公开(公告)号：CN102326231B

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201080008691.X

申请日：2010-02-10

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  株式会社光波

Inventor： 桥本信 ,  秋田胜史 ,  元木健作 ,  中幡英章 ,  藤原伸介

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供可在氧化镓区域上淀积结晶质量良好的氮化镓基半导体的外延晶片的形成方法。在步骤S107中，生长AlN缓冲层(13)。在步骤S108中，在时刻t5，除氮气以外，还向生长炉(10)内供给含有氢气、三甲基铝和氨气的原料气体G1，在主面(11a)上生长AlN缓冲层(13)。AlN缓冲层(13)被称作所谓的低温缓冲层。缓冲层(13)的成膜开始后，在步骤S109中，在时刻t6开始供给氢气(H2)。在时刻t6，向生长炉(10)内供给H2、N2、TMA和NH3。在时刻t6～t7之间增加氢气的供给量，在时刻t7停止增加氢气而供给一定量的氢气。在时刻t7，向生长炉(10)内供给H2、TMA和NH3。

公开(公告)号：CN102414796A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080019145.6

申请日：2010-03-01

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  株式会社光波

Inventor： 桥本信 ,  秋田胜史 ,  元木健作 ,  藤原伸介 ,  中幡英章

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/32

CPC classification number: C23C16/0227 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/303 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供制作包含生长于氧化镓衬底上的有源层且能够提高发光强度的晶片产品的方法。在步骤S105中，在摄氏600度下，在氧化镓衬底(11)的主面(11a)上生长包含GaN、AlGaN、AlN等III族氮化物的缓冲层(13)。生长缓冲层(13)后，将包含氢气和氮气的气体G2供给至生长炉(10)中，同时在摄氏1050度下使氧化镓衬底(11)及缓冲层(13)暴露于生长炉(11)的气氛中。III族氮化物半导体层(15)的沉积，在改性后的缓冲层上进行。改性后的缓冲层例如包含空隙。III族氮化物半导体层(15)可包含GaN及AlGaN。使用这些材料形成III族氮化物半导体层(15)时，可在改性后的缓冲层(14)上得到良好的结晶质量。

公开(公告)号：CN102369608A

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN201080014391.2

申请日：2010-02-25

Applicant: 株式会社光波

Inventor： 加藤卓真 ,  河又正敏

IPC: H01L33/60 ,  F21S2/00 ,  F21V3/00 ,  F21V3/04 ,  G09F13/04 ,  F21Y101/02

CPC classification number: H01L33/58 ,  F21V5/04 ,  F21V7/0091 ,  F21Y2115/10 ,  G02B5/0242 ,  G02B5/0278 ,  G02B19/0028 ,  G02B19/0061 ,  G02B19/0071 ,  G09F2013/0422 ,  H01L33/483 ,  H01L2933/0083

Abstract: 提供一种不需要进行光方向的严密的调整而不存在亮度不均匀的光源模块。光源模块(1)具有发光元件(40)；和光方向转换元件(10)，其将由发光元件(40)辐射的光向侧面方向辐射，并由透明树脂构成。在光方向转换元件(10)中含有相对于透明树脂100重量％，为0.01重量％以上0.1重量％以下的光漫射剂(14)。

公开(公告)号：CN102326231A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201080008691.X

申请日：2010-02-10

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  株式会社光波

Inventor： 桥本信 ,  秋田胜史 ,  元木健作 ,  中幡英章 ,  藤原伸介

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供可在氧化镓区域上淀积结晶质量良好的氮化镓基半导体的外延晶片的形成方法。在步骤S107中，生长AlN缓冲层(13)。在步骤S108中，在时刻t5，除氮气以外，还向生长炉(10)内供给含有氢气、三甲基铝和氨气的原料气体G1，在主面(11a)上生长AlN缓冲层(13)。AlN缓冲层(13)被称作所谓的低温缓冲层。缓冲层(13)的成膜开始后，在步骤S109中，在时刻t6开始供给氢气(H2)。在时刻t6，向生长炉(10)内供给H2、N2、TMA和NH3。在时刻t6～t7之间增加氢气的供给量，在时刻t7停止增加氢气而供给一定量的氢气。在时刻t7，向生长炉(10)内供给H2、TMA和NH3。

公开(公告)号：CN102308370A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201080007182.5

申请日：2010-02-04

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  株式会社光波

Inventor： 桥本信 ,  秋田胜史 ,  藤原伸介 ,  中幡英章 ,  元木健作

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L21/0242 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/045 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16

