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公开(公告)号：CN111834889B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202010719942.0
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种等离激元回音壁光泵激光器及其制备方法，所述等离激元回音壁光泵激光器包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底上；回音壁谐振腔，位于所述缓冲层上；由下至上依次包括：底部多孔DBR层、n型掺杂GaN层、有源层、电子阻挡层、p型掺杂GaN层；金属颗粒层，形成于所述回音壁谐振腔的侧壁上，用于产生等离激元。本发明采用底部多孔DBR层反射镜对回音壁谐振腔的光场有很好的垂直方向的限制作用，因而该发明制备的回音壁光泵激光器阈值功率密度较低；此外，包裹在回音壁谐振腔侧壁的金属颗粒会产生等离激元将回音壁模式的光场更好的限制在谐振腔中，进一步降低了阈值功率密度，本发明有助于实现小尺寸低阈值激光器。
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公开(公告)号：CN111769182B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202010666521.6
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种表面等离激元GaN基LED外延结构及其制备方法和应用，该表面等离激元GaN基LED外延结构包括一衬底；一缓冲层；一n型GaN层；一InGaN/GaN多量子阱有源区；‑介质隔离层；‑金属颗粒层；‑介质盖层；一电子阻挡层；以及一p型GaN层。本发明的表面等离激元GaN基LED外延结构包含不多于三对量子阱，由于等离激元与距离其最近的量子阱也即最靠近pgan的量子阱耦合效率最高，因而减小量子阱数目可实现载流子与等离激元耦合的最大化耦合，减小了量子阱增多带来的无效耦合，极大提高辐射复合速率。
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公开(公告)号：CN109440180B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201811182263.3
申请日：2018-10-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种多孔III族氮化物及其制备方法，该制备方法包括：在掺杂的III族氮化物薄膜表面沉积一层保护层；利用光刻技术在保护层上表面形成图案化的光刻胶；刻蚀没有光刻胶覆盖的保护层至III族氮化物薄膜表面，暴露III族氮化物；刻蚀暴露的III族氮化物表面至预设深度；将所得III族氮化物作为阳极，进行电化学腐蚀，电化学腐蚀期间施加周期性变化的工作电压，制备具有准周期性的多孔III族氮化物。本发明可成功制备具有准周期性的多孔III族氮化物，通过控制电化学腐蚀过程中工作电压的大小及电压变化周期，可实现孔大小、孔的形状以及周期的调控，方法简单且易操作。
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公开(公告)号：CN111834889A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010719942.0
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种等离激元回音壁光泵激光器及其制备方法，所述等离激元回音壁光泵激光器包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底上；回音壁谐振腔，位于所述缓冲层上；由下至上依次包括：底部多孔DBR层、n型掺杂GaN层、有源层、电子阻挡层、p型掺杂GaN层；金属颗粒层，形成于所述回音壁谐振腔的侧壁上，用于产生等离激元。本发明采用底部多孔DBR层反射镜对回音壁谐振腔的光场有很好的垂直方向的限制作用，因而该发明制备的回音壁光泵激光器阈值功率密度较低；此外，包裹在回音壁谐振腔侧壁的金属颗粒会产生等离激元将回音壁模式的光场更好的限制在谐振腔中，进一步降低了阈值功率密度，本发明有助于实现小尺寸低阈值激光器。
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公开(公告)号：CN108987500B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201810722928.9
申请日：2018-07-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 一种金属纳米线和多孔氮化物复合材料半导体，包括：衬底；缓冲层，位于衬底之上；复合材料层，位于所述缓冲层之上，包括横向多孔氮化物模板层，以及填充于其多孔中的金属纳米线，上述复合材料半导体的制备方法包括：步骤1：在衬底上生长制备缓冲层和n型氮化物外延层；步骤2：将步骤1所制备的n型氮化物外延层制成横向多孔氮化物模板层；步骤3：在步骤2所制备的横向多孔氮化物模板层的孔中制备金属纳米线，得到复合材料层，制成金属纳米线和多孔氮化物复合材料半导体，以缓解现有技术中半导体材料在光电化学反应过程中易被腐蚀，利用局域表面等离子体增强效应提高半导体内部材料的光电特性时制备工艺复杂，易损伤体材料等技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105609602B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201511005814.5
