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公开(公告)号：CN102161517A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110071740.0
申请日：2010-04-09
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种废水处理技术领域的有机废水活性炭纤维吸附装置及脱附装置，包括：基于可拆卸式滤芯的活性炭纤维吸附装置，包括：可拆卸式滤芯、吸附槽、水泵和储水槽，其中：可拆卸式滤芯活动设置于吸附槽内，吸附槽的入口、出口、水泵以及储水槽依次连通，可拆卸式滤芯正对于吸附槽的入口下方以及吸附槽的出口上方；本发明另有基于可拆卸式滤芯的活性炭纤维吸附装置，包括：电化学脱附框架、电化学脱附槽、电极引线、外围电源和电解液，其中：电化学框架置于电化学脱附槽内，其间充满电解液，电极引线的两端分别与电化学脱附框架和外围电源相连。本发明通过简单的结构尽可能延长了吸附物的使用寿命，同时避免了水体二次污染。
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公开(公告)号：CN101880025A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010210005.9
申请日：2010-06-26
Applicant: 上海交通大学
IPC: B82B3/00
CPC classification number: H01J9/025 , C01B32/05 , H01J1/3044
Abstract: 一种纳米材料技术领域的一维纳米材料植入金属电极表面的方法，首先对一维纳米材料进行包含切短、纯化、表面改性的预处理；然后将预处理后的一维纳米材料与聚合物介质混合后进行研磨；并将研磨后的混合体进行除气处理；再将处理后的一维纳米材料和聚合物介质的混合体流平在基片上；并烘胶固化复合薄膜，并经磨平抛光后使用刻蚀液对整平后的复合薄膜表层进行化学刻蚀；最后在刻蚀过的复合薄膜上依次进行沉积处理和电镀处理，采用刻蚀剂释放聚合物介质，获得一维纳米材料植入金属电极表面。本发明能使一维纳米材料一部分根植于在金属中，与金属形成牢固结合，其余部分暴露在外，最终使一维纳米材料形成植入并均匀分布在金属表层的植布效果。
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公开(公告)号：CN101369504B
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200810201249.3
申请日：2008-10-16
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01J9/02
Abstract: 本发明涉及的是一种纳米材料技术领域的用于场发射显示装置阴极的复合薄膜的制备方法，步骤包括：对CNT和CNF进行预处理，将其切短、纯化及表面改性；将CNT或CNF分散在锌电镀基础镀液中；运用复合共沉积方法沉积锌基碳纳米管复合薄膜和锌基碳纳米纤维复合薄膜；采用磨光、抛光工艺整平复合薄膜；使用刻蚀剂对复合薄膜进行化学刻蚀；在刻蚀面上沉积一层铜铬电镀种子层；电镀所需要的基体金属(镍，银，金，铜等)；用稀盐酸Zn，形成CNT或CNF一部分根植在金属基体中，其余部分暴露在外，均匀分布在电极表层的“植布”效果。本发明可以用于制备高性能场发射器件。
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公开(公告)号：CN101667568A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910308304.3
申请日：2009-10-15
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L25/00 , H01L23/367 , H01L21/48
Abstract: 一种微电子封装领域的用于微电子立体封装的制冷结构及其制备方法，包括两块叠层芯片、两个纵向金属散热通道阵列和一个横向金属散热通道阵列，其中：上叠层芯片的下表面和下叠层芯片的上表面分别各设有一个纵向金属散热通道阵列，横向金属散热通道阵列连通于两个纵向金属散热通道阵列之间。本发明针对局部热点区的散热通道的制备方法，一方面可以有选择的采用高热导率金属材料作为散热通道，另一方面针对局部热点区采用可行的最短散热路径，最大程度的提高了叠层高集成度芯片的散热效率。并且工艺集成度高，易于实现。
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公开(公告)号：CN1794444A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510110206.0
申请日：2005-11-10
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L23/36 , H01L23/473 , H01L23/34 , H05K7/20 , G06F1/20
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种基于金刚石薄膜的微通道式散热器，基底两边分别开有横向导入主管道及横向导出主管道，微通道基本组成单元平行间隔排布在横向导入主管道和横向导出主管道之间，每个微通道基本组成单元中，纵向导入分管道的进口与横向导入主管道连通，纵向导出分管道的出口与横向导出主管道连通，纵向导入分管道与纵向导出分管道之间均匀排布横向连通管道。横向导入主管道的进口及横向导出主管道的出口与外部工作流体供给系统相连，构成工作流体循环回路。金刚石薄膜散热板平整上表面粘接热源器件，粗糙下表面与基底上表面通过键合层键合。本发明借助金刚石薄膜散热板的高热导率特性减小散热器热阻，通过工作流体沿纵横方向的均布流动，实现高效率均匀热交换。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1775476A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510110667.8
