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公开(公告)号：CN118099214A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410217904.3
申请日：2024-02-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种抗总剂量辐射的多栅器件，属于半导体技术领域。本发明包括半导体衬底，其上设置有凸起的Fin条和STI区；STI区位于两个Fin条之间，其不与两个Fin条接触；Fin条的顶部和两侧具有横跨Fin条的栅极结构，与栅极结构接触的Fin条部分形成沟道区；源、漏位于沟道区两端。本发明通过将STI区与Fin条相接触的部分被挖空，只保留其不与Fin条相接触的中间部分，减小了氧化层区域的体积，因此辐照引入的陷阱电荷数量减少，辐照诱生陷阱电荷导致的关态泄漏电流增大特性得到明显抑制。
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公开(公告)号：CN117913140A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311759201.5
申请日：2023-12-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种抗辐射SOI FinFET器件，属于超大规模集成电路技术领域。该器件包括SOI衬底，在SOI衬底上具有Fin条结构，在Fin条结构顶部至下部包括栅极结构、栅氧化层和沟道区；源、漏位于沟道区两端，SOI衬底中的埋氧层划分为漏端下方埋氧层、栅极下方埋氧层和源端下方埋氧层，漏端下方埋氧层厚度与源端下方埋氧层的厚度之比为0.5～40之间，且栅极下方埋氧层的厚度比源极下方埋氧层的厚度大。本发明能有效抑制总剂量效应，且有利于减弱SOI FinFET的自热效应。
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公开(公告)号：CN105255703A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510689325.X
申请日：2015-10-21
Applicant: 中国科学院电子学研究所 , 中国人民解放军总医院 , 北京大学人民医院
Abstract: 本发明提供了一种用于大序列细胞划痕迁移观测的微流控芯片及其观测方法。该微流控芯片包括：基底以及固定于基底上方的功能层；其中，在所述功能层上形成功能小室阵列，在该功能小室阵列中各功能小室底部基底部分的上表面形成有电性隔离的第一电极和第二电极。本发明微流控芯片一次可以多组平行实验，通量高，从而大大降低了实验成本，实现了大序列细胞划痕迁移观测实验。
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公开(公告)号：CN117219667A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210619933.3
申请日：2022-06-02
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子加固的鳍式场效应晶体管，包括半导体衬底，在半导体衬底上具有凸起的Fin条，Fin沟道的两端分别是源区和漏区，Fin沟道的顶部和两侧由内向外依次覆盖栅介质和栅电极，其特征在于，所述源区和漏区采用非对称结构：源区下方无介质层，直接与衬底相连；漏区下方具有介质层，且介质层将漏区和衬底完全隔离；沟道区下方(全部或部分位置)具有介质层。该器件在FinFET的沟道和漏区下方插入局部介质层，阻止单粒子入射后在衬底产生的电荷被漏区收集，从而减小单粒子瞬态电流。相比于传统体硅FinFET器件，该结构FinFET器件有更好的抗单粒子瞬态能力。另外，源区与衬底直接相连，比SOIFinFET具有更好的散热能力。
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公开(公告)号：CN106282016A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610649492.6
申请日：2016-08-10
Applicant: 中国科学院电子学研究所 , 中国人民解放军总医院 , 北京大学人民医院
CPC classification number: C12M23/12 , C12M23/20 , C12M25/14 , C12M41/46 , G01N33/5029
Abstract: 本发明提供一种二维细胞划痕芯片及其制备方法、应用。本发明中将微加工技术与划痕实验相结合，设计了一种能够高通量的，可以实时观察二维细胞迁移的划痕芯片。本芯片在结构上，与传统多孔板技术兼容，可以完全应用于现有的多孔板平台。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106282016B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201610649492.6
申请日：2016-08-10
Applicant: 中国科学院电子学研究所 , 中国人民解放军总医院 , 北京大学人民医院
Abstract: 本发明提供一种二维细胞划痕芯片及其制备方法、应用。本发明中将微加工技术与划痕实验相结合，设计了一种能够高通量的，可以实时观察二维细胞迁移的划痕芯片。本芯片在结构上，与传统多孔板技术兼容，可以完全应用于现有的多孔板平台。
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公开(公告)号：CN107817342B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201610825843.4
申请日：2016-09-14
Applicant: 北京大学
IPC: G01N33/574 , G01N33/68
Abstract: 本发明公开了一种辅助诊断腹主动脉瘤或动脉夹层的试剂盒。本发明所提供的试剂盒，包括用于检测软骨寡聚基质蛋白的物质。所述“用于检测软骨寡聚基质蛋白的物质”具体为检测所述软骨寡聚基质蛋白的浓度的物质。实验证明，利用本发明所提供的试剂盒可辅助诊断腹主动脉瘤或动脉夹层，具有较高的准确率，对辅助诊断腹主动脉瘤或动脉夹层具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN105255703B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201510689325.X
申请日：2015-10-21
Applicant: 中国科学院电子学研究所 , 中国人民解放军总医院 , 北京大学人民医院
Abstract: 本发明提供了一种用于大序列细胞划痕迁移观测的微流控芯片及其观测方法。该微流控芯片包括：基底以及固定于基底上方的功能层；其中，在所述功能层上形成功能小室阵列，在该功能小室阵列中各功能小室底部基底部分的上表面形成有电性隔离的第一电极和第二电极。本发明微流控芯片一次可以多组平行实验，通量高，从而大大降低了实验成本，实现了大序列细胞划痕迁移观测实验。
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公开(公告)号：CN104893953A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510050047.3
申请日：2015-01-30
Applicant: 中国科学院电子学研究所 , 中国人民解放军总医院 , 北京大学人民医院
Abstract: 本发明提供了一种基于微流控芯片的贴壁细胞划痕制作及迁移观测方法。该微流控芯片中具有“Y”型结构的微沟道，包括：连通的主沟道和两从沟道，主沟道连接至细胞入口，两从沟道连接至两液滴入口。该贴壁细胞划痕制作包括：在微流控芯片的微沟道内采用该贴壁细胞对应的完全培养基进行片上贴壁细胞培养；将微流控芯片的细胞入口、两液滴入口的溶液全部吸净；向微流控芯片的两液滴入口同时、分别注入该贴壁细胞对应的完全培养基和胰蛋白酶溶液；静置预设时间；按顺序从细胞入口、两液滴入口吸净溶液，从而在微流控芯片微沟道的底壁上形成划痕。本发明为贴壁细胞体外迁移提供更接近生理环境的方法，同时降低了实验成本。
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公开(公告)号：CN118099215A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410219466.4
申请日：2024-02-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种抗总剂量辐射的多栅新结构器件，属于半导体技术领域。本发明包括：半导体衬底，其上连接有Fin条和STI区；STI区位于相邻两个Fin条之间，STI区垂直于源漏方向的剖面中间部分被挖空；Fin条顶部至中部与STI区没有接触的表面具有横跨Fin条的栅极结构，与栅极结构接触的Fin条部分构成沟道区；Fin条下部被STI区包裹；源漏位于沟道区两端。本发明通过挖空STI区的剖面中间部分，剩余的STI区包裹两侧的Fin条。由于氧化层体积的减少，辐射诱生的氧化层陷阱电荷数量减少，Sub‑Fin区域难以反型形成泄漏通道，因此能够减小辐照引起的器件关态泄漏电流增加，其抗总剂量辐射能力得到增强。
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