公开(公告)号：CN101211958A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710172703.2

申请日：2007-12-21

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 张燕 ,  孙璟兰 ,  王妮丽 ,  李向阳 ,  陈杰 ,  刘向阳 ,  韩莉 ,  孟祥建

IPC: H01L27/16 ,  H01L27/144 ,  H01L31/09 ,  H01L37/00 ,  G01J1/00 ,  G01J5/00

Abstract: 本发明公开了一种AlGaN－PZT焦平面探测器，它采用两种不同响应波段材料同相叠加集成结构。利用多层薄膜结构中不同层对于不同光子能量的光吸收的差别，实现了在紫外到红外的宽波段吸收和高分辨率的有机结合。外延层AlGaN作为紫外吸收层，吸收能量大于其禁带宽度的入射光子，并转化为光电流；同时作为窗口层，使能量小于其禁带宽度的入射光子透过。透过的光子被LaNiO3吸收转化为热量，传递给PZT材料，利用热释电性质，得到光信号。本发明的优点是：适应大规模焦平面应用，并且可以室温工作。

公开(公告)号：CN100365776C

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200510029985.1

申请日：2005-09-23

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 褚君浩 ,  张晓东 ,  孟祥建 ,  孙璟兰 ,  林铁

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3105 ,  C23C14/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种可与读出电路集成的锆钛酸铅铁电薄膜材料的制备方法，该方法是通过低温原位磁控溅射生长，然后，进行高压低温处理而实现的。本发明方法的最大优点是：在400℃的低温下，可以得到高度(100)取向的纯钙钛矿相PZT薄膜，并具有很好的铁电性；重复性好，整个制备和处理温度在450℃以下，能直接沉积在读出电路上，和铁电微器件的单片集成工艺相兼容。

公开(公告)号：CN1171080C

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN02136155.X

申请日：2002-07-23

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 褚君浩 ,  陈敏挥 ,  孙璟兰 ,  王根水 ,  严立平 ,  史国良 ,  林铁 ,  孟祥建 ,  陈静 ,  郭少令

IPC: G01J5/00 ,  G01N27/00 ,  H01L31/00

Abstract: 发明公开了一种用于热释电薄膜材料热释电系数的测量装置及方法。其特征在于：本发明利用了电压法中以正弦函数周期调制样品温度的方法和电流法中利用通用仪器直接测量热释电电流的优点及数字化低频锁相放大器的应用技术，设计一套简便易行的高灵敏度热释电薄膜材料的热释电系数测量装置及方法。测量装置包括：样品台，控制样品台温度的控温电源，温度传感器，恒流源，测量样品的热释电电流的静电计及锁相放大器。本发明的测量装置最大优点是结构简单，数据处理简便，所得信号由锁相放大器处理，测量灵敏度可提高1-2个量级。

公开(公告)号：CN1152439C

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN01139083.2

申请日：2001-12-07

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 孟祥建 ,  孙璟兰 ,  王根水 ,  郭少令 ,  褚君浩

IPC: H01L41/24 ,  H01L41/187 ,  C04B41/87

Abstract: 本发明提供了一种镍酸镧导电金属氧化物薄膜材料的制备方法，该方法包括：前驱体溶液的配制，即将溶剂醋酸、去离子水和添加剂甲酰胺与溶质醋酸镍、硝酸镧以0.3M的浓度在一定的温度下混合得到前驱体溶液和薄膜材料的制备，即将配制好的前驱体溶液采用旋转镀膜方式在基片上得到凝胶膜，然后在快速退火炉中分段进行热处理，形成薄膜材料。用该方法得到的薄膜具有高度的择优取向和良好的金属特性，在室温下的电阻率约为7.6×10-4Ωcm。用该薄膜可在其上制备出高质量的铁电薄膜材料或可作为铁电薄膜器件的底电极。

