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公开(公告)号：CN112086528B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202010966329.9
申请日：2020-09-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种铁电畴定义的串联二维光伏电池及制备方法。所述的光伏电池结构自上而下依次为铁电功能层、金属电极、二维半导体和绝缘硅衬底。器件制备步骤是在衬底上制备过渡金属硫族化合物二维半导体，运用紫外光刻或者电子束曝光的方法结合热蒸发、剥离工艺制备金属电极作为半导体沟道的源极和漏极，然后用旋涂法制备铁电薄膜覆盖此结构，随后使用压电力显微技术对两个沟道分别写入正‑负向畴结构，于是铁电畴就能够调控双极型二维半导体两侧分别呈现空穴和电子导电，形成面内PNPN结。此种方法形成的串联PN结与单个PN结相比具有开路电压翻倍增长的特征，制备工艺简单，器件的尺寸小，器件稳定性好。
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公开(公告)号：CN118099269A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410216947.X
申请日：2024-02-28
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/112 , H01L31/032 , H01L31/18 , G01D5/30
Abstract: 本发明属于半导体光电器件技术领域，具体涉及一种图形化铁电畴调控的红外偏振光电探测器及其制备方法和应用。本发明提供了一种图形化铁电畴调控的红外偏振光电探测器，包括自下而上依次设置的绝缘衬底、二碲化钼层、源极和漏极层以及图形分区极化铁电层。过渡金属硫族化合物二碲化钼是一种层状结构二维半导体材料，其晶格结构为各向同性，基于二碲化钼制备的器件一般用于可见光波段的光电探测，不具备偏振敏感性。本发明提供的红外偏振光电探测器将二碲化钼层与图形分区极化铁电层复合，利用图形化铁电畴调控，不仅可以利用铁电剩余极化电场拓展其探测波段，还能够打破二碲化钼对称性，实现可见到近红外波段的高灵敏偏振光电探测。
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公开(公告)号：CN118099256A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410221716.8
申请日：2024-02-28
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0336 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于红外探测技术领域，具体涉及一种碲镉汞范德华异质结单极势垒型红外探测器及制备方法。本发明提供的碲镉汞范德华异质结单极势垒型红外探测器，包括碲镉汞材料层2、二维半导体材料层4和石墨烯材料层5通过范德华力结合形成的范德华异质结，从而使器件能够在无需外部制冷的条件下实现中波红外探测功能，有效降低了碲镉汞红外探测器件的制冷要求，避免了低温工作器件中读出电路和制冷机的相关影响。综上，本发明提供的碲镉汞范德华异质结单极势垒型红外探测器能够在无需外加制冷的情况下实现中波红外探测功能，避免了传统外延势垒型碲镉汞探测器中复杂势垒缓冲层结构，能够实现室温高性能红外探测，具有工作温度高、响应灵敏等优点。
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公开(公告)号：CN113013279B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202110107189.4
申请日：2021-01-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/0296 , H01L31/028
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞‑黑磷范德华异质结红外偏振探测器及制备方法。探测器的结构自下而上依次为衬底、碲镉汞材料、绝缘层、二维半导体黑磷、金属电极。首先在衬底上生长碲镉汞材料，通过紫外光刻和氩离子刻蚀去除部分碲镉汞，采用电子束蒸发的方法填充氧化铝作为绝缘层，利用聚碳酸亚丙酯薄膜辅助定点转移二维半导体材料黑磷在碲镉汞和绝缘层的交界处，通过电子束光刻技术结合剥离工艺制备金属源漏电极，形成碲镉汞范德华异质结红外偏振探测器结构。该器件结构可在无外加偏置电压的条件下实现中波红外波段的探测功能，有效降低了器件功耗；且可在无附加光结构的条件下实现偏振探测功能，大大简化了偏振探测器的器件结构。
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公开(公告)号：CN105911029B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201610406776.2
申请日：2016-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01N21/63
