公开(公告)号：CN110211881A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201910417221.1

申请日：2019-05-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭沛 ,  李慕禅 ,  田仲政 ,  于学敏 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明提出了一种调控石墨烯场效应晶体管的M形电阻特性曲线方法，在电子电路、微纳电子学等领域具有应用前景。本发明提出的石墨烯场效应晶体管器件结构：紧靠石墨烯沟道上方栅介质层有两种不同功函数的金属栅。这种结构的石墨烯场效应晶体管可产生M形电阻特性曲线，并且通过选择这两种栅金属的种类和相对长度可实现对M形电阻特性曲线形状的可控调节。

公开(公告)号：CN106904571B

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201710152199.3

申请日：2017-03-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 王紫东 ,  彭沛 ,  田仲政 ,  宋建宏 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种纳米尺度缝隙的制备方法，该方法根据旋涂的光刻胶在凸起处较薄这一特点，依靠一层保护层，利用两次刻蚀，便可制备出宽度易于控制的纳米尺度缝隙。相对于一般基于电子束曝光技术或透射电镜技术来制备纳米尺度缝隙的方法，本发明的方法不需要借助任何精细图形加工设备，大大降低了加工成本和操作控制难度。另外，本发明还可以批量地进行纳米尺度缝隙的制备，节约了加工制备的时间成本。

公开(公告)号：CN105699702B

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201410709646.7

申请日：2014-11-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 王锴成 ,  贾越辉 ,  王紫东 ,  彭沛 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: G01Q60/24 ,  G01N21/66

Abstract: 本发明公开了一种基于光谱仪和导电原子力显微镜的石墨烯与金属表面间距测量方法，该方法利用石墨烯‑金属结在特定电压下可以在大气环境中发光的现象，以光谱仪配合导电原子力显微镜，实现控制探针移动，测量相应电压，提取到ΔEF的平均值，根据ΔEF和d的对应关系，得到发光点处石墨烯与金属表面间距d，最后得到样品的间距分布图。

公开(公告)号：CN108423658A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201810250018.5

申请日：2018-03-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 彭沛 ,  王紫东 ,  田仲政 ,  宋建宏 ,  李慕禅 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: C01B32/186

Abstract: 本发明提出了一种石墨烯薄膜的制备方法，在材料学、微纳电子学等领域具有应用前景。本发明在熔融的可溶性盐液体表面生长石墨烯薄膜，利用可溶性盐晶体易溶于水，而水蒸发后可以再次析出可溶性盐晶体，且析出的可溶性盐晶体可以再次利用的特性，构建了一种可循环制备石墨烯薄膜的工艺方法，本发明具有成本低，副产物少，环保的特点。

公开(公告)号：CN106904571A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201710152199.3

申请日：2017-03-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 王紫东 ,  彭沛 ,  田仲政 ,  宋建宏 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82B3/0038 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种纳米尺度缝隙的制备方法，该方法根据旋涂的光刻胶在凸起处较薄这一特点，依靠一层保护层，利用两次刻蚀，便可制备出宽度易于控制的纳米尺度缝隙。相对于一般基于电子束曝光技术或透射电镜技术来制备纳米尺度缝隙的方法，本发明的方法不需要借助任何精细图形加工设备，大大降低了加工成本和操作控制难度。另外，本发明还可以批量地进行纳米尺度缝隙的制备，节约了加工制备的时间成本。

公开(公告)号：CN105762090A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610137360.5

申请日：2016-03-10

Applicant: 北京大学

Inventor： 贾越辉 ,  彭沛 ,  王紫东 ,  田仲政 ,  任黎明 ,  傅云义

IPC: H01L21/66 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L22/14

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯器件表面气体分子吸附过程的监测方法，该方法主要通过监测石墨烯器件的转移特性，尤其是狄拉克点位置，实时监控器件中石墨烯表面的气体吸附动态过程，即从清洁石墨烯表面至分子饱和吸附的全过程，并可较为精确地测量该过程所需时间。

