-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 李志强 ,  郭岳 ,  安霞 ,  云全新 ,  黄英龙 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0895 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66643 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。本发明在锗衬底和金属源、漏之间制作一high-k介质薄层。此薄层一方面可以阻挡金属中的电子波函数在半导体禁带当中引入MIGS界面态，同时还能够对锗界面的悬挂键进行钝化；另一方面，由于绝缘介质层的厚度非常薄，电子基本上可以自由通过，所以不会明显增加源漏的寄生电阻。通过此方法，可以减弱费米能级顶扎效应，使费米能级靠近锗的导带位置，使电子势垒降低，从而改善锗基肖特基晶体管的电流开关比，提高NMOS器件的性能。

公开(公告)号：CN101923596A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010275725.3

申请日：2010-09-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 薛守斌 ,  王思浩 ,  谭斐 ,  安霞 ,  黄如 ,  张兴

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明涉及一种集成电路辐照效应的估算方法，属于集成电路领域。该估算方法主要包括以下步骤：A.将受到辐照后的集成电路中的NMOS器件在源、漏之间形成的导电通路作为一个寄生晶体管；B.利用陷阱电荷数与辐照剂量的关系式：Qtrap∝δT2STID，其中Qtrap是STI中俘获的电荷，TSTI寄生晶体管有效的栅氧厚度，D是辐照剂量，δ为拟合系数，得到寄生晶体管的漏电流，从而估算出整个集成电路的辐照效应。本发明可通过电路仿真，预测辐照损伤对集成电路的影响，同时也可以预测电路的敏感节点，进而为电路的抗辐照加固技术给予指导，并且可以降低实验成本。

公开(公告)号：CN101727525A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910243156.1

申请日：2009-12-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 薛守斌 ,  王思浩 ,  安霞 ,  黄如 ,  张兴

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明提供了一种分析CMOS器件辐照位移损伤的模型，属于CMOS器件的辐照位移损伤技术领域。该模型由六个子分析模块组成，包括：一漏、源端位移损伤分析模块、一沟道区位移损伤分析模块、一缺陷群分析模块、一复合增强迁移分析模块、一瞬态增强扩散分析模块和一隔离区位移损伤分析模块，利用蒙特卡罗的方法按照高斯分布随机生成入射粒子，所述模型根据入射粒子打入器件的位置，获取上述六个子分析模块中的一个或多个值，得到CMOS器件在辐照条件下的位移损伤效应。利用本发明能够准确地估算出器件和集成电路在辐射环境中的位移损伤效应。

公开(公告)号：CN118119182A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410253970.6

申请日：2024-03-06

Applicant: 北京大学

Inventor： 黎明 ,  施明旻 ,  毕然 ,  许晓燕 ,  安霞 ,  黄如

IPC: H10B12/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开一种垂直超薄沟道DRAM单元器件的制备方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。本发明通过淀积薄膜厚度定义垂直沟道的宽度，实现超越光学光刻精度的沟道尺寸控制，并减少了定义有源区的光刻次数，实现了垂直超薄沟道DRAM单元器件的制备。采用本发明提高了DRAM存储密度，为实现4F2单元提供了可能性。

公开(公告)号：CN117219667A

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202210619933.3

申请日：2022-06-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  刘景怡 ,  郭伟 ,  宛良辰

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子加固的鳍式场效应晶体管，包括半导体衬底，在半导体衬底上具有凸起的Fin条，Fin沟道的两端分别是源区和漏区，Fin沟道的顶部和两侧由内向外依次覆盖栅介质和栅电极，其特征在于，所述源区和漏区采用非对称结构：源区下方无介质层，直接与衬底相连；漏区下方具有介质层，且介质层将漏区和衬底完全隔离；沟道区下方(全部或部分位置)具有介质层。该器件在FinFET的沟道和漏区下方插入局部介质层，阻止单粒子入射后在衬底产生的电荷被漏区收集，从而减小单粒子瞬态电流。相比于传统体硅FinFET器件，该结构FinFET器件有更好的抗单粒子瞬态能力。另外，源区与衬底直接相连，比SOIFinFET具有更好的散热能力。

公开(公告)号：CN110596560B

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN201810545443.7

申请日：2018-05-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  任哲玄 ,  李艮松 ,  黄如 ,  张兴

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公布了一种评估FinFET器件总剂量辐射效应的方法，关键在于在FinFET器件接受辐射源辐照时升高器件温度，温度变化量等于器件自热效应引起的温度变化量，通过升温辐照、室温测试得到FinFET器件转移、输出特性曲线，从中提取所需电学参数。该方法考虑了自热效应对FinFET器件总剂量辐射效应的影响，修正了常规总剂量辐照实验方法未考虑自热效应所带来的误差，能更加准确地评估FinFET器件总剂量辐射效应。

公开(公告)号：CN110596560A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201810545443.7

申请日：2018-05-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  任哲玄 ,  李艮松 ,  黄如 ,  张兴

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公布了一种评估FinFET器件总剂量辐射效应的方法，关键在于在FinFET器件接受辐射源辐照时升高器件温度，温度变化量等于器件自热效应引起的温度变化量，通过升温辐照、室温测试得到FinFET器件转移、输出特性曲线，从中提取所需电学参数。该方法考虑了自热效应对FinFET器件总剂量辐射效应的影响，修正了常规总剂量辐照实验方法未考虑自热效应所带来的误差，能更加准确地评估FinFET器件总剂量辐射效应。

公开(公告)号：CN105551941B

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201610017832.3

申请日：2016-01-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 安霞 ,  张冰馨 ,  黎明 ,  刘朋强 ,  林猛 ,  郝培霖 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种提高金属锗化物热稳定性的方法，属于微电子器件领域。该方法通过在锗基衬底上制备金属锗化物薄膜前，采用氮等离子体对表面进行处理，可以提高锗基衬底上金属锗化物薄膜的热稳定性，改善其表面形貌，并且与现有工艺兼容，有利于锗基MOS器件的工艺集成。