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公开(公告)号：CN107305919A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201610239452.4
申请日：2016-04-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007
Abstract: 一种P型氮化镓的制备方法，包括：(1)准备衬底；(2)在所述衬底上制备外延层，包括制备重度掺杂P型氮化镓层，其中制备重度掺杂P型氮化镓层时反应室压强为30Torr-100Torr。以及一种P型氮化镓和半导体器件。该制备方法工艺简单，通过控制反应室的压强控制碳杂质浓度，同时直接利用金属有机化合物中的碳作为碳源，不需要额外引入新的掺杂材料。
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公开(公告)号：CN104658829B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510094612.6
申请日：2015-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01J1/304
Abstract: 一种阶梯状组分渐变的AlN薄膜型冷阴极，包括：一n型SiC衬底；一n型金属电极，其制作在n型SiC衬底下表面；一AlN薄膜型冷阴极，其外延生长在n型SiC衬底上；一金属阳极，其位于AlN薄膜型冷阴极的上面，且不与AlN薄膜型冷阴极接触；一高压源，其正极连接金属阳极；一电流计，其正极连接高压源，负极与n型金属电极连接。本发明是利用负电子亲和势的优势，将电子发射到真空中。
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公开(公告)号：CN104658831B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510094671.3
申请日：2015-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01J1/304
Abstract: 一种小型化、集成化的硅基场发射-接收器件，包括：一n型硅衬底；一纳米尖端结构，其制作于n型硅衬底上表面的中间部位，其材料与n型硅衬底的材料相同；一二氧化硅绝缘层，其制作于n型硅衬底上，其中间有一电子发射-接收窗口，该电子发射-接收窗口围绕在纳米尖端结构的周围；一n型掺杂硅片，其制作在二氧化硅绝缘层上，且覆盖二氧化硅绝缘层上的电子发射-接收窗口；一高压源，其正极与n型掺杂硅片连接；一电流表，其正极与高压源连接，负极与n型硅衬底连接。本发明有利于提高大规模研制真空微纳器件过程中的性能和成品率。
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公开(公告)号：CN105449522A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201511001357.2
申请日：2015-12-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种绿光激光器外延片，其从下向上的顺序依次包括：蓝宝石衬底、低温成核层、高温非掺杂GaN层、高温n型GaN层、高温n型AlGaN限制层、非掺杂下波导层、InGaN/GaN多量子阱发光层结构、p型AlGaN电子阻挡层、非掺杂上波导层、p型AlGaN限制层、p型GaN层。本发明通过降低V型缺陷的密度，减少高In组分InGaN量子阱中富In区的密度，提高量子阱的In组分均匀性，从而提高绿光激光器中InGaN/GaN多量子阱的热稳定性，为制备高性能的绿光激光器奠定基础。
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公开(公告)号：CN105047772A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510309152.4
申请日：2015-06-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0075 , H01L33/14 , H01L33/32
Abstract: 一种绿光LED芯片外延层的结构，包括：一衬底；一GaN缓冲层，其生长在衬底上；一非掺杂GaN层，其生长在GaN缓冲层上；一N型GaN层，其生长在非掺杂GaN层上；一第一阶梯层，其生长在N型GaN层上；一多量子阱区，其生长在第一阶梯层上；一第二阶梯层，其生长在多量子阱区上；一P型GaN层，其生长在第二阶梯层上；一欧姆接触层，其生长在P型GaN层上。本发明通过在MQW区内采用InGaN垒层以及增加阶梯层结构，提高空穴的注入效率，减少电子的泄露，同时减小量子阱中的QCSE效应，实现对绿光LED发光效率的提升和对droop效应的抑制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104658831A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510094671.3
申请日：2015-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/3042 , H01J2201/30403 , H01J2201/3048
Abstract: 一种小型化、集成化的硅基场发射-接收器件，包括：一n型硅衬底；一纳米尖端结构，其制作于n型硅衬底上表面的中间部位，其材料与n型硅衬底的材料相同；一二氧化硅绝缘层，其制作于n型硅衬底上，其中间有一电子发射-接收窗口，该电子发射-接收窗口围绕在纳米尖端结构的周围；一n型掺杂硅片，其制作在二氧化硅绝缘层上，且覆盖二氧化硅绝缘层上的电子发射-接收窗口；一高压源，其正极与n型掺杂硅片连接；一电流表，其正极与高压源连接，负极与n型硅衬底连接。本发明有利于提高大规模研制真空微纳器件过程中的性能和成品率。
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公开(公告)号：CN104658829A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510094612.6
申请日：2015-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/304 , H01J2201/3048 , H01J2201/30488
Abstract: 一种阶梯状组分渐变的AlN薄膜型冷阴极，包括：一n型SiC衬底；一n型金属电极，其制作在n型SiC衬底下表面；一AlN薄膜型冷阴极，其外延生长在n型SiC衬底上；一金属阳极，其位于AlN薄膜型冷阴极的上面，且不与AlN薄膜型冷阴极接触；一高压源，其正极连接金属阳极；一电流计，其正极连接高压源，负极与n型金属电极连接。本发明是利用负电子亲和势的优势，将电子发射到真空中。
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公开(公告)号：CN102064258A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200910237781.5
申请日：2009-11-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/22 , H01L31/18 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明一种GaN基光电子器件表面粗化的制作方法，包括：步骤1：取一衬底；步骤2：在该衬底上依次外延生长n型层、i型层及p型层；步骤3：利用纳米加工技术，在p型层上加工形成纳米柱阵列；步骤4：在该纳米柱阵列上外延生长p型表面粗化层。
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公开(公告)号：CN101898751A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200910085917.5
申请日：2009-05-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C01B21/00 , C01B21/06 , C01B21/064 , B82B3/00
Abstract: 一种III族氮化物纳米材料的生长方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上依次外延生长GaN模板、SiO2层和Ni金属膜；步骤2：采用两步快速热退火方法，使Ni金属膜形成自组织的纳米尺寸Ni颗粒；步骤3：用自组织的纳米尺寸Ni颗粒作掩模，采用干法刻蚀SiO2层，形成SiO2纳米柱；步骤4：用自组织的纳米尺寸Ni颗粒以及刻蚀形成的SiO2纳米柱做作掩模，采用干法刻蚀GaN模板，形成GaN纳米柱阵列；步骤5：用BOE溶液去除SiO2纳米柱以及其上的纳米尺寸Ni颗粒，得到GaN纳米柱阵列；步骤6：在GaN纳米柱阵列上及其侧壁和纳米柱阵列的底部生长InN或InGaNIII族氮化物半导体材料。
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公开(公告)号：CN101872798A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010183403.6
申请日：2010-05-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种紫外红外双色探测器及制作方法。该紫外红外双色探测器包括：一衬底，在该衬底上进行紫外红外双色探测器用材料结构的生长；一缓冲层，生长在衬底之上；一第一n型欧姆接触层，生长在缓冲层之上，用于欧姆接触；由相互交替生长的第一本征层与重掺杂n型层构成的多周期层；一第二n型欧姆接触层，生长在多周期层之上，部分区域作为n型欧姆接触电极用；一禁带宽度为Eg3的本征层，生长在第二n型欧姆接触层之上，且Eg3≤Eg2；一透明电极，形成于禁带宽度为Eg3的本征层之上；一上电极，形成于透明电极上一小区域；一中电极，形成于第二n型欧姆接触层的电极窗口；以及一下电极，形成于第一n型欧姆接触层的电极窗口。
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