公开(公告)号：CN103193216B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201310126385.1

申请日：2013-04-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 胡保东 ,  周梦杰 ,  李晨 ,  赵华波 ,  魏子钧 ,  郭剑 ,  张亮 ,  任黎明 ,  傅云义 ,  黄如 ,  张兴

IPC: C01B31/00 ,  C01B31/02 ,  C01B31/04 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种碳纳米复合材料的制备方法，属于纳米材料的研制领域。该方法利用CVD方法制备单层或多层石墨烯；然后将石墨烯转移到目标衬底上；在石墨烯与目标衬底的结构上面涂覆光刻胶，用电感耦合等离子体方法轰击，使光刻胶变性，然后泡掉残余的光刻胶；将经过轰击的光刻胶、石墨烯和目标衬底一并进行高温处理，使光刻胶碳化，形成碳纳米复合材料。本发明所得到的密集分布的有较高的导电性能的大比面积的碳纳米材料的厚度大概为50～200nm，各个碳纳米线条的直径大概为十几纳米，长度为数十纳米。

公开(公告)号：CN103224231B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201310143181.9

申请日：2013-04-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 李晨 ,  周梦杰 ,  胡保东 ,  赵华波 ,  魏子钧 ,  任黎明 ,  傅云义 ,  黄如 ,  张兴

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯薄膜的转移方法，属于材料加工领域。该方法针对化学气相沉积法(CVD)在镍等金属薄膜上制备的石墨烯，利用稀酸溶液与金属衬底发生反应生成的氢气气泡分离石墨烯层和金属衬底。该方法无需在石墨烯上层覆盖PMMA等聚合物转移载体，因此不会引入聚合物污染物，并可大幅减少石墨烯表面的破损，且剥离过程是由于通过酸性溶液与金属薄膜之间直接的化学反应，可实现金属薄膜上、下表面的石墨烯同时与金属薄膜分离，效率高，无需外接电源、无需利用电化学反应。操作工艺简便，不涉及有害化学物质。并可以多次重复使用金属衬底，大幅降低成本。本发明在大规模制备石墨烯的工业领域中具有较大应用价值。

公开(公告)号：CN102709155A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210112738.8

申请日：2012-04-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 周梦杰 ,  李晨 ,  魏芹芹 ,  魏子钧 ,  任黎明 ,  傅云义 ,  黄如 ,  张兴

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种金属电感的制备方法，属于无线通讯器件领域。该方法利用石墨烯独特的晶体结构和物理特性，通过在电感线圈的金属上包裹一层石墨烯，提高了线圈的抗电迁移能力以及寿命，减少整体铜互连线因电迁移现象所致的性能退化，避免金属电感在制备及使用过程中被氧化。同时因石墨烯具有优良的热传导性能，缓解了电感线圈因局部温度过高而发生的熔断或者是介质击穿的现象。

公开(公告)号：CN1246498C

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN03134816.5

申请日：2003-09-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 王文平 ,  黄如 ,  任黎明 ,  张兴 ,  王阳元

IPC: C23F1/02 ,  C23F1/12 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/465

Abstract: 一种多晶硅栅刻蚀的方法及基于该方法的ICP刻蚀条件来制备超细线条的方法。具体是在硅衬底上依次形成氧化层、多晶硅，并在该多晶硅上面涂置光刻胶层；再通过光刻去除将被刻蚀多晶硅表面的胶层；用对设备危害很小的SF6气体进行ICP刻蚀，通过调节ICP刻蚀参数，刻蚀多晶硅，在保证刻蚀垂直度的同时，提高多晶硅与二氧化硅的刻蚀选择比，防止了在制备超薄体器件时，出现的穿通现象。本发明通过结合电子束曝光、灰化工艺，基于上述ICP刻蚀条件，调节ICP刻蚀的控制参数，通过过刻蚀获得垂直度高的30纳米的超细线条。