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公开(公告)号：CN112951925B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110195176.7
申请日：2021-02-19
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/02 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及晶体管技术领域，提供了一种突触晶体管及其制备方法。本发明提供的突触晶体管包括从下到上依次设置的基板、栅电极、绝缘层和有源层；所述有源层上设置有源电极和漏电极；所述绝缘层的材料包括固态电解质和纳米纤维。本发明通过在突触晶体管的绝缘层材料中添加纳米纤维，提升了突触晶体管的质子迁移率，进而提升了突触晶体管的突触特性。本发明中的纳米纤维具有独特的载流子传输特性，可以为质子的迁移提供通道，将其与固态电解质用于制备突触晶体管的绝缘层，有利于提高晶体管的突触特性。实施例的结果显示，本发明提供的突触晶体管的质子迁移率有了极大地提升，并且具有优异的低通、高通滤波性能，突触特性明显。
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公开(公告)号：CN113013248B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110191424.0
申请日：2021-02-19
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H02N1/04
Abstract: 本发明提供了一种突触晶体管及其制备方法，属于突触晶体管技术领域。本发明提供的突触晶体管结构中栅极将绝缘层和有源层包裹起来，使得栅极电压能从各个方向对沟道电流进行控制，从而减小了沟道漏电流，降低了器件的功耗；本发明提供的突触晶体管与摩擦纳米发电机相结合，在使用时，外力按压基板，使得易失电子层和易得电子层发生相对滑动，摩擦发电，栅极存在了电信号，随着外力继续按压，漏电极与有源层接触，电路导通，沟道有电信号通过，实现了突触晶体管的自发电，进一步降低了器件的功耗。实验结果表明，本发明提供的突触晶体管的开关电流比为105，PPF(双脉冲易化)为1.87，漏电流为10‑9A。
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公开(公告)号：CN112951925A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110195176.7
申请日：2021-02-19
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/02 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及晶体管技术领域，提供了一种突触晶体管及其制备方法。本发明提供的突触晶体管包括从下到上依次设置的基板、栅电极、绝缘层和有源层；所述有源层上设置有源电极和漏电极；所述绝缘层的材料包括固态电解质和纳米纤维。本发明通过在突触晶体管的绝缘层材料中添加纳米纤维，提升了突触晶体管的质子迁移率，进而提升了突触晶体管的突触特性。本发明中的纳米纤维具有独特的载流子传输特性，可以为质子的迁移提供通道，将其与固态电解质用于制备突触晶体管的绝缘层，有利于提高晶体管的突触特性。实施例的结果显示，本发明提供的突触晶体管的质子迁移率有了极大地提升，并且具有优异的低通、高通滤波性能，突触特性明显。
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公开(公告)号：CN111739944B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202010644322.5
申请日：2020-07-07
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/34 , H01L27/12 , H01L21/77
Abstract: 本发明涉及一种全包围栅极突触晶体管、制备方法及电路连接方法，全包围栅极突触晶体管包括有源层、绝缘层、栅电极、源电极和漏电极；所述有源层为圆柱体，所述有源层外侧依次包裹所述绝缘层和所述栅电极，所述有源层的一端设置源电极，另一端设置漏电极，所述源电极和所述漏电极均为圆柱体，所述源电极和所述漏电极的底面直径均比所述有源层的底面直径小，所述有源层、所述源电极和所述漏电极同轴设置。本发明使栅极电压能够从各个方向对沟道电流进行控制，提高栅电极的控制能力，从而降低器件的功耗。
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公开(公告)号：CN111739944A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010644322.5
申请日：2020-07-07
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/34 , H01L27/12 , H01L21/77
Abstract: 本发明涉及一种全包围栅极突触晶体管、制备方法及电路连接方法，全包围栅极突触晶体管包括有源层、绝缘层、栅电极、源电极和漏电极；所述有源层为圆柱体，所述有源层外侧依次包裹所述绝缘层和所述栅电极，所述有源层的一端设置源电极，另一端设置漏电极，所述源电极和所述漏电极均为圆柱体，所述源电极和所述漏电极的底面直径均比所述有源层的底面直径小，所述有源层、所述源电极和所述漏电极同轴设置。本发明使栅极电压能够从各个方向对沟道电流进行控制，提高栅电极的控制能力，从而降低器件的功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111610234A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010644636.5
申请日：2020-07-07
Applicant: 上海大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及气体传感器技术领域，尤其涉及一种场效应晶体管丙酮气体传感器及其制备方法。本发明提供的场效应晶体管丙酮气体传感器，包括依次层叠设置的绝缘衬底、栅电极层、栅电极绝缘层、有源层和电极层；所述电极层包括源电极和漏电极；所述有源层的材料为异质结结构的n-In2O3/p-CuO复合金属氧化物纳米纤维。本发明采用常见的半导体材料In2O3和CuO，使所述气体传感器具有良好的电导率和物理化学稳定性；所述气体传感器采用In2O3和CuO构建异质结结构，增加了气体催化活性，有利于提高气体传感器的传感性能，促进实用化；所述气体传感器以纳米纤维场效应晶体管为平台，功耗低，敏感性高。
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公开(公告)号：CN102201451A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110146477.7
申请日：2011-06-02
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明涉及一种具有缓冲层的氧化物薄膜晶体管器件及其制作方法。本器件依次由基板（1）、源极（2）、漏极（3）、氧化物有源层（4）、缓冲层（5）、绝缘层（6）、栅极（7）层叠构成顶栅结构。各结构层采用真空蒸发方法和溅射方法制备。本发明结构中，缓冲层是由一氧化硅SiO构成。采用这种新型的具有缓冲层顶栅结构的氧化物TFT，可实现增较好的输出特性曲线，使其在采用氧化物薄膜晶体管的AMOLED显示电路中实现应用价值成为可能，工艺大为简化，性能更加优良。
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公开(公告)号：CN101591804B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200910053887.X
申请日：2009-06-26
Applicant: 上海大学
IPC: C30B28/02 , C30B33/02 , H01L21/324 , H01L21/477 , C30B29/06
Abstract: 本发明涉及一种高温液相加热晶化方法及设备。本装备有一可盛高温金属液体的槽，在该槽内盛有高温的金属或非金属液体，在此液体中还可以插入一高温区，在高温金属或非金属液体上面有包括需要晶化的衬底，衬底上面有需要晶化的非晶薄膜组成的基板，该基板有一个推动系统推动可连续晶化该非晶膜。本方法是将基板放在槽内并浮在高温液面上面，在真空或惰性气体或还原气体下加热至500度到1000度，在1分钟到20小时之间进行晶化，然后降温至250度到300度，取出基板。本发明能保持基板的平整度、不变形，受热均匀，传热效率高。
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公开(公告)号：CN101572273A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910050351.2
申请日：2009-04-30
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/417 , H01L21/283
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管器件。它包括基板、金属栅极层、第一绝缘层、有源层、金属源电极和漏电极层，在所述的有源层与金属源电极和漏电极层之间有一层第二绝缘层，它代替一般使用的欧姆接触层能起到降低源、漏电极和有源层中间的接触电阻的作用。由此可以降低器件制作过程中使用有毒气体和减少一道蚀刻工艺。
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