公开(公告)号：CN103833403B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201410075504.X

申请日：2014-03-04

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 段丽慧 ,  林文松 ,  杨国良

IPC: C04B35/81 ,  C04B35/563 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开一种碳化硅晶须增韧碳化硼陶瓷复合材料的制备方法及产品，采用低温反应烧结结合冷等静压的方法制备B4C坯体，降低烧结温度，提高压坯相对密度；另一方面，通过采用晶须增韧的方法，增加裂纹扩展阻力，提高B4C陶瓷断裂韧度。

公开(公告)号：CN103833403A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201410075504.X

申请日：2014-03-04

Applicant: 上海工程技术大学

Inventor： 段丽慧 ,  林文松 ,  杨国良

IPC: C04B35/81 ,  C04B35/563 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开一种碳化硅晶须增韧碳化硼陶瓷复合材料的制备方法及产品，采用低温反应烧结结合冷等静压的方法制备B4C坯体，降低烧结温度，提高压坯相对密度；另一方面，通过采用晶须增韧的方法，增加裂纹扩展阻力，提高B4C陶瓷断裂韧度。