申请日：2005-11-24
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种内孔立式珩磨加工过程中珩磨条状态监控的方法，属于机械加工技术领域。本发明包括以下步骤：(1)功率变换器从珩磨主轴电机的变频器采集珩磨主轴电机的电流和电压信号；(2)功率显示表从功率变换器接收到与主轴电机瞬时功率成正比的电压信号，选择有信号输出端口的功率显示表；(3)计算机接到数据开始采集信号后，数据采集卡开始从功率显示表输出端口采集珩磨主轴电机瞬时功率；(4)采用Lab VIEW技术实现珩磨加工过程中在线珩磨主轴电机功率信号实时图形显示；(5)基于PLC技术编制监控子程序，实现对内孔珩磨加工过程珩磨条状态的实时监控。本发明在立式珩磨加工机床上，能实现珩磨加工过程中珩磨条状态监控，以保证珩磨加工质量。
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公开(公告)号：CN118064942A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410211368.6
申请日：2024-02-26
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种铜基高深宽比微结构快速成型制造方法，包括刚性微模具制备、柔性微模具复制、微模具表面金属化加工、铜粉填充柔性微模具、填充物电镀一体化成型、铜基微结构与柔性微模具机械分离等六个工序，可实现铜基高深宽比微结构的批量低成本制造。本发明采用铜粉预填充结合高深宽比结构镀铜技术，解决了传统UV‑LIGA工艺(光刻‑电镀)去胶难题，克服了制备铜基高深宽比微结构耗时过长的缺点，大幅度缩短电镀时间，有利于降低制作时间成本，且可以通过控制电镀时间和参数来精确控制微结构的机械性能。此外，刚性微模具可以多次复制柔性微模具，柔性微模具可以重复利用，进一步降低制造成本。本发明的制造方法不受尺寸和形状限制，拥有批量制造潜力。
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公开(公告)号：CN112063681B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202010933879.0
申请日：2020-09-08
Applicant: 上海交通大学医学院
IPC: C12Q1/02 , C12N5/077 , C12N5/0735 , G16B40/00
Abstract: 本发明公开了一种化学品发育毒性预测方法、预测模型及其构建方法与应用，涉及化学品毒性检测技术领域。该预测方法是以心肌细胞中α‑Actinin和SOX17蛋白为指标，判断待测化学品的发育毒性。本发明首次引入α‑Actinin和SOX17蛋白同时作为化学品发育毒性测试指标，并验证了其用于识别化学品发育毒性的有效性和可靠性，基于该两指标建立的预测方法具有快速检测、稳定可靠的优点。
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公开(公告)号：CN110707059B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910917369.1
申请日：2019-09-26
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L23/473 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种多维度网状混合微通道流体散热器，包括上层盖板、下层盖板、内部流道和散热工质，其中，内部流道设置于下层盖板内；内部流道包括若干个扰流柱、若干个网状微结构，若干个扰流柱呈阵列排布，相邻扰流柱侧面之间通过网状微结构连接，若干个扰流柱的侧面通过网状微结构交织连接形成多维度流道；扰流柱侧面上设有凹型和/或凸型结构，使多维度流道的侧壁上形成微流道结构，使呈阵列排布的若干扰流柱之间构成多维度网状混合微通道；工质入口与内部流道接通，散热工质通过工质入口进入内部流道内；上层盖板使热量经内部流道传递至散热工质中，通过散热工质带出，散热工质通过工质出口排出。本发明解决大功率芯片的散热问题。
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公开(公告)号：CN106024507B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201610546710.3
申请日：2016-07-12
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种静电锁定垂直敏感的微机械惯性开关，包括绝缘衬底、阵列式固定电极、吸合电极、质量块、连体蛇形弹簧、弹簧固定支座、反向限位阻挡结构，阵列式固定电极由图形阵列通过布局连线构成，与吸合电极通过空气间隙相互绝缘，并位于绝缘衬底上；质量块与四组连体蛇形弹簧相连，通过弹簧固定支座形成悬空可动结构，位于固定电极与吸合电极所在平面上方，反向限位阻挡结构悬空位于质量块的上方。本发明采用固定电极阵列，平面内多点布局大大增加了固定电极与质量块导通可能性；吸合电极与质量块之间存在静电吸合作用，可任意延长接触时间，提升了接触性能；反向限位阻挡结构有效抑制质量块在非敏感方向的大幅度变形，提升器件稳定性。
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