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公开(公告)号：CN102832178A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210348189.4
申请日：2012-09-18
Applicant: 上海工程技术大学
IPC: H01L23/00 , H01L23/552
Abstract: 本发明公开了一种用于集成电路芯片的密封环结构，所述密封环的至少一个侧边为双边结构，且至少一个双边结构中的内侧边上设有至少1个开口。本发明既可以防止水气的穿透，又能减少来自密封环传递的噪声对集成电路的影响，可降低噪声耦合，防止电磁讯号干扰敏感电路运作等，且结构简单，加工方便，具有极强的实用性，可广泛推广应用。
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公开(公告)号：CN101424653A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810203888.3
申请日：2008-12-02
Applicant: 上海工程技术大学
Abstract: 本发明属于磁控溅射沉积气敏薄膜技术领域，具体的说是一种氧化锌掺杂气敏薄膜的制备方法，在超高真空磁控溅射镀膜装置中采用金属锌作为靶材，或用金属锌作为靶材基质并将所要掺杂的呈独立块状的氧化物或呈独立块状的单质金属均匀分布在溅射刻蚀区组成的复合靶作为靶材；以管状绝缘材料或片状绝缘材料为基底，控制基底匀速转动进行磁控溅射沉积薄膜；然后进行热氧化处理，得到气敏薄膜。与现有技术相比，本发明工艺简单，制备的气敏薄膜厚度精确，成分均匀，结构稳定，生产效率高，制备的气敏薄膜厚度精确，成分均匀，结构稳定，生产效率高。
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公开(公告)号：CN117876289A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202310380707.9
申请日：2023-04-11
Applicant: 上海工程技术大学
Abstract: 本发明涉及热轧带钢表面缺陷检测分析技术领域，具体涉及针对基于融合网络的热轧带钢表面缺陷检测分析方法、使用了该种检测分析方法的检测分析装置。本发明针对热轧带钢小目标检测难，和缺陷易漏检的特点，以PP‑LCNet与YOLOv5s融合架构为网络基础进行改进，在提高精度和速度的同时，为硬件端的部署提供可行依据。本发明对热轧带钢缺陷检测的结果有效且可靠，通过对缺陷多层次的抽象和分解，更好地学习到表征更为抽象和高级的语义信息，更好地从噪声和背景中准确地提取这些缺陷区域，进一步提高对于这类缺陷检测的准确性和鲁棒性。
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公开(公告)号：CN103531229A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310493442.X
申请日：2013-10-18
Applicant: 上海工程技术大学
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明公开了一种静态随机存储器，其包括存储器阵列及其电路，其特征在于：还包括数个自偏压电路，每个自偏压电路均由一个字线控制的P型晶体管和一个栅极与漏极相连的N型晶体管组成。因本发明提供的静态随机存储器具有数个自偏压电路，因此，其自偏压电路可在不影响读写操作模式电压的条件下，能有效降低静态工作状态下的电压；由于不需要特别调节电源电压，因此，该存储器便于集成，同时能有效降低存储器阵列的漏电流，具有极强的实用价值，便于广泛推广应用。
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公开(公告)号：CN101429648A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810204439.0
申请日：2008-12-11
Applicant: 上海工程技术大学
Abstract: 本发明涉及磁控共溅处理表面材料的技术领域，具体地说是一种三靶磁控共溅射制备铝—铜—铁准晶涂层的方法及其应用，其特征在于：磁控共溅射中采用Al靶、Cu靶和Fe靶三种靶材同时进行磁控溅射；磁控共溅射工艺参数为：Al靶溅射功率为116－125W、Cu靶溅射功率为12－13W、Fe靶溅射功率为30－38W、背底真空度为1.5×10－4Pa，充入Ar气后工作气压为2.0Pa，基底负偏压为－120V，基底温度为550℃，溅射60min。本发明与现有技术相比，准晶涂层的硬度高，摩擦系数低，耐磨及抗高温氧化性能好，镀层组织均匀和致密，涂层附着力高；采用磁控溅射方法有利于控制合金靶材的成分，勿需经过退火热处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101403099A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810200801.7
申请日：2008-10-06
Applicant: 上海工程技术大学
