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公开(公告)号：CN101583234A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910138681.7
申请日：2009-05-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供一种即使对于大型基板，也能够得到均匀的等离子体分布的感应耦合等离子体处理装置。在处理室4的上方隔着电介质壁2，具有高频天线13，其包括，在处理室4内，主要在外侧部分形成感应电场的外侧天线部13a、主要在内侧部分形成感应电场的内侧天线部13b、和在它们中间部分形成感应电场的中间天线部13c，在外侧天线部13a和中间天线部13c分别连接有控制感应耦合等离子体的等离子体密度分布的可变电容器21a、21c。各天线部，构成螺旋状的多重天线，而且，在其配置区域按照能够形成均匀电场的方式设定缠绕方法，按照在各天线部的配置区域间能够实现电场的均匀化的方式设定缠绕数目。
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公开(公告)号：CN101465283A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810186165.7
申请日：2008-12-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/311 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种不会因异常放电产生问题，并且能够解决因附着在电极上的反应生成物而引起的问题的平行平板型等离子体处理装置以及等离子体处理方法。等离子体处理装置(1)包括：收容基板(G)的处理腔室(2)；在处理腔室(2)内相对设置的下部电极(3)以及上部电极(20)；向下部电极(3)施加频率为10MHz以上的第一高频电功率的第一高频电源(14)；向下部电极(3)施加频率为2MHz以上小于10MHz的第二高频电功率的第二高频电源(17)；向第二电极(20)施加频率为400kHz以上1.6MHz以下的高频电功率的第三高频电源(33)；向处理腔室(2)内供给用于生成等离子体的处理气体的气体供给机构(28)；和对处理腔室(2)进行排气的排气机构(41)。
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公开(公告)号：CN101315877A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810108840.4
申请日：2008-05-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , G02F1/1333 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种基板处理系统和基板处理装置，能够不产生微粒而使等离子体均匀地分布在收容室内的空间。该基板处理系统(10)包括三个等离子体处理装置(13)和相对于各等离子体处理装置(13)对玻璃基板(G)进行搬入搬出的搬送室(11)，各等离子体处理装置(13)具有用于收容基板(G)的长方体形状的腔室(18)，腔室(18)只有侧壁(18a)与搬送室(11)相接，在所述侧壁(18a)上开设有与搬送室(11)连通的搬送口(31)，在与侧壁(18a)相对的侧壁(18b)上开设有开口部(32)，搬送口(31)的开口形状与开口部(32)的开口形状相同。
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公开(公告)号：CN101159228A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710154446.X
申请日：2007-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L21/67 , C23F4/00 , C23C16/455 , C30B25/14 , H05H1/00 , H01J37/32 , F17D1/04
Abstract: 本发明涉及处理气体供给机构、供给方法及气体处理装置，该处理气体供给机构能够在短时间内供给使处理容器内变成设定压力的量的处理气体。处理气体供给机构(3)包括：用于向作为收容基板(G)的处理容器的腔室(2)内供给作为处理气体的氦气的He气体供给源(30)；用于暂时贮存来自He气体供给源(30)的氦气的处理气体罐(33)；和将来自He气体供给源(30)的氦气供给处理气体罐(33)并将处理气体罐(33)内的氦气供给腔室(2)内的处理气体流通部件(35)，氦气经由处理气体流通部件(35)被从He气体供给源(30)暂时贮存在处理气体罐(33)中，并从处理气体罐(33)供给到腔室(2)内。
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公开(公告)号：CN1694229A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510070127.1
申请日：2005-04-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/205 , H01J37/32 , H05H1/46 , C23C16/50
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，目的在于在平行平板式的等离子体处理装置中抑制在阴极电极与处理容器的壁部之间产生等离子体。在下部电极与处理容器之间设置带有电容成分的阻抗调整部。阻抗调整部把从上部电极通过等离子体、下部电极和处理容器的壁部到匹配电路的接地框体为止的路径的阻抗值，变得比从上部电极通过等离子体和处理容器的壁部到所述匹配电路的接地框体为止的阻抗值更小。借助于此，就可以产生均匀性高的等离子体。
