公开(公告)号：CN116583614A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202180083201.0

申请日：2021-12-13

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 池田和彦 ,  藤井智子 ,  松永裕嗣

IPC: C22C38/00

Abstract: 提供充分地并且以少的工序有效率地使不锈钢的表面粗糙化、并且良好地保持处理后的不锈钢的表面品质的粗糙化处理方法等。上述的课题通过具有使用第1水性组合物的粗糙化处理工序和使用第2水性组合物的后处理工序的不锈钢的粗糙化处理方法来解决。即，一种粗糙化处理方法，其中，粗糙化处理工序为：使第1水性组合物与含有铜或离子化倾向比铜大的金属的不锈钢的表面接触而进行粗糙化处理的工序，第1水性组合物中，以第1水性组合物的总量基准计，包含0.1～20质量％的过氧化氢，以第1水性组合物的总量基准计，包含0.25～40质量％的铜离子，以第1水性组合物的总量基准计，包含1～30质量％的卤化物离子，后处理工序为：在酸性条件下使第2水性组合物与在粗糙化处理工序中进行了处理的不锈钢的表面接触而进行后处理的工序，第2水性组合物至少包含过氧化物。

公开(公告)号：CN113015823B

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN201980074655.4

申请日：2019-11-19

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 深泽隼 ,  藤井智子 ,  松永裕嗣

IPC: C23F1/18 ,  H01L21/308

公开(公告)号：CN103119693B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201180040397.1

申请日：2011-07-26

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 岛田宪司 ,  松永裕嗣 ,  安部幸次郎 ,  山田健二

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/28 ,  H01L21/308 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/401 ,  C09K13/06 ,  C09K13/08 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/66545

Abstract: 提供一种通过对硅自然氧化膜、进而对由硅构成的虚拟栅极进行选择性蚀刻，以高成品率制造高精度、高品质的晶体管的方法。一种晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法使用如下的结构体，具有使用规定的蚀刻液的蚀刻工序，且将虚拟栅极置换为铝金属栅极，所述结构体在基板上具有至少将高介电材料膜和由其表面具有硅自然氧化膜的硅构成的虚拟栅极层叠而成的虚拟栅极层叠体、按照覆盖该层叠体的侧面的方式设置的侧壁、及按照覆盖该侧壁的方式设置的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN102640264B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201080047543.9

申请日：2010-10-19

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 大户秀 ,  松永裕嗣 ,  山田健二

IPC: H01L21/304 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L21/02057 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/0361 ,  B81C1/00849 ,  H01L21/31111

Abstract: 一种用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液，以及使用该处理液的金属微细结构体的制造方法，所述处理液含有具有烃基且包含氧亚乙基结构的图案倒塌抑制剂，所述烃基包含可以一部分或全部被氟取代的烷基和烯基的任一种。

公开(公告)号：CN102160151B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN200980137077.0

申请日：2009-09-02

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 山田健二 ,  岛田宪司 ,  松永裕嗣

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/321 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074

Abstract: 本发明提供一种半导体元件制造用的铜布线材料表面保护液，其含有对炔二醇加成碳原子数2或3的氧化烯而成的炔二醇的氧化烯加成物。此外，提供一种半导体电路元件的制造方法，在形成包含铜布线的半导体基板的半导体电路元件制造中，使用上述铜布线材料表面保护液对露出了铜布线材料表面的半导体基板进行液体接触处理，所述包含铜布线的半导体基板如下形成：在硅基板上形成绝缘膜和/或防扩散膜后，通过溅射法而形成铜膜，并在其上通过镀覆法配置含有80质量％以上铜的铜布线，然后通过CMP(化学机械研磨)进行平坦化。

