公开(公告)号：CN102208453A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110146555.3

申请日：2011-06-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 周帆 ,  林华平 ,  李俊 ,  蒋雪茵 ,  张志林 ,  张晓薇

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L21/77 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明涉及一种基于氧化物薄膜晶体管阵列制备的复合叠层电极。本器件依次由源漏电极（1）、氧化物有源层（2）、绝缘层（3）、栅电极（4、5），基板（6）构成。各结构层采用真空蒸发方法和磁控溅射方法制备。本发明氧化物薄膜晶体管结构中，铝/镍（Al/Ni）金属电极为复合叠层电极。采用这种基于氧化物薄膜晶体管阵列制备的复合叠层电极，可实现制备工艺过程中，消除各种化学试剂对电极的影响，使氧化物薄膜晶体管能在阵列制备过程中不受伤害且制备好的阵列在器件性能上不受影响，使得其在电路中实现应用价值成为可能。

公开(公告)号：CN102214700A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201110146553.4

申请日：2011-06-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 周帆 ,  林华平 ,  张良 ,  蒋雪茵 ,  张志林 ,  张晓薇

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/314

Abstract: 本发明涉及一种应用于氧化物薄膜晶体管阵列湿法刻蚀的新型阻挡层。本器件依次由基板（1）、栅电极（2）、绝缘层（3）、氧化物有源层（4）、刻蚀阻挡层（5）、源漏电极（6）层叠构。各结构层采用真空蒸发方法、磁控溅射方法和旋涂方法制备。本发明中，刻蚀阻挡层由苯酚-甲醛聚合物构成。采用该中刻蚀阻挡层，在氧化物薄膜晶体管阵列制备过程中，较好地保护了氧化物有源层，并使制备工艺大为简化，适用于大面积制备。

公开(公告)号：CN102201451A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110146477.7

申请日：2011-06-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 周帆 ,  林华平 ,  李俊 ,  蒋雪茵 ,  张志林 ,  张晓薇

IPC: H01L29/786

Abstract: 本发明涉及一种具有缓冲层的氧化物薄膜晶体管器件及其制作方法。本器件依次由基板（1）、源极（2）、漏极（3）、氧化物有源层（4）、缓冲层（5）、绝缘层（6）、栅极（7）层叠构成顶栅结构。各结构层采用真空蒸发方法和溅射方法制备。本发明结构中，缓冲层是由一氧化硅SiO构成。采用这种新型的具有缓冲层顶栅结构的氧化物TFT，可实现增较好的输出特性曲线，使其在采用氧化物薄膜晶体管的AMOLED显示电路中实现应用价值成为可能，工艺大为简化，性能更加优良。