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公开(公告)号：CN104409626A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410546469.5
申请日：2014-10-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种PVDF基高压电系数薄膜的制备方法。其特征在于，将PVDF基有机铁电聚合物溶入二甲基亚砜溶液中，通过朗缪尔-布罗基特方法，逐层交替地将不同的PVDF基有机铁电聚合物转移至衬底上，经过退火处理，去除界面残留溶剂及保证薄膜具有良好结晶特性，形成一种PVDF基有机聚合物复合结构。本发明制备PVDF基高压电系数薄膜结构，方法及工艺简单，可精确控制单层薄膜厚度，为研究PVDF基有机铁电聚合物复合结构的压电性能提供了保证。实验发现，PVDF基有机铁电聚合物复合结构的压电系数得到显著提高。
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公开(公告)号：CN103848997A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410020895.5
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种PVDF基有机铁电聚合物超晶格制备方法。将PVDF基有机铁电聚合物溶入二甲基亚砜溶液中，通过朗缪尔-布罗基特方法，交替厚度可调节地将不同的PVDF基有机铁电聚合物转移至衬底上，经过退火处理，去除界面残留溶剂及保证超晶格具有良好结晶特性，形成一种PVDF有机聚合物超晶格结构。本发明制备PVDF基有机铁电聚合物超晶格，方法及工艺简单，可精确控制单层薄膜厚度，为研究PVDF基有机铁电聚合物超晶格结构的奇特相变、电学及光学特性以及相关器件提供了保证。
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公开(公告)号：CN103848644A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410020941.1
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种银纳米颗粒掺杂P(VDF-TrFE)复合薄膜的制备方法，其步骤如下：将偏聚二氟乙烯二元衍生聚合物P(VDF-TrFE)水浴溶解于丁酮溶剂，静置凝胶后得到P(VDF-TrFE)的丁酮溶液；将硝酸银粉末溶解于有机溶剂，超声振荡后静置得到硝酸银溶液；移取定量体积P(VDF-TrFE)的丁酮溶液与硝酸银溶液混合，超声振荡后静置得到AgNO3与P(VDF-TrFE)复合前驱液；在加热的衬底上将AgNO3与P(VDF-TrFE)复合前驱液旋涂成膜，置于氮气保护的高温烘箱中退火得到Ag掺杂的P(VDF-TrFE)复合薄膜。本发明制备工艺简单，成本较低，所得薄膜中银颗粒直径约15～30nm，且分布均匀，含银复合薄膜较之纯P(VDF-TrFE)薄膜具有矫顽场低、相对介电常数高、剩余极化强度高等优点。
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公开(公告)号：CN103346250A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310281825.0
申请日：2013-07-05
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 , 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明涉及探测器技术领域，尤其是热释电薄膜红外焦平面探测器芯片，其从下至上依次包括衬底、黏合层、绝热支撑结构、下电极、光敏元、上电极和红外吸收层；所述绝热支撑结构包括：隔热层，所述隔热层包括上下交替层叠的SiO2纳米阵列和TiO2纳米阵列；形成在所述隔热层表面的过渡支撑层，所述过渡支撑层包括从下至上依次层叠的若干层SiO2过渡结构，以及沉积在所述SiO2过渡结构表面的HfO2膜；所述过渡支撑层的孔隙率从下至上逐渐降低。本发明制备方法简单，灵活调节控制绝热支撑结构的孔隙率，有效降低探测器芯片的热导率，在满足探测器对绝热支撑结构应力释放要求的同时提高探测器的灵敏度、稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN103881119B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410020982.0
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种PVDF基有机铁电聚合物纳米管的制备方法。其特征在于，通过运用阳极氧化铝纳米模版，将聚偏氟乙烯基聚合物溶液滴至阳极氧化铝纳米模板上表面，通过退火处理，使其溶剂挥发，后加热至使表面残留有机铁电聚合物其熔融，利用纳米模版的毛细管及熔融态聚偏氟乙烯基铁电聚合物自身重力作用，聚偏氟乙烯基聚合物浸润模版，待聚合物冷凝后，聚偏氟乙烯基聚合物纳米管形成，最后运用氢氧化钠溶液腐蚀掉阳极氧化铝纳米模板，得到聚偏氟乙烯基铁电聚合物纳米管。本发明模板法制备PVDF基有机铁电聚合物纳米管，方法及工艺简单，易于控制纳米管径向尺寸，为研究PVDF基有机铁电聚合物纳米管的奇异物理特性和相关器件提供了可能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103539956A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310469956.1
