-
公开(公告)号：CN101174658A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710185123.7
申请日：2007-10-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/068 , H01L31/022466 , H01L31/1884 , H01L31/1896 , Y02B10/10 , Y02E10/547
Abstract: 一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子中的至少一种注入单晶硅基板的工序；以该离子注入面作为贴合面，经由透明导电性粘结剂，粘结该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序；固化该透明导电性粘结剂成为透明导电性膜，并贴合该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序；对该离子注入层施予冲击，机械性剥离该单晶硅基板，来形成单晶硅层的工序；以及在该单晶硅层形成pn结的工序。由此提供一种单晶硅太阳能电池，于硅太阳能电池中，为了有效活用其原料(硅)而将光变换层制成薄膜，且变换特性优异，并且因光照射产生的劣化少，所以可使用作为住宅等的采光窗材料的透视型太阳能电池。
-
公开(公告)号：CN104701239B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201510117172.1
申请日：2007-11-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L27/1266 , H01L29/78603
Abstract: 本发明提供将高品质的硅薄膜转印在低熔点物质的衬底上而成的半导体衬底。本发明的方法为：以1.5×1017atoms/cm2以上的掺杂量，将氢离子注入单结晶硅衬底(10)的表面(主面)，形成氢离子注入层(离子注入损伤层)(11)。通过此氢离子注入，形成氢离子注入界面(12)。贴合单结晶硅衬底(10)和低熔点玻璃衬底(20)。以120℃以上250℃以下(但是，不超过支持衬底的熔点温度)的比较低的温度，加热贴合状态的衬底，利用赋予外部冲击，将热处理后的贴合衬底，沿着单结晶硅衬底(10)的氢离子注入界面(12)，剥离Si结晶膜。然后，对所得到的硅薄膜(13)的表面进行研磨等，除去损伤，而得到半导体衬底。
-
公开(公告)号：CN101285912B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200810090978.6
申请日：2008-04-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G02B6/132 , G02B6/1347 , G02F1/0126 , G02F1/025 , G02F2202/105 , G02F2203/48 , Y10S438/967
Abstract: 本发明提供一种结构简单且能够调制在光波导管中进行导波的信号光的光波导管装置。其通过在SOI膜12上涂布光阻13来形成光阻罩幕14，然后蚀刻除去未被光阻罩幕14被覆的区域的SOI膜，来得到具有单晶硅芯的光波导管15。而且，在石英基板20的背面侧设置能够对上述的单晶硅芯照射1.1微米以下波长的光线的发光组件而作成光波导管装置。从发光组件30未照射光线时，在光波导管15中进行导波的光线是以原本的状态进行导波，但是若从发光组件30照射光线而在该照射区域16形成电子-空穴对时，由于在光波导管中进行导波的光线被该电子-空穴对吸收，所以通过有无从发光组件30来的光照射，能够进行切换光信号的ON/OFF。
-
公开(公告)号：CN101990697B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200980112677.1
申请日：2009-04-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/187 , H01L21/76254
Abstract: 本发明提供了一种制造贴合基板的方法，所述基板在整个基板表面、特别是贴合终端部附近具有良好的薄膜。第二基板上具有薄膜的贴合基板的制造方法至少包含以下工序：在作为半导体基板的所述第一基板的表面，通过注入氢离子和/或稀有气体离子形成离子注入层的工序；对所述第一基板的离子注入面及所述第二基板的贴合面中的至少一面施以表面活化处理的工序；在湿度30％以下和/或水分含量6g/m3以下的气氛中，将所述第一基板的离子注入面和所述第二基板的贴合面进行贴合的贴合工序；将所述第一基板在所述离子注入层分离，以使所述第一基板薄膜化的剥离工序。
-
公开(公告)号：CN101981654B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200980111732.5
申请日：2009-04-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/683 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供了一种简便地制造SOI基板的方法，所述SOI基板为透明绝缘性基板，所述SOI基板具有：一个主表面，硅薄膜形成于该主表面上；粗糙的主表面，该粗糙的主表面位于形成所述硅薄膜一侧的相对侧。本发明提供了一种制造SOI基板的方法，所述基板至少包含透明绝缘性基板和硅薄膜，所述硅薄膜形成于作为所述透明绝缘性基板一个主表面的第一主表面上，而所述透明绝缘性基板的第二主表面是粗糙的，所述第二主表面为与第一主表面相对侧的主表面。所述方法至少包含下述工序：制备所述透明绝缘性基板的工序，作为所述透明绝缘性基板，所述第一主表面按RMS值计的表面粗糙度小于0.7nm，并且所述第二主表面按RMS值计的表面粗糙度大于所述第一主表面的表面粗糙度；以及在所述透明绝缘性基板的第一主表面上形成硅薄膜的工序。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101521155B
