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公开(公告)号：CN101503794A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910047912.3
申请日：2009-03-20
Applicant: 上海工程技术大学
Abstract: 本发明公开了一种在钢铁表面制备装饰性TiN薄膜的工艺，该工艺为磁控溅射法，包括溅射前处理、准备和溅射成膜过程，其特征在于，溅射成膜过程的具体工艺参数如下：本底真空度为10－4Pa，氮气和氩气的总压为0.1～1.0Pa，氮气与氩气的流量比为1∶24～1∶2，磁控溅射时的温度为25～300℃、功率为60～100W、电压为0.2～0.4KV、电流为0.1～0.75A、溅射时间为20min～4hr。本发明可制得多种颜色的TiN薄膜，且所获得的薄膜纯度高、致密性好，与基体结合力良好，膜厚可控制、可以在大面积基片上获得厚度均匀的薄膜；处理后的钢铁具有良好的耐蚀性、耐磨性和装饰性，可有多种用途。
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公开(公告)号：CN101392396A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810201266.7
申请日：2008-10-16
Applicant: 上海工程技术大学
Inventor： 林文松
Abstract: 本发明属于表现处理技术领域，具体的说是一种在金属基体表面形成峰状凸起镍镀层的制备工艺，其特征在于：采用如下重量份数比的原料NiSO4·6H2O 200～380份、NiCl2·6H2O 320～500份、NaH2PO2·H2O 50～100份、H3BO3100～300份制成基础镀液；苯亚磺酸钠2～5份、对氨基苯磺酸5～8份，混合成负整平剂；将负整平剂加入到基础镀液中，得到成品镀液；然后以电解镍片作为阳极，待镀的金属基片作为阴极进行电镀。本发明与现有技术相比，工艺简单，所得Ni镀层有显著的峰状凸起形貌特征，且镀层致密、与基片有良好结合。
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公开(公告)号：CN101229584A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810033931.6
申请日：2008-02-27
Applicant: 上海工程技术大学
Abstract: 本发明涉及纳米金属技术领域，具体地说是一种在纳米金属颗粒表面制备氧化层的工艺及其用途，其特征在于：配制浓度为0％～50％的具有氧化能力的化学试剂，在惰性气氛保护下，将新鲜制备出的的纳米金属颗粒转移至化学试剂中，在室温～100℃下通过机械搅拌和超声波振荡后静置，然后采用沉淀、真空冷冻干燥或过滤、阴干获得表面具有氧化层的纳米金属颗粒粉，再采用XRD或TG分析或DSC分析或能谱分析的方法得出表面氧化层的厚度。所述的纳米金属为纳米金属锌。与现有技术相比，本发明工艺简单，便于对纳米金属的稳定化处理，利于纳米金属的转移、存放、运输、应用。
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公开(公告)号：CN1763260A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510030349.0
申请日：2005-10-10
Applicant: 上海工程技术大学
IPC: C25D5/08
Abstract: 本发明涉及机械装置技术领域，具体地说是一种高速电喷镀装置，包括镀液循环系统、机械传动系统、微机电路控制系统及控制台。本发明同现有技术相比，结构新颖，高速电喷镀时，一定流量和压力的电解液从阳极喷嘴高速喷射到阴极工件表面，不仅对镀层进行了机械活化，同时还有效地减少了附面层和扩散层的厚度，加快了溶液的搅拌速度，能有效地提高极限电流密度，从而提高了沉积速度；同时，具有选择性、快速、低成本和不需要罩具等优点。
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公开(公告)号：CN107740006B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201710846235.6
申请日：2017-09-19
Applicant: 上海工程技术大学
IPC: C22C47/14 , C22C49/14 , C22C111/02
Abstract: 本发明属于金属复合材料领域，尤其是一种性能各向异性的Cu/W复合材料的制备方法。本发明提供的制备方法包括如下步骤：将钨纤维进行无纺织造，得到钨纤维毡层；将铜板或采用铜粉成形的坯体形成的铜板层与钨纤维毡层制成预烧坯体，在氩气保护气氛中，升温至熔渗烧结温度后，将氩气压力升高到0.5～2MPa，并保温0.5～2h后，冷却至室温，得到性能各向异性的Cu/W复合材料。采用该种方法制备的Cu/W复合材料，其性能可调，且具有在XY平面的热膨胀系数小，而在Z轴方向热导率高的特性，特别适合于制备电子封装材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105039912B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201510455743.2
