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公开(公告)号：CN1529774A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN02801522.3
申请日：2002-07-11
Applicant: 株式会社日矿材料
Abstract: 本发明涉及电镀铜方法，其特征在于，进行电镀铜时使用含磷铜作为阳极，且使用下面的阳极进行电镀铜：当电解时的阳极电流密度为3A/dm2或更高时，使所述的含磷铜阳极的结晶粒径为10至1500μm，当电解时的阳极电流密度低于3A/dm2时，使所述的含磷铜阳极的结晶粒径为5至1500μm。本发明提供一种电镀铜方法和用于这一电镀铜方法的含磷铜阳极，该方法可抑制粒子的产生，如电镀浴中阳极一侧所产生的淤渣，且可防止粒子附着于半导体晶片，并涉及用前述方法和阳极电镀的具有低粒子附着的半导体晶片。
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公开(公告)号：CN1502117A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN02808133.1
申请日：2002-12-17
Applicant: 株式会社日矿材料
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02021 , H01L21/02392 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02543 , H01L21/02546
Abstract: 本发明的课题是，在晶片周边部进行倒角加工，其后至少在主面侧进行了镜面加工的半导体晶片(W)，在晶片周边部，具有对主面(10)的倾角(θ)为5°以上、25°以下，而且晶片半径方向的长度(L)为100μm以上的倾斜面(21)，进而，上述倾斜面(21)在晶片外缘具有非镜面部分(21b)。
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公开(公告)号：CN1489594A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN02804367.7
申请日：2002-08-27
Applicant: 株式会社日矿材料
CPC classification number: C08G59/4238 , C07F7/1804
Abstract: 本发明提供一种用作环氧树脂的有效添加剂的、在室温下为固体并具有优异贮存稳定性的组合物，和该组合物的生产方法。本发明的组合物包含碱性硅烷偶联剂与有机羧酸的盐，该组合物通过如下方法获得：通过碱性硅烷偶联剂和有机羧酸反应来生产碱性硅烷偶联剂的有机羧酸盐；然后将所得产物与一种显示对碱性硅烷偶联剂或有机羧酸有良好亲合性并具有40℃或更高软化点或熔点的化合物在加热下混合。
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公开(公告)号：CN1476741A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN02803005.2
申请日：2002-08-08
Applicant: 株式会社日矿材料
CPC classification number: H05K3/4626 , H05K1/16 , H05K1/162 , H05K1/167 , H05K3/025 , H05K2201/0209 , H05K2201/0355 , H05K2201/0358 , H05K2203/0152 , Y10T428/12438 , Y10T428/12569 , Y10T428/24777 , Y10T428/24802 , Y10T428/31529 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明涉及附加有载体的铜箔和使用该铜箔的印刷衬底，其特征在于至少在一部分铜箔上具有树脂层和功能材料层。通过利用丝网印刷法在附加有载体的铜箔的表面上形成面积比铜箔的面积小的绝缘层和功能材料层而得到附加有载体的铜箔和使用该铜箔的印刷衬底，从而提高该铜箔的使用性能，防止污染物如树脂粉附着到铜箔表面，防止异物引起的擦伤、凹痕，并且有效防止在切断、包装、运输中擦伤、皱纹、折痕的产生。
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公开(公告)号：CN1464918A
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：CN02802262.9
申请日：2002-04-18
Applicant: 株式会社日矿材料
IPC: C23C18/18
CPC classification number: C23C18/1827
Abstract: 本发明的目的是提供一种表面处理剂，其使得例如在铜或铜合金上进行化学镀时降低补充所用的催化剂液体浴液的频率，并且改善这样的表面处理剂的稳定性。该表面处理剂包含通过预先使贵金属化合物与在其分子中含有具有金属捕获能力的官能团的硅烷偶联剂混合或反应所获得的液体，并且通过加入氧化剂改善了该试剂的稳定性。此外，本发明的表面处理剂还具有改善表面润湿性的作用，尤其是改善金属表面润湿性的作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1406288A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN01805746.2
申请日：2001-01-05
Applicant: 株式会社日矿材料
Inventor： 伊森徹
IPC: C23C18/18
Abstract: 本发明提供了一种金属镀覆的方法，所述的方法使得甚至在难以进行化学镀覆的材料上以一种有利的方式进行化学镀覆成为可能，以及提供了一种用于这一方法的预处理剂。要镀覆的制品用一种预处理剂处理，所述的预处理剂通过以下步骤来制备：分子中含有金属捕获官能基团的硅烷偶联剂溶液与含有在镀覆金属例如铜、镍等从化学镀覆溶液中沉积到要镀覆的制品表面上时有催化活性的金属的溶液混合，以致上述金属被上述硅烷偶联剂捕获；然后加入还原剂。此后，进行化学镀覆，以致在经上述预处理的制品表面上形成金属薄膜。然后，可进行所希望的金属镀覆。
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公开(公告)号：CN1380913A
公开(公告)日：2002-11-20
申请号：CN01801289.2
申请日：2001-08-27
Applicant: 株式会社日矿材料
IPC: C23C26/00
CPC classification number: C23C30/00 , Y10T428/31511 , Y10T428/31515 , Y10T428/31529 , Y10T428/31663
Abstract: 一种含有以下组分(A)至(D)的金属表面处理剂,它牢固地附着到金属底材例如铝上,即使有很薄的膜厚仍有极好的防腐蚀性能,以及有极好的可塑性和对涂料的附着力。(A)为至少一种含有3个羰基和至少1个烷氧基甲硅烷基的有机硅化合物,当组分(A)至(D)的总量为100时,其重量比率为5－15;(B)为至少一种链烷醇胺改性的环氧树脂,相对于上述总量,其重量比率为10－30;(C)为至少一种封端的多异氰酸酯,相对于总量,其重量比率为50－70;以及(D)为至少一种氨基树脂,相对于上述总量,其重量比率为5－15。
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公开(公告)号：CN1370245A
公开(公告)日：2002-09-18
申请号：CN00811809.4
申请日：2000-05-26
Applicant: 株式会社日矿材料
Abstract: 在填充在半导体晶片上形成的配线(LSI)图案的微细通路或沟道时,用含有吡咯或硅烷偶联剂的铜电镀液进行电镀,或者用含有吡咯或硅烷偶联剂的铜电镀用前处理液浸渍之后进行电镀。这样,通过向电镀液中添加铜溶解抑制成分,或者用含铜溶解抑制成分的溶液进行前处理,可以抑制覆盖度差的铜籽晶层的溶解,防止空隙、裂缝等缺陷的发生。
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公开(公告)号：CN1365398A
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：CN01800702.3
申请日：2001-01-23
Applicant: 株式会社日矿材料
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/3414
Abstract: 本发明涉及ITO溅射靶,其特征在于,靶中SnO2的含量为8.80－9.40%(重量)。本发明提供制备低电阻ITO膜的溅射靶,该靶在溅射时能抑制微电弧的出现、减少瘤状物在靶表面上的生成、及在固定条件下,在靶的使用期限内能稳定地进行溅射操作。
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