Abstract: 本发明公开了一种用于测量深低温强磁场下样品光致发光的系统，测量系统主要由光纤激光器、光纤组件、光纤、真空密封接头、O型圈、螺母、待测样品、磁输运样品室、光谱仪和测试分析计算机等组成。该测量系统的主要特征在于利用光纤组件在深低温、强磁场环境中对样品进行光致发光测试，实现了光致发光测试与深低温、强磁场输运测量的结合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102610758B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201210073711.2
申请日：2012-03-19
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开一种铁电隧道结室温红外探测器及制备方法。其特征在于，器件结构自下而上依次为是衬底、金属底电极、铁电功能层和半透金属上电极。器件制备步骤是在柔性薄膜衬底表面蒸发或溅射金属作为底电极，然后在底电极表面运用LB法生长厚度1-6纳米PVDF基聚合物薄膜作为铁电功能层，随后在铁电功能层上运用蒸发或溅射方法制备金属上电极形成铁电隧道结，最后减薄衬底。器件是通过通入微小恒定电流，光照下测量电极两端电压实现红外探测。该探测器具有根据应用环境和探测目标的需求温度系数大小与极性可调，无需对入射辐射调制等特性。
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公开(公告)号：CN103500870A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310469893.X
申请日：2013-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于测量深低温、强磁场下样品表面态的反射式谐振腔，反射式谐振腔主要由同轴电缆组件、微波隔板和面板安装式连接器、谐振腔盖板、谐振腔、铜片A、铜片B、螺丝A、螺丝B等组成。反射式谐振腔的主要特征在于利用同轴电缆将微波导入深低温、强磁场环境的谐振腔中，实现了微波测量与深低温、强磁场输运测量的结合。该系统为对诸如拓扑绝缘体等二维纳米结构材料表面态的深低温磁输运研究提供了一种有效工具。
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公开(公告)号：CN102313874A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110250712.5
申请日：2011-08-29
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R33/12
Abstract: 本发明公开了一种用于微波辐照下磁输运测试的样品杆，它用于研究极低温下微波辐照对材料电学特性和自旋特性的影响。样品杆由不锈钢管、波导管及转接口、同轴电缆及转接口、测试引线及插座，样品架、密封套和抽气口等组成。系统的主要特征在于将波导管和同轴电缆引入样品杆内，波导管和同轴电缆分别将高频和低频微波导入到样品处；波导管选用高强度、低热导率的碳纤维复合材料管，实现了样品温度在极低温下的稳定。该系统为极低温、强磁场中微波辐照下磁输运测试和自旋共振研究提供了有力的研究工具。
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公开(公告)号：CN101471180A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200710173510.9
申请日：2007-12-28
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种三元铁电聚合物薄膜材料的制备方法，该方法包括：溶剂为二甲基亚砜，溶质为三元聚合物P(VDF－TrFE－CFE)前驱体溶液的配制；在LB设备上采用水平提拉法生长薄膜及薄膜的热处理。最后得到纳米尺度上可控、排列高度有序、结晶度高的聚合物薄膜，本发明制备的薄膜材料为研究薄膜的弛豫铁电性起源提供了平台。同时，所生长的P(VDF－TrFE－CFE)三元铁电聚合物薄膜具有研制实用能量存储器件所需的性能。
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公开(公告)号：CN100479214C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200710045149.1
申请日：2007-08-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有自极化效应的铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜材料的制备方法，该方法是采用化学溶液沉积法：溶液由醋酸铅、醋酸镁、乙醇铌、正丁醇钛、乙二醇甲醚和乙酰丙酮组成，配制成0.1-0.3M的前驱体溶液；采用旋转镀膜方式得到凝胶膜，然后在快速退火中分段进行热处理，形成薄膜材料；重复该过程，直至得到理想厚度的薄膜材料。本发明的优点是：整个工艺过程操作简便、成本较低、可制备大面积均匀薄膜。采用本发明方法在LaNiO3/Pt/Ti/SiO2/Si基片上得到的薄膜，经测量不施加偏场时的热释电系数可达1.6×10-8Ccm-2K-1。
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