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN200910117817.6
申请日：2009-02-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/50 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供一种在没有使用特殊基板的情况下容易地制备几乎没有晶体缺陷的包括在上面或上方的单晶薄膜的基板的方法。更具体地说，提供一种制备包括形成在处理基板的上面或上方的单晶薄膜的基板的方法，所述方法包括：步骤A：提供供体基板和处理基板；步骤B：在所述供体基板上生长单晶层；步骤C：将离子注入到所述供体基板上的单晶层中，形成离子注入层；步骤D：将注入离子的供体基板的单晶层的表面与所述处理基板的表面粘合；和步骤E：在存在于所述单晶层中的离子注入层处剥离粘合的供体基板，从而在所述处理基板上面或上方形成单晶薄膜；其中，通过使用所述的上面或上方形成有单晶薄膜的处理基板作为供体基板，重复至少步骤A～E。
-
公开(公告)号：CN101188190B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200710186484.3
申请日：2007-11-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L21/84 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L23/00
CPC classification number: H01L21/3247 , H01L21/76254 , H01L29/78603
Abstract: 本发明提供SOQ基板及其制造方法，该制造方法包括：进行离子注入工艺，在硅基板的主面侧形成氢离子注入层；进行表面处理工艺，对石英基板和上述硅基板的至少其中一方的主面进行活性化处理；进行贴合工艺，将上述石英基板的主面与上述硅基板的主面贴合；进行剥离工艺，在不加热情况下从上述贴合基板的上述硅基板机械性地剥离硅薄膜，在上述石英基板的主面上形成硅膜；以及以1000℃以下的温度，对上述硅膜进行氢热处理的工艺。本发明能够抑制SOQ膜的表面粗糙化并提供高品质的SOQ基板。
-
公开(公告)号：CN101286537B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200810090977.1
申请日：2008-04-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/056 , H01L31/068 , H01L31/1892 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光封闭型单晶硅太阳能电池，其以结晶性高的单晶硅作为薄膜的光变换层。一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；于金属基板上形成透明绝缘性层的工序；于上述离子注入面和上述透明绝缘性层表面的至少其中一方，进行表面活化处理的工序；将此两者贴合的工序；机械性剥离上述单晶硅基板以作成单晶硅层的工序；于上述单晶硅层的上述剥离面形成多个第二导电型的扩散区域，并使上述单晶硅层的上述剥离面存在多个第一导电型区域和多个第二导电型区域的工序；于上述单晶硅层的上述多个第一、第二导电型区域上各自形成多个个别电极的工序；形成各集电电极的工序；以及形成透明保护膜的工序。
-
公开(公告)号：CN101174658B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200710185123.7
申请日：2007-10-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/068 , H01L31/022466 , H01L31/1884 , H01L31/1896 , Y02B10/10 , Y02E10/547
Abstract: 一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子中的至少一种注入单晶硅基板的工序；以该离子注入面作为贴合面，经由透明导电性粘结剂，粘结该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序；固化该透明导电性粘结剂成为透明导电性膜，并贴合该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序；对该离子注入层施予冲击，机械性剥离该单晶硅基板，来形成单晶硅层的工序；以及在该单晶硅层形成pn结的工序。由此提供一种单晶硅太阳能电池，于硅太阳能电池中，为了有效活用其原料(硅)而将光变换层制成薄膜，且变换特性优异，并且因光照射产生的劣化少，所以可使用作为住宅等的采光窗材料的透视型太阳能电池。
-
公开(公告)号：CN102414785A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080019226.6
申请日：2010-04-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种贴合晶片的制造方法，在操作基板的热膨胀系数比施主基板大的情况下，也可以进行剥离，而不会在基板上产生裂纹。所述制造方法至少包括下述步骤：从施主基板(3)的表面向所述施主基板(3)注入离子，形成离子注入界面(5)；在所述施主基板(3)的已经注入了离子的表面上，贴合热膨胀系数比所述施主基板(3)大的操作基板(7)，制成贴合基板；对所述贴合基板进行热处理，制成接合体(1)；和当所述接合体(1)由冷却装置(20)冷却到室温以下的温度后，在所述离子注入界面上剥离所述接合体(1)的所述施主基板(3)，将施主膜转印到所述操作基板(7)上。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
58
records
(took 0.034 seconds)