Abstract: 本发明涉及半导体材料领域，具体地是一种金属掺杂ZnO薄膜的制备方法，其特征在于步骤如下衬底清洗后放入磁控溅射装置室中，其反应室抽取成高洁净度真空；采用高纯度金属条为掺杂物及高纯度Zn为原料，将金属条按若干比例固定于Zn靶上；以纯Ar气和纯氧气为溅射气体和反应气体，经流量计控制输入真空反应溅射室，进行溅射生长；生长后在真空环境下退火处理；本发明有益效果：实现了对金属掺杂量的控制，反应中采用射频溅射的模式能有效降低金属靶在反应溅射中受氧化的影响，使得溅射保持持续稳定，最后接合相应的真空退火工艺，优化了MZO薄膜的光学和电学性能。该方法简化了工艺过程，减少了整体研发工序，缩短了周期，节约了成本。
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公开(公告)号：CN101503794A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910047912.3
申请日：2009-03-20
Applicant: 上海工程技术大学
Abstract: 本发明公开了一种在钢铁表面制备装饰性TiN薄膜的工艺，该工艺为磁控溅射法，包括溅射前处理、准备和溅射成膜过程，其特征在于，溅射成膜过程的具体工艺参数如下：本底真空度为10－4Pa，氮气和氩气的总压为0.1～1.0Pa，氮气与氩气的流量比为1∶24～1∶2，磁控溅射时的温度为25～300℃、功率为60～100W、电压为0.2～0.4KV、电流为0.1～0.75A、溅射时间为20min～4hr。本发明可制得多种颜色的TiN薄膜，且所获得的薄膜纯度高、致密性好，与基体结合力良好，膜厚可控制、可以在大面积基片上获得厚度均匀的薄膜；处理后的钢铁具有良好的耐蚀性、耐磨性和装饰性，可有多种用途。
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公开(公告)号：CN104362197B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410571211.0
申请日：2014-10-23
Applicant: 上海工程技术大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0264 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种立体采光式全固态太阳能电池及其制备方法，所述的太阳能电池包括透明玻璃壳体和封装在壳体内的电池芯，所述的电池芯由内至外依次由钛丝、二氧化钛纳米管阵列薄膜、硫氰酸亚铜薄膜及碳纤维构成。本发明电池是先采用阳极氧化法在钛丝表面制备二氧化钛纳米管阵列薄膜，并作退火处理；再采用计时电位法在二氧化钛纳米管阵列薄膜表面电沉积硫氰酸亚铜薄膜；然后将碳纤维缠绕在硫氰酸亚铜薄膜表面，得到结构为Ti/TiO2/CuSCN/碳纤维的全固态电池芯；最后将所得电池芯置入透明玻璃管中进行封装制备得到。本发明提高了太阳能电池对太阳光的利用率和长期工作的稳定性，且具有结构简单、紧凑，制作方便、成本低廉等优点。
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公开(公告)号：CN104319102A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410571199.3
申请日：2014-10-23
Applicant: 上海工程技术大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种制备负载三维花状石墨烯/二硫化钼复合材料的纤维状对电极的方法，为一步水热还原法，即：将钼酸或氧化钼与硫氰酸铵及氧化石墨烯水溶液加入水热反应器中，并使碳纤维同时垂直浸没在反应液中，然后在160～200℃下进行水热还原反应12～36小时，反应结束，取出碳纤维，用去离子水和无水乙醇洗涤后干燥。本发明方法具有工艺简单、反应条件温和、产率高、重现性好及易于规模化等优点；尤其是，应用本发明所制备的纤维状对电极组装形成的染料敏化太阳能电池的光电转换率明显高于由负载MoS2或铂的纤维状对电极组装形成的染料敏化太阳能电池，对促进染料敏化太阳能电池的商业应用具有重要价值。
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公开(公告)号：CN101429648B
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200810204439.0
申请日：2008-12-11
Applicant: 上海工程技术大学
Abstract: 本发明涉及磁控共溅处理表面材料的技术领域，具体地说是一种三靶磁控共溅射制备铝-铜-铁准晶涂层的方法及其应用，其特征在于：磁控共溅射中采用Al靶、Cu靶和Fe靶三种靶材同时进行磁控溅射；磁控共溅射工艺参数为：Al靶溅射功率为116-125W、Cu靶溅射功率为12-13W、Fe靶溅射功率为30-38W、背底真空度为1.5×10-4Pa，充入Ar气后工作气压为2.0Pa，基底负偏压为-120V，基底温度为550℃，溅射60min。本发明与现有技术相比，准晶涂层的硬度高，摩擦系数低，耐磨及抗高温氧化性能好，镀层组织均匀和致密，涂层附着力高；采用磁控溅射方法有利于控制合金靶材的成分，勿需经过退火热处理。
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