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公开(公告)号：CN114613929A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210219590.1
申请日：2022-03-08
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种优化反型结构量子点发光二极管性能的制备方法，上述器件结构从下到上依次为ITO层、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和金属电极，量子点发光层经过特殊处理能够使得整体器件的各项性能得到极大的提升，且这种处理方式操作便捷，方法简单，利于推广。
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公开(公告)号：CN114597321A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210214350.2
申请日：2022-03-07
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种修饰无铅金属卤化物发光二极管中空穴注入层的方法。上述无铅金属卤化物发光二极管从下到上依次为：ITO层、修饰的空穴注入层、无铅金属卤化物发光层、电子注入层、电极修饰层和金属电极。上述修饰的空穴注入层是通过聚苯乙烯磺酸钠（Poly(sodium‑p‑styrenesulfonate)，PSSNa）水溶液与PEDOT:PSS掺杂而形成的。该修饰材料，能够减少空穴注入，平衡载流子传输，钝化表面缺陷，操作方便，容易控制，价格低廉。基于修饰空穴注入层的无铅金属卤化物发光二极管，性能显著提升。
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公开(公告)号：CN114171687A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202010944660.0
申请日：2020-09-10
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种无镉基量子点发光二极管制备方法，所述的无镉基量子点发光二极管包括：阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、阴极；所述的阳极为ITO导电玻璃，所述的空穴注入层为PEDOT:PSS，所述的空穴传输层为Poly‑TPD，所述的量子点发光层为InP，所述的电子传输层为ZnMgO，所述的阴极材料为Ag。制备方法包括，清洗ITO导电玻璃，依次在ITO导电玻璃旋涂PEDOT:PSS、Poly‑TPD、InP量子点、ZnMgO，最后真空蒸镀阴极Ag层，完成器件制备。进一步对器件进行封装获得无镉基量子点发光二极管。本发明采用ZnMgO材料作为电子传输层，有效改善了载流子迁移率，促进载流子平衡，并且通过功能层厚度调控，优化了载流子的注入和传输，进而提高了器件性能。
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公开(公告)号：CN113583514A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110910595.4
申请日：2021-08-09
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种打印墨水和喷墨打印方法，该打印墨水包括有机无机杂化锰卤化物、溶解剂和増粘剂，所述有机无机杂化锰卤化物的结构为(R1R2R3R4A)2[MnX4]，其中，R1、R2、R3和R4相同或不同，独立的选自：C1～C4烷基、芳基、杂芳基，上述C1～C4烷基、芳基、杂芳基可以任选被取代基取代，所述取代基为卤素、C1～C4烷基、芳基或杂芳基；A为N、P或As；X任选为F、C1、Br或I；所述溶解剂和増粘剂为打印墨水的溶剂成分，溶解剂的体积比例为5％～50％，増粘剂的体积比例为95％～50％。使用该打印墨水在优化驱动波形后，可以实现了无卫星点无拉丝的稳定喷射，在打印衬底上形成高质量的图案。
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公开(公告)号：CN113013367A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202110226911.6
申请日：2021-03-01
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿发光二极管及其PEDOT:PSS层的修饰方法。上述钙钛矿发光二极管从下到上依次为:ITO层、修饰的PEDOT:PSS层、钙钛矿发光层、电子注入层、电极修饰层和金属电极。上述修饰的PEDOT:PSS层是通过聚苯乙烯磺酸钠(Poly(sodium‑p‑styrenesulfonate)average,PSSNa)水溶液与PEDOT:PSS掺杂而形成。该修饰材料，能够提高空穴注入水平，平衡载流子传输，钝化表面缺陷，操作方便，容易控制，价格低廉。基于修饰PEDOT:PSS层的钙钛矿发光二极管，亮度和外量子效率显著提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110148658A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910450605.3
申请日：2019-05-28
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明设计一种新型光耦器件，包括接受已知电信号并将其转换为光信号的量子点发光二极管（QLED）发光部分，接受QLED发出的光信号并将其转换成可检测电信号的有机光敏器件，以及位于两者之间的连接部分。本发明克服了现有光耦器件由于使用的材料及其结构上存在的缺陷和不足，提出利用QLED以及有机光敏器件制造光耦，其制备工艺简单，可大面积制备，可用于制备全柔性光耦，同时QLED拥有优异的颜色纯度、高亮度、低工作电压以及易加工等特点。
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公开(公告)号：CN110138379A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910513844.9
申请日：2019-06-14
Applicant: 中国计量大学
IPC: H03K19/0175 , H01L25/16
Abstract: 本专利涉及柔性光电耦合器，其包括有机发光源、透光材料、有机受光源、柔性压力传感元件、信号处理电路、不透光材料和柔性基底，所述有机发光源的发光位置与有机受光源的受光位置相对，中间通过透光材料传输光，所述柔性压力传感元件放置在有机受光源的下面，上述材料全部为柔性材料且形成的电路模块与信号处理电路连接，然后被柔性不透光材料覆盖形成柔性光电耦合器，所述的柔性光电耦合器印刷在柔性基底上。本专利能提供一种柔性可弯曲的光电耦合器，并减小柔性光电耦合器在发生弯曲时对信号的影响。
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公开(公告)号：CN108760243A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810957747.4
申请日：2018-08-22
Applicant: 中国计量大学
CPC classification number: G01M11/00 , G01R31/2635
Abstract: 本发明涉及一种应用于OLED材料和器件结构测试的单元，包括基板、ITO电极层、有机层、阴极、玻璃罩；ITO电极印刷于基板上表面；有机层呈方形蒸镀在ITO电极层表面，其中ITO电极层裸露出长度不多于2厘米部分在有机层之外；阴极蒸镀于有机层表面，且裸露长3‑5毫米在有机层区域之外连接ITO电极层；玻璃罩盖住ITO电极层，有机层，阴极并与基板粘连，其中ITO电极层有距基板边缘3‑5毫米未覆盖；ITO电极层呈中心发散形，且发散端为方形；ITO电极层与阴极交叠重合区域为待测圆形区域。本发明结可消除材料损耗电阻率变化对后续测量点的影响，测试同一材料不同发光面积的发光特性，指导进行OLED材料和器件结构选择和设计。
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公开(公告)号：CN217361586U
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202220759214.7
申请日：2022-04-01
Applicant: 中国计量大学
IPC: H01L27/30 , H01L27/28 , H01L31/0687
Abstract: 一种用于在以玻璃等刚性材料为衬底的CIGS太阳能电池器件中通过化学水浴沉积法制作缓冲层薄膜的装置，包括：双面化学水浴沉积容器、玻璃基板架。将玻璃基板放入第一玻璃基板承载模板的定位卡孔中，使模板固定盖上的滑槽与第一玻璃基板承载模板的滑轨相连接，将放置好玻璃基板的第二玻璃基板承载模板的滑轨与模板固定盖另一面滑槽也相连接后，构成玻璃基板架，将玻璃基板架插入双面化学水浴沉积容器的滑槽中，将反应液倒入双面化学水浴沉积容器中，并将其置于水浴加热环境中沉积薄膜。通过双面化学水浴沉积容器的扁长方体结构使得玻璃基板受热快速且均匀，最终通过玻璃基板承载模板的沉积窗在基板上沉积上平整光滑薄膜。
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