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公开(公告)号：CN2731838Y
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200420078208.7
申请日：2004-07-30
Applicant: 东南大学
IPC: H03K17/687 , H03K19/0948
Abstract: 低功耗CMOS型高压驱动电路涉及一种作为输出驱动之用的高压驱动电路，在电平转换级的输出端和高压输出级的输入端之间设有输出缓冲级，由一个高压PMOS管和一个高压NMOS管组成，高压PMOS管的源与电源连接，其栅电极作为本级输出缓冲单元的输入端与上一级输出缓冲单元的输出端连接；高压NMOS管的源接地，其栅电极作为第3i时序信号接收端，高压PMOS管的漏与高压NMOS管的漏连接并作为本级输出缓冲单元的输出端且与下一级输出缓冲单元的输入端连接，首级输出缓冲单元的输入端作为输出缓冲级的输入端与电平转换级的输出端连接，末级输出缓冲单元的输出端作为输出缓冲级的输出端与高压输出级的另一个输入端连接。
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公开(公告)号：CN2522970Y
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN02219093.7
申请日：2002-03-01
Applicant: 东南大学
Abstract: 本实用新型公开了一种平板显示的驱动芯片用高压器件，由高压二极管、高压P型MOS管和高压N型横向双扩散MOS管组成，高压N型横向双扩散MOS管设在P型衬底上，在P型衬底上位于高压N型横向双扩散MOS管的源区下方位置设有P型阱，在P型衬底上设有N型深阱，高压二极管和高压P型MOS管设在N型深阱内。本实用新型具有制造成本低，高压器件可靠性高的优点，其制造工艺可采用可兼容标准体硅低压CMOS工艺。
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公开(公告)号：CN201017885Y
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200620165093.4
申请日：2006-12-15
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/092 , H01L27/04
Abstract: 本实用新型公开了一种适用于外延工艺功率集成电路高压器件与低压器件之间的隔离的高压功率集成电路隔离结构，包括：P型衬底，在P型衬底上设有两块场氧化层，在P型衬底上设有重掺杂N阱且该重掺杂N阱位于两块场氧化层之间，在重掺杂N阱与P型衬底之间设有深N型阱且该深N型阱延伸至两块场氧化层的下方，上述重掺杂N阱与零电位相连接。本实用新型能够有效防止外延高压功率集成电路中寄生可控硅结构触发，且本实用新型中深N型阱是高压结构中用到的深阱，对衬底注入载流子的吸附效果要比普通低压N型阱结构好。
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公开(公告)号：CN200993963Y
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200620165096.8
申请日：2006-12-15
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/092 , H01L27/04
Abstract: 本实用新型公开了一种适用于体硅工艺功率集成电路高压器件与低压器件之间隔离的高压功率集成电路隔离结构，包括：P型衬底，在P型衬底设有N型外延，在N型外延上设有2块场氧化层，在N型外延上设有重掺杂N型区且该重掺杂N型区位于2块场氧化层之间，在N型外延内设有2个P型隔离阱，该2个P型隔离阱分别位于2块场氧化层的下方，并且该2个P型隔离阱将N型外延分隔成3块，上述重掺杂N型区位于2个P型隔离阱之间，在2个P型隔离阱的上端分别设有重掺杂P型区，上述重掺杂N型区及重掺杂P型区与零电位相连接。本实用新型能够有效防止体硅高压功率集成电路中寄生可控硅结构触发。
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公开(公告)号：CN2938408Y
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200620077465.8
申请日：2006-08-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种线性掺杂的高压P型金属氧化物半导体管，在P型衬底上设有N型阱和P型漂移区，在N型阱内设有N型接触孔和P型源，在P型漂移区内设有P型漏，在N型阱和P型漂移区的上方设有栅氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅且多晶硅栅位于N型阱与P型漂移区交界的上方，在栅氧化层及多晶硅栅的上方设有场氧化层，在N型接触孔和P型源上，多晶硅栅上，P型漏上都接有铝引线，在场氧化层内设有多晶硅场极板，该多晶硅场极板与多晶硅栅连接，P型漂移区由第一、第二、第三、第四区组成，该四根区沿P型源至P型漏的方向依次排列，上述第四区的掺杂浓度大于第三区，第三区的掺杂浓度大于第二区，第二区的掺杂浓度大于第一区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN201130665Y