公开(公告)号：CN102575360B

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201080044583.8

申请日：2010-09-29

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 大户秀 ,  松永裕嗣 ,  山田健二

IPC: C23F1/00 ,  C23F4/00

CPC classification number: B81C1/0092 ,  C09K13/00 ,  C23G1/26 ,  H01L21/02057

Abstract: 一种用于抑制金属微细结构体的图案倒塌的处理液以及使用该处理液的金属微细结构体的制造方法。所述处理液含有选自具有碳原子数12、14或16的烷基的咪唑鎓卤化物、具有碳原子数14或16的烷基的吡啶鎓卤化物、具有碳原子数14、16或18的烷基的卤化铵、具有碳原子数12、14或16的烷基的甜菜碱化合物、具有碳原子数14、16或18的烷基的氧化胺化合物中的至少一种。

公开(公告)号：CN103098180A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180043424.0

申请日：2011-07-14

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 松永裕嗣 ,  大户秀

IPC: H01L21/304 ,  B81C1/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/0206 ,  B81C1/00825 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3281

Abstract: 本发明提供一种用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液，其含有选自具有碳原子数12、碳原子数14或碳原子数16的烷基的咪唑鎓卤化物、具有碳原子数14或碳原子数16的烷基的吡啶鎓卤化物和具有碳原子数16或碳原子数18的烷基的卤化铵中的至少一种及水。另外，本发明还提供一种使用该处理液的由氧化硅形成的微细结构体的制造方法。

公开(公告)号：CN102160151A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200980137077.0

申请日：2009-09-02

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 山田健二 ,  岛田宪司 ,  松永裕嗣

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/321 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074

Abstract: 本发明提供一种半导体元件制造用的铜布线材料表面保护液，其含有对炔二醇加成碳原子数2或3的氧化烯而成的炔二醇的氧化烯加成物。此外，提供一种半导体电路元件的制造方法，在形成包含铜布线的半导体基板的半导体电路元件制造中，使用上述铜布线材料表面保护液对露出了铜布线材料表面的半导体基板进行液体接触处理，所述包含铜布线的半导体基板如下形成：在硅基板上形成绝缘膜和/或防扩散膜后，通过溅射法而形成铜膜，并在其上通过镀覆法配置含有80质量％以上铜的铜布线，然后通过CMP(化学机械研磨)进行平坦化。

公开(公告)号：CN101755324A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200880100170.X

申请日：2008-07-03

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 岛田宪司 ,  松永裕嗣 ,  安部幸次郎 ,  山田健二

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/32 ,  C11D7/34 ,  C23G1/04 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23G1/103 ,  C11D3/0073 ,  C11D3/28 ,  C11D3/33 ,  C11D7/10 ,  C11D7/265 ,  C11D7/3209 ,  C11D7/3245 ,  C11D7/3263 ,  C11D7/3281 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/06 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068

Abstract: 本发明提供了一种清洗和防腐用组合物，其用于具有包含铜的金属布线的半导体元件等的制造工序，其中防腐剂成分包含诸如吡唑、3，5-二甲基吡唑之类的吡唑衍生物、诸如1，2，4-三唑之类的三唑衍生物、诸如亚氨基二乙酸、乙二胺二丙酸盐酸盐之类的氨基羧酸类、诸如二异丙基二硫醚、二乙基二硫醚之类的二硫醚化合物中的至少一种，清洗剂成分为氟化铵、氟化四甲基铵、乙酸铵、乙酸、乙醛酸、草酸、抗坏血酸、1，2-二氨基丙烷和二甲基乙酰胺中的至少一种。另外，本发明提供了一种使用清洗和防腐用组合物的半导体元件等的制造方法。

公开(公告)号：CN100338530C

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN02821688.1

申请日：2002-10-31

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 清水英贵 ,  松永裕嗣 ,  大户秀 ,  池本一人

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02052 ,  G03F7/425 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138

Abstract: 在本发明的抗蚀剂剥离方法中，在氧气比例为2%体积或更低的氛围中，使具有残留抗蚀剂层的布线基质与抗蚀剂剥离组合物接触。优选在用过氧化氢预处理残留的抗蚀剂层之后除去抗蚀剂。在本发明的抗蚀剂剥离方法中优选使用含胺化合物、溶剂、强碱和水的抗蚀剂剥离组合物。