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公开(公告)号：CN107768358A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710390780.9
申请日：2017-05-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/62 , G02F1/13357
CPC classification number: G02B6/0073 , F21V19/003 , F21V23/06 , F21Y2115/10 , G02B6/0053 , G02B6/0055 , H01L25/0753 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/507 , H01L33/62 , H01L2224/16225 , H01L2224/27013 , H01L2224/73204 , G02F1/133602
Abstract: 根据一些示例实施例的光源模块包括第一基板和多个第二基板。第一基板包括构造为至少接收电力供应的多个连接件以及构造为电连接至所述多个连接件的多个第一连接焊盘。每个第二基板包括位于第二基板的上表面上的多个安装元件以及位于第二基板的下表面上且构造为电连接至所述多个安装元件的多个第二连接焊盘。每个安装元件可连接至单独的发光器件。多个连接构件可将第一基板的第一连接焊盘电连接至多个第二基板的多个第二连接焊盘。
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公开(公告)号：CN104425620A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410443424.5
申请日：2014-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开涉及一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括处于第Ⅲ-Ⅵ主族化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。所述半导体器件可包括化合物半导体层、布置在化合物半导体层上的电介质层以及插入在化合物半导体层与电介质层之间的氧吸附层。氧吸附层包含与化合物半导体的材料相比对氧有更高亲和性的材料。
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公开(公告)号：CN103515533A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310256116.7
申请日：2013-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/145 , H01L27/2427 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641
Abstract: 本发明涉及开关元件和器件、存储器件、及其制造方法。开关元件，包括：第一电极；第二电极；以及在所述第一电极和所述第二电极之间的含硅的硫属元素氮化物层。开关器件包括：在第一电极和第二电极之间的阈值开关材料层。所述阈值开关材料层包括金属元素、硫属元素、硅元素和氮元素。存储器件包括：彼此平行布置的多条第一布线；与所述第一布线交叉并且彼此平行布置的多条第二布线；和在所述多条第一布线和所述多条第二布线的各交叉点处形成的存储单元。所述存储单元包括具有含硅的硫属元素氮化物层、中间电极和存储层的叠层物。
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公开(公告)号：CN103295623A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310061459.8
申请日：2013-02-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李东洙
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C11/4076 , G05F1/56 , G11C5/145 , G11C5/147 , G11C11/4074 , G11C11/4099 , G11C2207/2272 , H02M3/07
Abstract: 电压生成器可以对于低外部供电电压生成高目标电压的电平。参考电压生成器包括钳位调节器和电平放大器，该钳位调节器由从外部源提供的第一供电电压驱动并且接收第一电压以便生成钳位电压，该电平放大器由比第一供电电压高的第二供电电压驱动并且接收钳位电压以便生成参考电压。钳位电压可以被设置为具有导致对于动态随机访问存储器（DRAM）中的存储器单元阵列的成功的恢复操作的电压电平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102386325A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110130691.3
申请日：2011-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2409 , G11C13/0007 , G11C2213/51 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , G11C2213/72 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储元件和一种包括该非易失性存储元件的存储装置。非易失性存储元件可以包括在两个电极之间具有多层结构的存储层。存储层可以包括第一材料层和第二材料层，并且可以因第一材料层和第二材料层之间的离子物种的移动而具有电阻变化特性。第一材料层可以是供氧层，第二材料层可以是氧交换层。非易失性存储元件还可以包括位于存储层和第一电极之间的缓冲层。
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公开(公告)号：CN102376886A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110153471.2
申请日：2011-06-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/12 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供了非易失性存储元件及包括其的存储装置。所述非易失性存储元件可包括第一电极、第二电极、第一缓冲层、第二缓冲层和存储层。存储层设置在第一电极和第二电极之间。第一缓冲层设置在存储层和第一电极之间。第二缓冲层设置在存储层和第二电极之间。存储层可具有可包括第一材料层和第二材料层的多层结构。第二材料层可由第二金属氧化物形成，第二金属氧化物与形成第一材料层的第一金属氧化物同族或不同族。
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公开(公告)号：CN102347443A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110197102.3
申请日：2011-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C2013/0073 , G11C2213/12 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/146
Abstract: 示例实施例涉及一种非易失性存储元件和一种包括其的存储装置。非易失性存储元件可包括在两个电极之间具有多层结构的存储层。存储层可包括第一材料层和第二材料层，并可由于在第一材料层和第二材料层之间离子物种的移动而显示出电阻变化特性。第一材料层可以是供氧层。第二材料层可以是具有多重陷阱能级的氧化物层。
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公开(公告)号：CN102157540A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010589232.7
申请日：2010-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2013/0073 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , G11C2213/73 , G11C2213/74 , G11C2213/76 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147
Abstract: 本发明公开了一种存储装置、一种存储卡和一种电子装置。存储装置包括存储单元。存储单元包括双极存储元件和双向开关元件。双向开关元件连接到双极存储元件的端部，并具有双向开关特性。双向开关元件包括第一开关元件和第二开关元件。第一开关元件连接到双极存储元件的第一端部，并具有第一开关方向。第二开关元件连接到双极存储元件的第二端部，并具有第二开关方向。第二开关方向与第一开关方向相反。
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公开(公告)号：CN101034732B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200610170100.4
申请日：2006-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/12 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供了一种电阻随机存取存储器装置，其包括：下电极；第一氧化物层，形成在下电极上并使用两个电阻状态存储信息，其中所述第一氧化物层由选自包括NiOx、ZrOx、Nb2O5-x、HfO、ZnO、WO3、CoO、CuO2和TiO2的组中的一种形成；电流控制层，由位于第一氧化物层上的第二氧化物形成；和上电极，堆叠在电流控制层上。所述电流控制层降低所述电阻随机存取存储器装置的开启电流。
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