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200720046401.6
申请日：2007-09-26
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/092
Abstract: 本实用新型公开了一种等离子平板显示器驱动芯片结构，适用于等离子平板显示器列选址驱动芯片和等离子平板显示器行扫描驱动芯片，芯片结构包括P型衬底，在P型衬底上设有N型外延层，在N型外延层上设有高压－P型横向金属氧化物半导体管、高压－N型横向金属氧化物半导体管及低压－互补型横向金属氧化物半导体管，在P型衬底与N型外延层之间设有N型重掺杂埋层且高压－P型横向金属氧化物半导体管、高压－N型横向金属氧化物半导体管及低压－互补型横向金属氧化物半导体管位于N型重掺杂埋层的上方，本实用新型结构，基于外延材料，材料成本上与SOI相比具有较大优势，并且国内外延技术比较成熟。
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公开(公告)号：CN201097247Y
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200720043380.2
申请日：2007-10-30
Applicant: 东南大学
IPC: G05F1/46
Abstract: 本实用新型公开了对电源电压变化的敏感程度很小的高稳定性的一种基准电压源电路，包括电压源电路，电源预调整电路，电源预调整电路的电压输入端接电源Vdd，其预调整电源端连接电压源电路的输入供电源端，电压源电路的基准电压输出端连接电源预调整电路的电压反馈端，且输出基准输出电压Vref。本实用新型的带有电源预调整电路的基准电压源电路工作时，不同电源电压输入条件下输出电压非常稳定，对电源电压变化的敏感程度很小；且能够在获得低温度系数基准电压源的同时，减小了基准电压源输出电压对电源电压变化的敏感程度，同时增强了电路的抗电源抖动能力；且其电路结构简单，适应性广，成本低。
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公开(公告)号：CN2743978Y
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200420062099.X
申请日：2004-06-24
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7835 , H01L29/404 , H01L29/42368
Abstract: 本实用新型公开了一种涉及高压器件的多电位场极板高压N型金属氧化物半导体管，由N型衬底、P型外延层、源、漏、多晶硅栅、场氧化层和氧化层组成，在场氧化层的上方且位于漏和多晶硅栅之间设有多晶硅场极板，该多晶硅场极板与漏连接。本实用新型引入了与漏端等电位的多晶硅场极板，这样可以使得在多晶硅场极板下方的漂移区表面处于载流子的积累状态，从而大大降低开启态时漏端与多晶硅场极板之间的峰值电场，从而减少漏端载流子的碰撞电离，大大降低Kirk效应(大电流情况下，漏端电场高度聚集而引起的击穿电压降低的效应)，提高了器件的击穿电压和安全工作区。
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公开(公告)号：CN201038163Y
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200720035523.5
申请日：2007-03-30
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本实用新型公开了一种沟槽高压P型金属氧化物半导体管，包括兼做衬底的P型漏区，在P型漏区上设有P型外延，在P型外延上设有N型阱，在N型阱上设有P型源区和N型接触孔，在N型阱及P型外延内设有沟槽，在沟槽内填充有二氧化硅，在沟槽内还设有多晶硅栅且多晶硅栅的位置高度与N型阱的高度相对应，在沟槽的周围设有N型区，在多晶硅栅与N型阱之间设有栅氧化层，在多晶硅栅及P型源区的上方覆有二氧化硅，在P型源区及N型接触孔上连接有铝引线。本发明的沟槽高压P型金属氧化物半导体管是一种纵向沟道垂直导电金属氧化物半导体型高压器件，它巧妙利用体内耗尽层分压的方法，改善了器件特性。该器件的优势在更大工作电压领域将得到更大的体现。
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公开(公告)号：CN200941387Y
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200620077466.2
申请日：2006-08-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种线性掺杂的高压N型金属氧化物半导体管，在N型衬底上设有P型阱和N型漂移区，在P型阱内设有P型接触孔和N型源，在N型漂移区内设有N型漏，在P型阱和N型漂移区的上方设有栅氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅且多晶硅栅位于P型阱与N型漂移区交界的上方，在栅氧化层及多晶硅栅的上方设有场氧化层，在P型接触孔和N型源上、多晶硅栅上、 N型漏上都接有铝引线，在场氧化层内设有的多晶硅场极板与多晶硅栅连接，N型漂移区由第一、第二、第三、第四区组成，沿N型源至N型漏的方向依次排列，掺杂浓度由大到小依次为第四区、第三区、第二区、第一区。
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