申请日：2015-07-29
Applicant: 上海工程技术大学
Abstract: 本发明涉及一种铝‑碳化硅复合陶瓷材料及其制备方法和应用，所述的铝‑碳化硅复合陶瓷材料通过以下步骤制备而成：(1)将碳化硅陶瓷分散埋没在金属钛粉末中，真空环境下，加热至1000～1100℃并保温1～3h，冷却后得到表面蒸镀有金属钛层的陶瓷颗粒；(2)将蒸镀有金属钛层的陶瓷颗粒置入容器中紧密排列，组成陶瓷阵列，加热后放入压铸机器中，将金属铝熔体浇注到陶瓷阵列中；(3)脱模后，清理陶瓷表面，即得到铝‑碳化硅复合陶瓷材料，该铝‑碳化硅复合陶瓷材料可用于制作防弹板。与现有技术相比，本发明具有复合陶瓷材料结合致密、制备方法工艺简单，适合工业化放大等优点。
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公开(公告)号：CN105798296B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201610168589.5
申请日：2016-03-23
Applicant: 上海工程技术大学
CPC classification number: Y02P10/295
Abstract: 本发明涉及一种碳化硼/铝复合材料异形零件的制备方法，其技术方案为利用3D打印技术将碳化硼粉末直接成型，然后经过等静压、烧结、熔渗后处理等工序，制成最终零件。本发明方法不需要模具，可制造各种形状的碳化硼/铝零件，在小批量制造、特种零件制造上有独特的优越性。本方法制备的碳化硼/铝异形零件结合紧密，碳化硼含量高，工艺稳定可靠，为制备该类零件提供了一种高效率的制备方法。
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公开(公告)号：CN103833403B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410075504.X
申请日：2014-03-04
Applicant: 上海工程技术大学
IPC: C04B35/81 , C04B35/563 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开一种碳化硅晶须增韧碳化硼陶瓷复合材料的制备方法及产品，采用低温反应烧结结合冷等静压的方法制备B4C坯体，降低烧结温度，提高压坯相对密度；另一方面，通过采用晶须增韧的方法，增加裂纹扩展阻力，提高B4C陶瓷断裂韧度。
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公开(公告)号：CN103833403A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410075504.X
申请日：2014-03-04
Applicant: 上海工程技术大学
IPC: C04B35/81 , C04B35/563 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开一种碳化硅晶须增韧碳化硼陶瓷复合材料的制备方法及产品，采用低温反应烧结结合冷等静压的方法制备B4C坯体，降低烧结温度，提高压坯相对密度；另一方面，通过采用晶须增韧的方法，增加裂纹扩展阻力，提高B4C陶瓷断裂韧度。
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公开(公告)号：CN101599363B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200910049021.1
申请日：2009-04-09
Applicant: 上海工程技术大学
Inventor： 林文松
IPC: H01L21/203
Abstract: 本发明属于新型半导体自旋电子器件材料制备领域，具体涉及一种氮掺杂氧化锌p型稀磁半导体材料的制备方法。该方法包括如下步骤：1)采用反应磁控溅射方法在衬底上交替沉积ZnO和Zn3N2薄层，制备ZnO/Zn3N2多层膜；2)将ZnO/Zn3N2多层膜在含有氧气的气氛下进行退火处理，完成制备氮掺杂氧化锌p型稀磁半导体材料。本发明采用磁控溅射法制备ZnO/Zn3N2多层膜，结合热氧化退火工艺，可以制备具有c轴择优取向的氮掺杂ZnO稀磁半导体。采用X射线衍射分析(XRD)、霍尔效应测试和超导量子干涉仪(SQUID)磁强计对最后得到的样品薄膜的测试结果表明，本发明获得的氮掺杂ZnO具有c轴择优取向特点、具有p型半导体的特征，并具有铁磁效应。
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