申请日：2013-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种PVDF基有机铁电聚合物纳米线的制备方法。通过运用阳极氧化铝纳米模版，将聚偏氟乙烯基聚合物溶液滴至阳极氧化铝纳米模板上表面，通过退火处理，使其溶剂挥发，后加热至使表面残留有机铁电聚合物其熔融，利用纳米模版的毛细管及熔融态聚偏氟乙烯基铁电聚合物自身重力作用，聚偏氟乙烯基聚合物填充满整个模版，待聚合物冷凝后，聚偏氟乙烯基聚合物纳米线形成，最后运用氢氧化钠溶液腐蚀掉阳极氧化铝纳米模板，得到聚偏氟乙烯基铁电聚合物纳米线。本发明模板法制备PVDF基有机铁电聚合物纳米线，方法及工艺简单，易于控制纳米线径向尺寸，为研究PVDF基有机铁电聚合物纳米线的奇异物理特性和相关器件提供了可能。
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公开(公告)号：CN104362252A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410546599.9
申请日：2014-10-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: H01L51/05 , H01L51/0034 , H01L51/10
Abstract: 本发明公开一种基于二硫化钼薄膜的PVDF基铁电场效应管的制备方法。其特征在于，在热氧化生长SiO2的Si衬底上制备MoS2薄膜，然后采用光刻、lift off方法刻蚀出场效应管结构的源漏电极，然后将聚偏氟乙烯基有机铁电聚合物薄膜转移至有源漏电极的MoS2薄膜上，经过退火处理，去除界面残留溶剂及保证薄膜具有良好结晶特性。最后再通过光刻、刻蚀方法制备金属栅电极从而制备完成MoS2铁电场效应晶体管器件，本发明制备一种有机铁电场效应晶体管结构，方法及工艺简单，为研究铁电极化调控MoS2的电子输运特性以及相关光电、存储器件提供了保证。
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公开(公告)号：CN103881119A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410020982.0
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种PVDF基有机铁电聚合物纳米管的制备方法。其特征在于，通过运用阳极氧化铝纳米模版，将聚偏氟乙烯基聚合物溶液滴至阳极氧化铝纳米模板上表面，通过退火处理，使其溶剂挥发，后加热至使表面残留有机铁电聚合物其熔融，利用纳米模版的毛细管及熔融态聚偏氟乙烯基铁电聚合物自身重力作用，聚偏氟乙烯基聚合物浸润模版，待聚合物冷凝后，聚偏氟乙烯基聚合物纳米管形成，最后运用氢氧化钠溶液腐蚀掉阳极氧化铝纳米模板，得到聚偏氟乙烯基铁电聚合物纳米管。本发明模板法制备PVDF基有机铁电聚合物纳米管，方法及工艺简单，易于控制纳米管径向尺寸，为研究PVDF基有机铁电聚合物纳米管的奇异物理特性和相关器件提供了可能。
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公开(公告)号：CN107195681A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710388117.5
申请日：2017-05-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L21/34 , H01L21/445
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/445 , H01L29/516 , H01L29/66969
Abstract: 本发明公开了一种二维半导体负电容场效应管及制备方法。器件结构自下而上依次为衬底、二维半导体、金属源漏电极、具有负电容效应的铁电栅电介质和金属栅电极。首先在衬底上制备过渡金属硫族化合物二维半导体，运用电子束光刻技术结合剥离工艺制备金属源漏电极，在该结构上制备具有负电容效应的铁电薄膜，最后在该薄膜上制备金属栅电极，形成铁电调控的二维半导体负电容场效应器件结构。区别于其它二维半导体负电容场效应器件结构，该金属‑铁电‑半导体结构可实现高性能的负电容场效应器件。电学测试结果表明，此类器件的亚阈值摆幅远小于60mV/dec，突破了玻尔兹曼极限，该类二维半导体负电容场效应器件同时具备极低功耗、高速翻转等特点。
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公开(公告)号：CN103539956B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201310469956.1
申请日：2013-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开一种PVDF基有机铁电聚合物纳米线的制备方法。通过运用阳极氧化铝纳米模版，将聚偏氟乙烯基聚合物溶液滴至阳极氧化铝纳米模板上表面，通过退火处理，使其溶剂挥发，后加热至使表面残留有机铁电聚合物其熔融，利用纳米模版的毛细管及熔融态聚偏氟乙烯基铁电聚合物自身重力作用，聚偏氟乙烯基聚合物填充满整个模版，待聚合物冷凝后，聚偏氟乙烯基聚合物纳米线形成，最后运用氢氧化钠溶液腐蚀掉阳极氧化铝纳米模板，得到聚偏氟乙烯基铁电聚合物纳米线。本发明模板法制备PVDF基有机铁电聚合物纳米线，方法及工艺简单，易于控制纳米线径向尺寸，为研究PVDF基有机铁电聚合物纳米线的奇异物理特性和相关器件提供了可能。
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