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公开(公告)号：CN1268790C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN02810204.5
申请日：2002-11-28
Applicant: 株式会社日矿材料
IPC: C25D21/12 , C25D3/38 , C25D17/10 , H01L21/288
Abstract: 本发明涉及一种使用磷铜阳极的电解镀铜法，其特征在于，所使用的磷铜阳极具有大小为1500μm至20000μm的晶体颗粒。一种利用电解铜对被电镀物体例如半导体晶片进行电镀的方法，同时防止在电镀液中的阳极一侧上产生的微粒附着到物体上；一种用于电解镀铜的磷铜阳极；以及利用这种方法和阳极电镀的具有低微粒附着的半导体晶片。
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公开(公告)号：CN1549876A
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN02817075.X
申请日：2002-09-05
Applicant: 株式会社日矿材料
CPC classification number: C25D7/123 , C25D3/38 , C25D17/001 , C25D17/10 , C25D21/04
Abstract: 本发明涉及电镀铜方法，其特征在于当进行电镀铜时采用纯铜作为阳极，和采用晶粒直径为10μm或更小、或为60μm或更大、或为非再结晶阳极的纯铜阳极进行电镀铜。本发明提供了电镀铜方法和在这种电镀铜方法中使用的电镀铜用纯铜阳极，在进行电镀铜时，使用所述方法能抑制电镀浴内阳极一侧产生粒子如淤渣，能防止粒子附着到半导体晶片上；本发明还涉及使用上述方法和阳极进行电镀而得到的粒子附着少的半导体晶片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1771349A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200480007437.2
申请日：2004-02-19
Applicant: 株式会社日矿材料
Inventor： 冈部岳夫
IPC: C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/768 , C22C9/01 , C22C9/02
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C9/00 , C22C9/01 , H01L21/2855
Abstract: 一种铜合金溅射靶，其特征在于，含有大于等于0.01小于0.5wt％的从Al或Sn选出的至少一种元素，Mn或Si总量为0.25wtppm及以下。提供一种半导体元件的布线材，特别是能形成在铜电镀时面电阻小，不凝聚，稳定均匀的种层，且溅射成膜特性出色的铜合金溅射靶、同靶的制造方法以及用同靶形成的半导体元件布线。
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公开(公告)号：CN1529774A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN02801522.3
申请日：2002-07-11
Applicant: 株式会社日矿材料
Abstract: 本发明涉及电镀铜方法，其特征在于，进行电镀铜时使用含磷铜作为阳极，且使用下面的阳极进行电镀铜：当电解时的阳极电流密度为3A/dm2或更高时，使所述的含磷铜阳极的结晶粒径为10至1500μm，当电解时的阳极电流密度低于3A/dm2时，使所述的含磷铜阳极的结晶粒径为5至1500μm。本发明提供一种电镀铜方法和用于这一电镀铜方法的含磷铜阳极，该方法可抑制粒子的产生，如电镀浴中阳极一侧所产生的淤渣，且可防止粒子附着于半导体晶片，并涉及用前述方法和阳极电镀的具有低粒子附着的半导体晶片。
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公开(公告)号：CN1273648C
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN02817075.X
申请日：2002-09-05
Applicant: 株式会社日矿材料
CPC classification number: C25D7/123 , C25D3/38 , C25D17/001 , C25D17/10 , C25D21/04
Abstract: 本发明涉及电镀铜方法，其特征在于当进行电镀铜时采用纯铜作为阳极，和采用晶粒直径为10μm或更小、或为60μm或更大、或为非再结晶阳极的纯铜阳极进行电镀铜。本发明提供了电镀铜方法和在这种电镀铜方法中使用的电镀铜用纯铜阳极，在进行电镀铜时，使用所述方法能抑制电镀浴内阳极一侧产生粒子如淤渣，能防止粒子附着到半导体晶片上；本发明还涉及使用上述方法和阳极进行电镀而得到的粒子附着少的半导体晶片。
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公开(公告)号：CN1509351A
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN02810204.5
申请日：2002-11-28
Applicant: 株式会社日矿材料
IPC: C25D21/12 , C25D3/38 , C25D17/10 , H01L21/288
Abstract: 本发明涉及一种使用磷铜阳极的电解镀铜法，其特征在于，所使用的磷铜阳极具有大小为1500μm至20000μm的晶体颗粒。一种利用电解铜对被电镀物体例如半导体晶片进行电镀的方法，同时防止在电镀液中的阳极一侧上产生的微粒附着到物体上；一种用于电解镀铜的磷铜阳极；以及利用这种方法和阳极电镀的具有低微粒附着的半导体晶片。
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公开(公告)号：CN1759202A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200480006256.8
申请日：2004-01-21
Applicant: 株式会社日矿材料
IPC: C23C14/34 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: C22C27/00 , C23C14/3414 , H01L21/31645 , Y10S148/158
Abstract: 一种铪合金靶，其特征在于，Hf中含有总计100重量ppm－10重量％的Zr或Ti中的任一方或双方，并且平均结晶粒径为1－100μm；作为杂质的Fe、Cr、Ni分别为1重量ppm以下；并且{002}与从该面起35°以内的{103}、{014}、{015}四个面的晶体惯态面取向率为55％以上，并且由于位置不同而引起的四个面的强度比的总和的偏差在20％以下。得到成膜特性和成膜速度良好、很少产生颗粒、并且能够很好地适用于形成HfO或HfON膜等高电介质门绝缘膜的铪合金靶及其制造方法。
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