公开(公告)号：CN101591804B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200910053887.X

申请日：2009-06-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 张志林 ,  张建华 ,  张浩 ,  蒋雪茵 ,  张良 ,  俞东斌 ,  李俊 ,  张小文

IPC: C30B28/02 ,  C30B33/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/477 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明涉及一种高温液相加热晶化方法及设备。本装备有一可盛高温金属液体的槽，在该槽内盛有高温的金属或非金属液体，在此液体中还可以插入一高温区，在高温金属或非金属液体上面有包括需要晶化的衬底，衬底上面有需要晶化的非晶薄膜组成的基板，该基板有一个推动系统推动可连续晶化该非晶膜。本方法是将基板放在槽内并浮在高温液面上面，在真空或惰性气体或还原气体下加热至500度到1000度，在1分钟到20小时之间进行晶化，然后降温至250度到300度，取出基板。本发明能保持基板的平整度、不变形，受热均匀，传热效率高。

公开(公告)号：CN101572273A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200910050351.2

申请日：2009-04-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 张志林 ,  张建华 ,  李俊 ,  张良 ,  张小文

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L21/283

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管器件。它包括基板、金属栅极层、第一绝缘层、有源层、金属源电极和漏电极层，在所述的有源层与金属源电极和漏电极层之间有一层第二绝缘层，它代替一般使用的欧姆接触层能起到降低源、漏电极和有源层中间的接触电阻的作用。由此可以降低器件制作过程中使用有毒气体和减少一道蚀刻工艺。

公开(公告)号：CN101572273B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200910050351.2

申请日：2009-04-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 张志林 ,  张建华 ,  李俊 ,  张良 ,  张小文

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L21/283

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管器件。它包括基板、金属栅极层、第一绝缘层、有源层、金属源电极和漏电极层，在所述的有源层与金属源电极和漏电极层之间有一层第二绝缘层，它代替一般使用的欧姆接触层能起到降低源、漏电极和有源层中间的接触电阻的作用。由此可以降低器件制作过程中使用有毒气体和减少一道蚀刻工艺。

公开(公告)号：CN101591804A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200910053887.X

申请日：2009-06-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 张志林 ,  张建华 ,  张浩 ,  蒋雪茵 ,  张良 ,  俞东斌 ,  李俊 ,  张小文

IPC: C30B28/02 ,  C30B33/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/477 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明涉及一种高温液相加热晶化方法及装备。本装备有一可盛高温金属液体的槽，在该槽内盛有高温的金属或非金属液体，在此液体中还可以插入一高温区，在高温金属或非金属液体上面有包括需要晶化的衬底，衬底上面有需要晶化的非晶薄膜组成的基板，该基板有一个推动系统推动可连续晶化该非晶膜。本方法是将基板放在槽内并浮在高温液面上面，在真空或惰性气体或还原气体下加热至500度到1000度，在1分钟到20小时之间进行晶化，然后降温至250度到300度，取出基板。本发明能保持基板的平整度、不变形，受热均匀，传热效率高。