公开(公告)号：CN100485966C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200610041322.6

申请日：2006-08-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  易扬波 ,  夏小娟 ,  徐申 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种线性掺杂的高压P型金属氧化物半导体管，在P型衬底上设有N型阱和P型漂移区，在N型阱内设有N型接触孔和P型源，在P型漂移区内设有P型漏，在N型阱和P型漂移区的上方设有栅氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅且多晶硅栅位于N型阱与P型漂移区交界的上方，在栅氧化层及多晶硅栅的上方设有场氧化层，在N型接触孔和P型源上，多晶硅栅上，P型漏上都接有铝引线，在场氧化层内设有多晶硅场极板，该多晶硅场极板与多晶硅栅连接，P型漂移区由第一、第二、第三、第四区组成，该四根区沿P型源至P型漏的方向依次排列，上述第四区的掺杂浓度大于第三区，第三区的掺杂浓度大于第二区，第二区的掺杂浓度大于第一区。

公开(公告)号：CN1976057A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610041322.6

申请日：2006-08-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  易扬波 ,  夏小娟 ,  徐申 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种线性掺杂的高压P型金属氧化物半导体管，在P型衬底上设有N型阱和P型漂移区，在N型阱内设有N型接触孔和P型源，在P型漂移区内设有P型漏，在N型阱和P型漂移区的上方设有栅氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅且多晶硅栅位于N型阱与P型漂移区交界的上方，在栅氧化层及多晶硅栅的上方设有场氧化层，在N型接触孔和P型源上，多晶硅栅上，P型漏上都接有铝引线，在场氧化层内设有多晶硅场极板，该多晶硅场极板与多晶硅栅连接，P型漂移区由第一、第二、第三、第四区组成，该四根区沿P型源至P型漏的方向依次排列，上述第四区的掺杂浓度大于第三区，第三区的掺杂浓度大于第二区，第二区的掺杂浓度大于第一区。

公开(公告)号：CN2938408Y

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200620077465.8

申请日：2006-08-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  易扬波 ,  夏小娟 ,  徐申 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04

Abstract: 一种线性掺杂的高压P型金属氧化物半导体管，在P型衬底上设有N型阱和P型漂移区，在N型阱内设有N型接触孔和P型源，在P型漂移区内设有P型漏，在N型阱和P型漂移区的上方设有栅氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅且多晶硅栅位于N型阱与P型漂移区交界的上方，在栅氧化层及多晶硅栅的上方设有场氧化层，在N型接触孔和P型源上，多晶硅栅上，P型漏上都接有铝引线，在场氧化层内设有多晶硅场极板，该多晶硅场极板与多晶硅栅连接，P型漂移区由第一、第二、第三、第四区组成，该四根区沿P型源至P型漏的方向依次排列，上述第四区的掺杂浓度大于第三区，第三区的掺杂浓度大于第二区，第二区的掺杂浓度大于第一区。