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公开(公告)号：CN113299531B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202110179866.3
申请日：2021-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供使等离子体密度的均匀性提高的电感耦合天线和等离子体处理装置。一种电感耦合天线，其为矩形框状，在对载置于载置台的载置面的矩形基板进行等离子体处理的处理容器内形成生成所述等离子体的感应电场，并具有与所述载置面相对的相对面，其中，该电感耦合天线具有：平面部，其位于所述相对面且将4个天线线材卷绕为位置各错开90°；以及纵卷部，其位于所述天线线材各自的末端，绕与所述相对面平行且与所述矩形框的角部交叉的卷绕轴线一边形成共用所述相对面的底部平面部一边以纵向卷绕的方式进行卷绕。
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公开(公告)号：CN113301701B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202110180584.5
申请日：2021-02-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供使等离子体密度的均匀性提高的天线段和电感耦合等离子体处理装置。一种天线段，其通过呈筒状卷绕天线线材而形成，由所述天线线材的局部形成第1平面，其中，该天线段包括：第1天线线材，其位于卷绕轴线方向上的一侧且至少局部形成所述第1平面；以及第2天线线材，其位于所述卷绕轴线方向上的另一侧且形成所述第1平面，所述第1天线线材具有：平面上天线部，其形成所述第1平面；层叠天线部，其与所述第2天线线材分离开地配置于该第2天线线材上方；以及连结部，其连接所述平面上天线部和所述层叠天线部。
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公开(公告)号：CN116110770A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211354572.0
申请日：2022-11-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够不使用稀有气体而提高等离子体点火性的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置包括：处理容器；载置台；金属窗，其保持与处理容器电绝缘地形成处理容器的顶部，并且被接地；隔着金属窗与载置台相对的电感耦合天线，其保持与金属窗电绝缘地配置；和用于对等离子体处理进行控制的控制部，控制部能够执行：以第一电功率向载置台供给第一高频，在金属窗与载置台之间通过电容耦合使等离子体点火的第一控制；以第二电功率向电感耦合天线供给第二高频，经由金属窗通过电感耦合来维持等离子体的第二控制；和将第一高频的电功率改变为比第一电功率大的第三电功率，对被载置在载置台上的基片实施等离子体处理的第三控制。
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公开(公告)号：CN111430210B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202010026911.7
申请日：2020-01-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种电感耦合等离子体处理装置。利用使用了金属窗而生成的电感耦合等离子体进行等离子体控制性更高且均匀性更高的等离子体处理。具备：处理容器；载置台，其载置矩形基板；矩形形状的金属窗，其构成处理容器的顶壁，与处理容器电绝缘；以及天线单元，其设于金属窗的上方，在处理容器内生成电感耦合等离子体，金属窗被第1分割分割成电绝缘的分割区域，天线单元具有高频天线，该高频天线是将具有与金属窗的上表面相对地形成的平面部的多个天线区段配置为平面部整体上成为矩形的框状区域而成的，多个天线区段分别是将天线用线沿着纵向以卷绕轴线与金属窗的上表面平行的方式卷绕成螺旋状而构成的，能够控制向多个天线区段分别供给的电流。
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公开(公告)号：CN115856462A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211122513.0
申请日：2022-09-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01R31/00 , G01R19/165 , H01J37/32
Abstract: 本公开涉及一种故障探测方法和等离子体处理装置。是等离子体处理装置中的处于多个局部窗与接地之间的阻抗调整部的故障探测方法，装置具有：金属窗，将处理容器内划分为天线室和处理室，金属窗具有多个局部窗；天线，用于生成电感耦合等离子体；以及静电吸盘，其中，阻抗调整部包括处于多个局部窗与接地之间的多个电容元件，该方法包括以下工序：向静电吸盘施加直流电压；开始电源用高频电力和/或偏压用高频电力的供给；稳定供给电源用高频电力和偏压用高频电力；在对基板进行处理的期间，测定在多个电容元件的各个电容元件产生的电容元件电压；基于多个电容元件的各个电容元件的电容元件电压与阈值的比较结果来判定多个阻抗调整部的故障。
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