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公开(公告)号：CN119560411A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411711851.7
申请日：2020-02-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和基片处理装置。等离子体处理装置包括：处理腔室；所述处理腔室内的载置台；气体供给部，其用于向所述处理腔室供给处理气体；第1高频电源，其用于产生等离子体生成用的第1高频电功率；第2高频电源，其用于产生高频偏置电功率；和控制部，所述控制部能够进行控制以使得所述等离子体处理装置执行包括下述步骤的处理：(a)在所述载置台上准备形成有锥形的开口的被处理体的步骤；(b)在所述开口的侧壁形成膜厚沿着所述开口的深度方向变薄的膜的步骤；和(c)使所述开口的下部的开口尺寸扩大的步骤。本发明能够抑制半导体图案的形状异常。
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公开(公告)号：CN119137713A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202380037658.7
申请日：2023-04-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 在等离子体处理方法中，(a)提供基片，所述基片具有包含第一材料的第一区域和包含与第一材料不同的第二材料的第二区域。(b)供给用于对第一区域的表面进行改性的改性气体和含碳前体。(c)利用通过供给第一高频功率而从包含改性气体和含碳前体的混合气体生成的等离子体，对第一区域的表面进行改性而形成改性层。(d)停止供给第一高频功率或供给比第一高频功率小的第二高频功率，使改性层与含碳前体进行反应，从而去除改性层。
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公开(公告)号：CN117121170A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202280027729.0
申请日：2022-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本公开提供改良基板上的含锡膜的技术。本公开涉及的基板处理方法包含：在腔室内准备基板的工序，所述基板具有被蚀刻膜和在被蚀刻膜上规定至少一个开口的含锡膜；以及向腔室供给包含含卤素气体或者含氧气体的处理气体，在含锡膜的表面形成改良膜的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116705601A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310137724.X
申请日：2023-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本公开提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置。等离子体处理方法是在等离子体处理装置中执行的方法，等离子体处理装置具有腔室、基板支承部以及等离子体生成部，等离子体处理方法包括：准备的工序，在基板支承部准备具有含硅膜和掩模膜的基板，掩模膜包含开口图案；以及蚀刻的工序，在腔室内生成等离子体，将掩模膜作为掩模来对含硅膜进行蚀刻，蚀刻的工序包括：向腔室内供给含有碳、氢及氟的包含1种以上的气体的处理气体；向等离子体生成部供给源RF信号，来从处理气体生成等离子体；以及向基板支承部供给偏压RF信号，在蚀刻的工序中，一边在掩模膜的表面的至少一部分形成含碳膜，一边至少通过从处理气体生成的氟化氢来蚀刻含硅膜。
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公开(公告)号：CN108735598B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN201810329352.X
申请日：2018-04-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种能够良好地进行立体图案的形成的各向异性蚀刻的技术。在一个实施方式中，提供被处理体的蚀刻方法。被处理体包括支承基体和被处理层，被处理层设置在支承基体的主面并包括多个凸区域，多个凸区域分别延伸到主面的上方，多个凸区域各自的端面在从所述主面上看时露出。该方法包括：在多个凸区域各自的端面形成膜的第一步骤；对通过第一步骤形成的膜进行各向异性蚀刻，有选择地使一个或多个端面露出的第二步骤；和将通过第二步骤而露出的端面按每一原子层进行各向异性蚀刻的第三步骤，其中，被处理层包含硅氮化物，膜包含硅氧化物。
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公开(公告)号：CN114823329A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210071088.0
申请日：2022-01-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够抑制在基板上形成的图案的形状异常的基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法具有如下工序：工序a，在该工序a中，提供具备蚀刻对象膜、在蚀刻对象膜上形成的第1掩模、以及第2掩模的基板的工序，该第2掩模形成于第1掩模上，膜种与第1掩模的膜种不同，具有开口；工序b，在该工序b中，相对于第2掩模选择性地蚀刻第1掩模、形成第1掩模的至少局部的开口尺寸比第2掩模的底部的开口尺寸大的开口的工序；以及工序c，在该工序c中，蚀刻蚀刻对象膜的工序。
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公开(公告)号：CN111627806A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010106983.2
申请日：2020-02-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/67 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供基片处理方法和基片处理装置。基片处理装置实现的基片处理方法包括步骤a)和步骤b)。步骤a)是对被处理体局部地进行蚀刻，形成凹部的步骤。步骤b)是在凹部的侧壁形成沿凹部的深度方向而厚度不同的膜的步骤。步骤b)包括步骤b-1)和步骤b-2)。步骤b-1)是供给第1反应物，使第1反应物吸附到凹部的侧壁的步骤。步骤b-2)是供给第2反应物，使第1反应物与第2反应物反应而形成膜的步骤。本发明能够抑制半导体图案的形状异常。
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公开(公告)号：CN108735598A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810329352.X
申请日：2018-04-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/3244 , H01J37/32568 , H01J37/32724 , H01J2237/334 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/0228
Abstract: 本发明提供一种能够良好地进行立体图案的形成的各向异性蚀刻的技术。在一个实施方式中，提供被处理体的蚀刻方法。被处理体包括支承基体和被处理层，被处理层设置在支承基体的主面并包括多个凸区域，多个凸区域分别延伸到主面的上方，多个凸区域各自的端面在从所述主面上看时露出。该方法包括：在多个凸区域各自的端面形成膜的第一步骤；对通过第一步骤形成的膜进行各向异性蚀刻，有选择地使一个或多个端面露出的第二步骤；和将通过第二步骤而露出的端面按每一原子层进行各向异性蚀刻的第三步骤，其中，被处理层包含硅氮化物，膜包含硅氧化物。
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