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公开(公告)号：CN1867697A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200480030616.8
申请日：2004-09-17
Applicant: 株式会社日矿材料
CPC classification number: C23C18/405 , H01L21/288
Abstract: 一种无电镀铜溶液，其特征在于与第一还原剂一起使用作为第二还原剂的次磷酸或次磷酸盐，并同时使用抑制铜沉积的稳定剂。第一还原剂包括福尔马林和二羟乙酸，次磷酸盐包括次磷酸钠、次磷酸钾和次磷酸铵。抑制铜沉积的稳定剂包括2，2’－联吡啶、咪唑、烟酸、硫脲、2－巯基苯并噻唑、氰化钠或巯基乙酸。在较难发生镀敷反应的镜面(例如半导体晶片等)上无电镀铜时，该无电镀铜溶液可以在降低的温度下上实现均匀镀敷。
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公开(公告)号：CN1839215A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200480023856.5
申请日：2004-08-04
Applicant: 株式会社日矿材料
Inventor： 栗原敏也
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3414
Abstract: 一种ITO溅射靶，其特征在于，在ITO溅射靶中，以王水腐蚀时或溅射腐蚀时，表面出现的粒径在100nm以上的粒子的个数为1个/μm2以下，并且密度在7.12g/cm3以上。其有效地抑制溅射特性，特别抑制电弧放电的产生，抑制由于该电弧放电而生成的ITO膜的缺陷的产生，抑制ITO膜的品质降低。
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公开(公告)号：CN1823178A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200480020180.4
申请日：2004-08-24
Applicant: 株式会社日矿材料
Inventor： 塚本志郎
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3414
Abstract: 本发明涉及一种空心阴极型溅射靶，其特征在于，具有表面粗糙度Ra≤1.0μm，进一步优选Ra≤0.5μm的内侧底面。该空心阴极型溅射靶，其溅射膜的均匀性(uniformity)良好，很少产生起弧、颗粒，并且能够抑制底面的再淀积膜的剥离，成膜特性良好。
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公开(公告)号：CN1268790C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN02810204.5
申请日：2002-11-28
Applicant: 株式会社日矿材料
IPC: C25D21/12 , C25D3/38 , C25D17/10 , H01L21/288
Abstract: 本发明涉及一种使用磷铜阳极的电解镀铜法，其特征在于，所使用的磷铜阳极具有大小为1500μm至20000μm的晶体颗粒。一种利用电解铜对被电镀物体例如半导体晶片进行电镀的方法，同时防止在电镀液中的阳极一侧上产生的微粒附着到物体上；一种用于电解镀铜的磷铜阳极；以及利用这种方法和阳极电镀的具有低微粒附着的半导体晶片。
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公开(公告)号：CN1761775A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200480007071.9
申请日：2004-01-22
Applicant: 株式会社日矿材料
IPC: C25F5/00
CPC classification number: C25F5/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种银电解剥离剂，其是非氰类银剥离剂、寿命长、侧面剥离能力高、而且可以抑制银剥离后的必要部分的银面发生不平和光泽度上升。本发明是以乙内酰脲化合物和氨基羧酸或其盐为主要成分的银电解剥离剂。作为乙内酰脲化合物，优选乙内酰脲、5，5－二甲基乙内酰脲、5，5－二甲基乙内酰脲－3－羟甲基、尿囊素或它们的盐，作为氨基羧酸或其盐，优选天冬氨酸、谷氨酸或它们的盐。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1692185A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100243.2
申请日：2003-10-03
Applicant: 株式会社日矿材料
CPC classification number: C30B27/02 , C30B15/12 , C30B29/48 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
Abstract: 在使用了双重坩埚结构的晶体生长装置的LEC法的化合物半导体单晶的制造方法中，采用设置了可将在顶端具有晶种夹持部的晶体提拉轴导入到上述第2坩埚的贯通口的板状部件，盖在上述第2坩埚上，形成上述第2坩埚内的气氛几乎不变化的状态(半密闭状态)，使晶体生长。
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公开(公告)号：CN1659305A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN03813382.2
申请日：2003-07-29
Applicant: 株式会社日矿材料
Inventor： 小田国博
CPC classification number: C22C27/02 , C22F1/18 , C23C14/3414 , Y10T29/49988
Abstract: 一种从靶的厚度的10％位置，向靶的中心面，具有(222)取向优先的结晶组织的钽溅射靶，以及一种对熔融铸造的钽锭或坯段进行锻造和重结晶退火处理，然后进行轧制，形成从靶的厚度的10％位置，向靶的中心面，具有(222)取向优先的结晶组织的钽溅射靶的制造方法。可以使膜的均匀性(一致性)良好，提高溅射成膜的质量。
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公开(公告)号：CN1633516A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN02803276.4
申请日：2002-02-15
Applicant: 株式会社日矿材料
CPC classification number: C23C14/086 , C01G15/00 , C01G19/00 , C01G19/02 , C01P2002/54 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供ITO溅射靶用氧化锡粉末，其特征在于，由粒度分布求得的中径在0.40～1.0μm的范围内，且从粒度分布求得的90％粒径在3.0μm以下的范围内。本发明还提供可以得到具有优良的适合形成ITO薄膜的高密度化和成分均匀性的烧结体的氧化锡粉末及使用该粉末烧结的用于形成ITO膜的溅射靶，由此可以以低成本提供用于形成ITO膜的氧化锡－氧化铟靶，该靶可以抑制在形成ITO薄膜时产生小结等或其引起的质量下降。
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公开(公告)号：CN1628371A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN02829135.2
申请日：2002-10-10
Applicant: 株式会社日矿材料
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/46 , C30B25/10 , C30B25/12 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1012 , Y10T117/1016
Abstract: 本发明提供一种气相生长装置以及气相生长方法，所述气相生长装置至少备有：可密闭的反应炉、设置在该反应炉内并用于将晶片配置在规定位置上的晶片收纳体、用于向晶片供给原料气体的气体供给机构、用于加热前述晶片的加热机构，在前述反应炉内，通过利用前述加热机构经由前述晶片收纳体加热晶片、并且在高温状态下供给原料气体，在前述晶片的表面上形成生长膜，前述晶片收纳体包括：形成有用于收纳前述晶片的空部的热流控制部、与该热流控制部接合并用于将热量传递到收纳在前述空部中的晶片的热流传导部，使前述热流控制部和前述热流传导部的接触热阻为1.0×10－6m2K/W以上、5.0×10－3m2K/W以下，并且用具有配置在前述热流传导部上的晶片的热传导率的0.5倍以上、5倍以下的热传导率的材质形成前述热流控制部。
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公开(公告)号：CN1623220A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN02828388.0
申请日：2002-11-12
Applicant: 株式会社日矿材料
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , C23C16/34 , C30B29/38
CPC classification number: C30B29/406 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , Y10S148/113
Abstract: 在基板上生长晶体(例如GaN类化合物半导体晶体)的方法，至少包含：形成第1晶体层(GaN类缓冲层)的工序；形成第2晶体层(GaN类中间层)的工序；以及形成第3晶体层(GaN类厚膜层)的工序，上述3个工序在不同的条件下分别生长晶体层。
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