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公开(公告)号：CN101188242A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710192825.8
申请日：2007-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/136227 , H01L27/1214
Abstract: 本发明提供一种具有降低的制造成本和缺陷率的薄膜晶体管基板。所述薄膜晶体管基板包括：栅极布线，形成于绝缘基板上且包括栅电极；数据布线，形成于所述栅极布线上且包括源电极和漏电极；钝化层图案，形成于除了所述漏电极和像素区之外的部分所述数据布线上；以及电连接到所述漏电极的像素电极。所述像素电极包括氧化锌。
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公开(公告)号：CN101169599A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710170189.9
申请日：2007-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/42
CPC classification number: H01L21/6708 , G03F7/423
Abstract: 本发明涉及利用处理液除去基板的光刻胶并用臭氧处理处理液。当处理液被喷射到基板上时，倾斜基板以从基板上除去光刻胶。因此使用处理液均匀地处理基板以及收集处理液变得很方便。收集的处理液通过臭氧进行处理然后再使用。
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公开(公告)号：CN100356542C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200380110246.4
申请日：2003-11-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01Q60/30 , G01Q80/00 , G11B9/1409
Abstract: 提供了一种制造具有电阻尖端的半导体探针的方法。该方法包括：在掺杂第一杂质的基板上形成掩模层以及在未被掩模层覆盖的基板上形成用第二杂质重度掺杂的第一和第二半导体电极区，退火第一和第二半导体电极区，将第一和第二半导体电极区的第二参杂剂扩散到彼此面对的部分以在第一和第二半导体电极区的外边界形成用第二杂质轻度掺杂的电阻区，以预定的形状构图掩模层并蚀刻未被构图后的掩模层覆盖的基板的部分顶部表面来形成电阻尖端。
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公开(公告)号：CN1311056C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN02828720.7
申请日：2002-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09K13/00
CPC classification number: C23F1/30 , C09K13/06 , C23F1/02 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L27/13
Abstract: 根据本发明的制造薄膜晶体管阵列面板的方法在绝缘基片上形成栅极布线。该栅极布线包含多条栅极线和与栅极线连接的多个栅极。依次形成半导体层及栅极绝缘层并在其上形成数据布线。该数据布线包括与栅极线交叉的多条数据线、与数据线连接并置于栅极附近的多个源极、及相对于栅极位于源极对面的多个漏极。沉积钝化层并对钝化层进行制作布线图案，以形成至少露出漏极的多个接触孔。在钝化层上沉积由银或银合金组成的导电层，利用包含硝酸铁、硝酸、乙酸、六亚甲基四胺、及去离子水的蚀刻剂对导电层制作布线图案，以形成与漏极电连接的多个反射层。
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公开(公告)号：CN1822220A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610001111.X
申请日：2006-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11B9/02 , G11C11/5657 , Y10S977/947
Abstract: 本发明提供了一种铁电记录介质及其写入方法。该铁电记录介质包括：铁电层，当接收预定的矫顽电压时铁电层反转其极化；非易失性各向异性导电层，形成在铁电层上。当各向异性导电层接收低于矫顽电压的第一电压时，其电阻减小，当各向异性导电层接收高于矫顽电压的第二电压时，其电阻增大。通过铁电层的极化状态和各向异性导电层的电阻的结合来存储多位信息。因此，可在铁电记录介质的一个畴上表示多位信息。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1767025A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510102838.2
申请日：2005-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B9/02
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/02 , G11B9/1409 , G11B9/1472
Abstract: 提供了一种铁电记录介质，包括：铁电记录层，由极性可反转的铁电材料形成；各向异性导电层，覆盖铁电记录层并能够基于外部的能量变成导电体或非导电体。
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公开(公告)号：CN1747071A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200510092417.6
申请日：2005-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B9/1409 , G01Q60/30 , Y10S977/875 , Y10S977/878 , Y10S977/879
Abstract: 提供了一种具有电阻尖端的半导体探针以及该半导体探针的制造方法。所述方法包括：在掺杂了第一杂质的衬底上形成条形的掩模层，并通过用第二杂质重掺杂没有被该掩模层覆盖的衬底部分而形成第一和第二电极区；退火所述衬底从而减小第一和第二半导体电极区之间的间隙，并且在与半导体电极区邻接的部分形成轻掺杂了第二杂质的电阻区；形成与掩模层正交的条形的第一光致抗蚀剂，并且蚀刻掩模层使得掩模层具有正方形形状；在衬底上形成第二光致抗蚀剂从而覆盖第一光致抗蚀剂的一部分并限定悬臂区域；通过蚀刻而形成悬臂区域；以及去除光致抗蚀剂，并且通过蚀刻而形成具有半四棱锥形状的电阻尖端。
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公开(公告)号：CN1744300A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510099624.4
申请日：2005-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造薄膜晶体管基板的方法，包括形成晶体管薄层图案，形成保护层，形成光致抗蚀剂膜，形成彼此间隔开的像素电极和导电层，剥除光致抗蚀剂图案以使用剥除溶液除去导电层并溶解导电层。这种制造薄膜晶体管基板的方法能够提高薄膜晶体管基板的制造工艺的效率。此外，剥除溶液可以重复使用。
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公开(公告)号：CN1653620A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN03810213.7
申请日：2003-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78
CPC classification number: G01Q60/30
Abstract: 本发明公开了一种利用自对准工艺制造具有场效应晶体管(FET)沟道结构的扫描探针显微镜(SPM)的探针的方法。所提供的方法包括：第一步骤，在衬底上形成第一形状的掩膜层，并在衬底中的除了由掩膜层所遮盖的区域以外的区域中形成源极区和漏极区；第二步骤，沿垂直于掩膜层的方向构图第一形状的光阻材料，并进行蚀刻工艺，以形成第二形状的掩膜层；以及第三步骤，蚀刻衬底中的除了由掩膜层遮盖的区域以外的区域以形成探针。所提供的方法将尖端的中心与源极区和漏极区之间存在的沟道中心对准，以实现数十纳米大小的尖端。从而，利用具有尖端的这种探针可以轻易制造纳米器件。
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公开(公告)号：CN1615452A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN02827158.0
申请日：2002-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/136295
Abstract: 首先，利用含有8－12％Ce(NH4)2(NO3)6、10－20％NH3及残留超纯水的蚀刻剂来沉积Cr层和CrOx层并制作布线图案，以形成包括多条栅极线、多个栅极、以及多个栅极衬垫的栅极布线。然后，顺次形成栅极绝缘层、半导体层、及欧姆接触层。利用含有8－12％Ce(NH4)2(NO3)6、10－20％NH3及残留超纯水的蚀刻剂来沉积Cr层和CrOx层并制作布线图案，以形成包括多条数据线、多个源极、多个漏极、及多个数据衬垫的数据布线。接着，沉积钝化层并制作布线图案以形成分别露出漏极、栅极衬垫、及数据衬垫的接触孔。沉积透明导电材料或反射性导电材料并制作布线图案以形成分别与漏极、栅极衬垫、及数据衬垫电连接的多个像素电极、多个辅助栅极衬垫、及多个辅助数据衬垫。将具有低反射比的栅极线和数据线作为遮光层用于遮挡像素区域之间光泄漏，而不增加黑色亮度。因此，无需在滤色器面板上设置单独的黑阵，从而可获得像素的纵横比和高对比度。
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