公开(公告)号：CN102222773A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201110146233.9

申请日：2011-06-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 林华平 ,  周帆 ,  李俊 ,  卢绪玲 ,  张良 ,  蒋雪茵 ,  张志林

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明涉及一种具有复合空穴注入层的蓝光有机电致发光器件及其制备方法。本器件依次由ITO玻璃基板(1)、复合空穴注入层(2)、空穴传输层(3)、发光层(4)、电子传输层(5)、复合阴极(6)构成。在本发明中，复合空穴注入层是由两种常用的P型空穴注入材料Ag2O和MoOx构成。这种具有复合空穴注入层的蓝光有机电致发光器件通过提高空穴的注入和迁移，使得器件的功率效率、色纯度和稳定性有了极大地提高。采用这种结构的有机电致发光器件，具有工艺简单，成本低廉，易于产业化等诸多优点，可以在有机电致发光显示中得到广泛的应用。

公开(公告)号：CN102214700A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110146553.4

申请日：2011-06-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 周帆 ,  林华平 ,  张良 ,  蒋雪茵 ,  张志林 ,  张晓薇

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/314

Abstract: 本发明涉及一种应用于氧化物薄膜晶体管阵列湿法刻蚀的新型阻挡层。本器件依次由基板（1）、栅电极（2）、绝缘层（3）、氧化物有源层（4）、刻蚀阻挡层（5）、源漏电极（6）层叠构。各结构层采用真空蒸发方法、磁控溅射方法和旋涂方法制备。本发明中，刻蚀阻挡层由苯酚-甲醛聚合物构成。采用该中刻蚀阻挡层，在氧化物薄膜晶体管阵列制备过程中，较好地保护了氧化物有源层，并使制备工艺大为简化，适用于大面积制备。

公开(公告)号：CN101591804B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200910053887.X

申请日：2009-06-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 张志林 ,  张建华 ,  张浩 ,  蒋雪茵 ,  张良 ,  俞东斌 ,  李俊 ,  张小文

IPC: C30B28/02 ,  C30B33/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/477 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明涉及一种高温液相加热晶化方法及设备。本装备有一可盛高温金属液体的槽，在该槽内盛有高温的金属或非金属液体，在此液体中还可以插入一高温区，在高温金属或非金属液体上面有包括需要晶化的衬底，衬底上面有需要晶化的非晶薄膜组成的基板，该基板有一个推动系统推动可连续晶化该非晶膜。本方法是将基板放在槽内并浮在高温液面上面，在真空或惰性气体或还原气体下加热至500度到1000度，在1分钟到20小时之间进行晶化，然后降温至250度到300度，取出基板。本发明能保持基板的平整度、不变形，受热均匀，传热效率高。

公开(公告)号：CN101572273A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200910050351.2

申请日：2009-04-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 张志林 ,  张建华 ,  李俊 ,  张良 ,  张小文

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L21/283

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管器件。它包括基板、金属栅极层、第一绝缘层、有源层、金属源电极和漏电极层，在所述的有源层与金属源电极和漏电极层之间有一层第二绝缘层，它代替一般使用的欧姆接触层能起到降低源、漏电极和有源层中间的接触电阻的作用。由此可以降低器件制作过程中使用有毒气体和减少一道蚀刻工艺。

公开(公告)号：CN101572273B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200910050351.2

申请日：2009-04-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 张志林 ,  张建华 ,  李俊 ,  张良 ,  张小文

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L21/283

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管器件。它包括基板、金属栅极层、第一绝缘层、有源层、金属源电极和漏电极层，在所述的有源层与金属源电极和漏电极层之间有一层第二绝缘层，它代替一般使用的欧姆接触层能起到降低源、漏电极和有源层中间的接触电阻的作用。由此可以降低器件制作过程中使用有毒气体和减少一道蚀刻工艺。

公开(公告)号：CN101591804A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200910053887.X

申请日：2009-06-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 张志林 ,  张建华 ,  张浩 ,  蒋雪茵 ,  张良 ,  俞东斌 ,  李俊 ,  张小文

IPC: C30B28/02 ,  C30B33/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/477 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明涉及一种高温液相加热晶化方法及装备。本装备有一可盛高温金属液体的槽，在该槽内盛有高温的金属或非金属液体，在此液体中还可以插入一高温区，在高温金属或非金属液体上面有包括需要晶化的衬底，衬底上面有需要晶化的非晶薄膜组成的基板，该基板有一个推动系统推动可连续晶化该非晶膜。本方法是将基板放在槽内并浮在高温液面上面，在真空或惰性气体或还原气体下加热至500度到1000度，在1分钟到20小时之间进行晶化，然后降温至250度到300度，取出基板。本发明能保持基板的平整度、不变形，受热均匀，传热效率高。