公开(公告)号：CN205723636U

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201620318427.0

申请日：2016-04-15

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王建禄 ,  胡伟达 ,  王旭东 ,  孙璟兰 ,  孟祥建 ,  陈效双 ,  陆卫 ,  褚君浩

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本专利公开了一种铁电局域场增强型二维半导体光电探测器。其特征在于，器件结构自下而上依次为是衬底、二维半导体，金属源漏电极、铁电功能层和半透金属上电极。器件制备步骤是在衬底上制备过渡金属硫族化合物二维半导体，运用紫外光刻或电子束光刻的方法结合剥离工艺制备金属电极作为半导体沟道的源极和漏极，然后在该结构上制备铁电薄膜，随后在铁电薄膜上制备半透明或透明电极，形成二维半导体探测器结构。器件首先需要通过极化铁电材料，使得二维半导体沟道背景载流子完全耗尽，源极和漏极间施加一微小电压，通过测量光照下的电流信号变化，进而实现光电探测。该探测器具有高灵敏、快速响应、稳定性好、低功耗及宽光谱探测等特点。

公开(公告)号：CN206789549U

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201720603921.6

申请日：2017-05-27

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王建禄 ,  王旭东 ,  孟祥建 ,  沈宏 ,  林铁 ,  孙硕 ,  孙璟兰 ,  褚君浩

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/34 ,  H01L21/445

Abstract: 本专利公开了一种二维半导体负电容场效应管。器件结构自下而上依次为衬底、二维半导体、金属源漏电极、具有负电容效应的铁电栅电介质和金属栅电极。首先在衬底上制备过渡金属硫族化合物二维半导体，运用电子束光刻技术结合剥离工艺制备金属源漏电极，在该结构上制备具有负电容效应的铁电薄膜，最后在该薄膜上制备金属栅电极，形成铁电调控的二维半导体负电容场效应器件结构。区别于其它二维半导体负电容场效应器件结构，该金属-铁电-半导体结构可实现高性能的负电容场效应器件。电学测试结果表明，此类器件的亚阈值摆幅远小于60mV/dec，突破了玻尔兹曼极限，该类二维半导体负电容场效应器件同时具备极低功耗、高速翻转等特点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207529954U

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201721095156.8

申请日：2017-08-30

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王建禄 ,  陈艳 ,  王旭东 ,  孟祥建 ,  沈宏 ,  林铁 ,  孙璟兰 ,  褚君浩

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/18

Abstract: 本专利公开了一种二维范德华异质结光电探测器。器件结构自下而上依次为衬底、两种二维半导体构成的异质结构及金属源漏电极。首先在衬底上制备一种二维半导体，在此基础上转移另外一种二维半导体至底层半导体表面，两种半导体通过范德华力结合，形成范德华异质结，再运用电子束光刻技术结合剥离技术制备金属电极，最终形成范德华异质结构光电探测器。区别于其他二维材料光电探测器，该结构制备工艺简单，成本低，无须栅压调控，在小偏压下实现探测，功耗极低，且可拓展探测器响应波段、提高灵敏度和实现快速响应。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN202534698U

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201220104944.X

申请日：2012-03-19

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 孟祥建 ,  王建禄 ,  孙璟兰 ,  林铁 ,  沈宏 ,  韩莉 ,  褚君浩

IPC: H01L51/42

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本实用新型公开一种铁电隧道结室温红外探测器。其特征在于，器件结构自下而上依次为是衬底、金属底电极、铁电功能层和半透金属上电极。器件制备步骤是在柔性薄膜衬底表面蒸发或溅射金属作为底电极，然后在底电极表面运用LB法生长厚度1-6纳米PVDF基聚合物薄膜作为铁电功能层，随后在铁电功能层上运用蒸发或溅射方法制备金属上电极形成铁电隧道结，最后减薄衬底。器件是通过通入微小恒定电流，光照下测量电极两端电压实现红外探测。该探测器具有根据应用环境和探测目标的需求温度系数大小与极性可调，无需对入射辐射调制等特性。