申请日：2015-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种可见光通信用倒装RCLED，所述倒装RCLED包括LED芯片和倒装基板，LED芯片包括：芯片衬底、缓冲层、构成谐振腔的氮化物DBR层和氧化物DBR层、n型半导体层、有源区、p型半导体层、透明导电层和p、n电极；所述倒装基板由下至上依次包括支撑衬底、绝缘层以及互相绝缘隔离的P、N电极焊盘；所述LED芯片通过金属焊球或共晶焊分别与所述倒装基板的P、N电极焊盘电连接。本发明有利于获得高品质因子的短腔长倒装RCLED，从而协同改善LED的频率响应和量子效率，满足光通信用高光效、高带宽的光源需求。
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公开(公告)号：CN106848838A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710220057.6
申请日：2017-04-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于多孔DBR的GaN基VCSEL芯片，包括：一衬底；制作在衬底上的缓冲层；制作在缓冲层上的底部多孔DBR层；制作在底部多孔DBR层上的n型掺杂GaN层及外围向下刻蚀形成有台面；制作在n型掺杂GaN层上的有源层；制作在所述有源层上的电子阻挡层；制作在电子阻挡层上的p型掺杂GaN层；制作在p型掺杂GaN层上的电流限制层，其中心形成有电流窗口，且电流限制层覆盖有源层、电子阻挡层和n型掺杂GaN层凸起部分的侧壁；制作在p型掺杂GaN层上的透明电极；制作在n型掺杂GaN层台面上的n电极；制作在透明电极上的p电极，中间形成有凹缺；制作在p电极凹缺内透明电极上的介质DBR层。
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公开(公告)号：CN106653893A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201710053207.9
申请日：2017-01-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/108 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1085 , H01L31/03044 , H01L31/1856
Abstract: 本发明提供了一种多孔氮化镓的紫外光电探测器，包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底之上；n型多孔氮化镓层，位于所述缓冲层之上；一对电极，分别叠置于所述型多孔氮化镓层之上。此外，本发明还提供了一种多孔氮化镓的紫外光电探测器的制备方法，包括：在衬底上生长缓冲层；在缓冲层上制备n型多孔氮化镓层；在n型多孔氮化镓层上生长一对电极。本发明采用多孔氮化镓结构，使得氮化镓与电极形成的肖特基结界面处会有大量的表面态密度，降低结势垒高度，增强光效应。
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公开(公告)号：CN103763825B
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201410010264.5
申请日：2014-01-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明提供了一种LED恒流PWM驱动电路及三基色LED混光驱动电路。该LED恒流PWM驱动电路包括：三端双向开关电路，与交流电源相连接，用于将交流电源提供的正弦交流信号转换成正弦斩波波形信号；PWM波形信号产生电路，与所述三端双向开关电路相连接，用于利用所述正弦斩波波形信号产生PWM波形信号；LED恒流驱动电路，与所述PWM波形信号产生电路相连接，用于利用所述PWM波形信号控制LED光源的导通和关断，从而实现LED的恒流PWM驱动。本发明中，三端双向开关电路直接驱动负载为阻性负载，不是容性负载，因而该技术方案能保证高功率因子，不会影响整个电网的质量。
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公开(公告)号：CN103325900B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201310193912.0
申请日：2013-05-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明一种表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法，其中表面等离激元增强GaN基纳米柱LED，包括：一衬底；一GaN基LED结构纳米柱阵列，其制作在衬底上，该GaN基LED结构纳米柱阵列的一侧有一台面；一纳米柱侧壁隔离层，其制作在GaN基LED结构纳米柱阵列的侧壁上；一三明治结构填充层，其制作在纳米柱侧壁隔离层外，且填满GaN基LED结构纳米柱阵列的间隙，形成基片；一p面电极，其制作在基片的上表面；一n面电极，其制作在台面上。本发明可以独立于材料生长过程实现表面等离激元与GaN基LED的耦合，并且可以实现小于10nm的近距离耦合。
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