Abstract: 本发明提供一种氮化镓系半导体器件，其包含设置在氧化镓晶片上且具有平坦的c面的氮化镓系半导体膜。发光二极管LED包括：氧化镓支撑基体(32)，具有包含单斜晶系氧化镓的主面(32a)；和包含III族氮化物的层叠结构(33)。层叠结构(33)的半导体台面包含：低温GaN缓冲层(35)、n型GaN层(37)、量子阱结构的有源层(39)和p型氮化镓系半导体层(37)。p型氮化镓系半导体层(37)例如包含p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN接触层。氧化镓支撑基体(32)的主面(32a)相对于单斜晶系氧化镓的(100)面以2度以上且4度以下的角度倾斜。通过该倾斜，使在氧化镓支撑基体主面(32a)上外延生长的氮化镓系半导体具有平坦的表面。

公开(公告)号：CN101257079A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810089385.8

申请日：2004-08-04

Applicant: 株式会社光波

Inventor： 一之濑升 ,  岛村清史 ,  青木和夫 ,  恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20

CPC classification number: C30B25/20 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明提供发光元件及半导体基板的制作方法。该发光元件包含：β－Ga2O3基板、在所述β－Ga2O3基板上形成的GaN系半导体层、以及在所述GaN系半导体上形成的双异型发光层。该半导体基板的制作方法包含：在β－Ga2O3基板上形成GaN系半导体层的步骤；在所述GaN系半导体层上形成GaN系外延层的步骤；以及从所述GaN系外延层削除所述β－Ga2O3基板和所述GaN系半导体层，制作所述GaN系外延层的基板的步骤。

公开(公告)号：CN109898135B

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201910106987.8

申请日：2015-07-01

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 舆公祥 ,  渡边信也 ,  山冈优 ,  渡边诚

IPC: C30B29/16 ,  C30B15/34

Abstract: 一种β－Ga2O3系单晶衬底的制造方法，包含以下工序：在包含惰性气体、以及与所述惰性气体的流量比为0～2％的氧的环境中，通过EFG法培养线状凹坑的密度的平均值为1000个/cm2以下的β－Ga2O3系单晶的工序；以及从所述β－Ga2O3系单晶截出β－Ga2O3系单晶衬底的工序，在培养所述β－Ga2O3系单晶的工序中，根据所述β－Ga2O3系单晶中的有效载流子浓度将所述流量比在0～2％的范围内设定为规定的值。

公开(公告)号：CN108603113A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201780009385.X

申请日：2017-02-02

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波 ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构

Inventor： 猪股大介 ,  新井祐辅 ,  岛村清史 ,  恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉

IPC: C09K11/80 ,  C09K11/02 ,  G03B21/00 ,  G03B21/14 ,  H01S5/022

Abstract: 提供外部量子效率优异且高温条件下的发光特性优异的包括YAG系或LuAG系单晶的粒子状的荧光体及其制造方法、包含该荧光体的含荧光体构件以及具有该含荧光体构件的发光装置或投影仪。作为一实施方式，提供包括具有由组成式(Y1-x-y-zLuxGdyCez)3+aAl5-aO12(0≤x≤0.9994，0≤y≤0.0669，0.001≤z≤0.004，-0.016≤a≤0.315)表示的组成的单晶，粒径(D50)为20μm以上的粒子状的荧光体。

公开(公告)号：CN106471164A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201580032689.9

申请日：2015-06-29

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 渡边信也 ,  舆公祥 ,  山冈优 ,  饭塚和幸 ,  泷泽胜 ,  增井建和

IPC: C30B29/16

CPC classification number: C30B29/16 ,  C01G15/00 ,  C01P2002/77 ,  C30B15/34

Abstract: 提供一种晶体构造偏差小的高品质的β－Ga2O3系单晶衬底。在一个实施方式中，提供一种由β－Ga2O3系单晶构成的β－Ga2O3系单晶衬底通过所述主面的中心的所述主面上的任意直线上的Δω的最大值为0.7264以下。在如下情形时，Δω是从测定位置的各位置的ωs减去ωa后而得到的值的最大值与最小值之差，该情形为：将所述直线上的、X射线摇摆曲线的峰值位置的X射线的入射方向与所述主面所成的角度设为所述ωs，将采用最小二乘法对表示所述ωs与其所述测定位置之间的关系的曲线进行线性近似所求出的近似直线上的角度设为所述ωa。(1)，主面是平行于β－Ga2O3系单晶的b轴的面，

公开(公告)号：CN105189836A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480025539.0

申请日：2014-05-02

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 舆公祥 ,  增井建和 ,  泷泽胜

IPC: C30B29/16 ,  C30B15/34

CPC classification number: C30B15/34 ,  C30B15/36 ,  C30B29/16

Abstract: 提供一种能得到宽度大的β-Ga2O3系晶种的β-Ga2O3系单晶的培养方法、以及利用该培养方法的β-Ga2O3系单晶基板及其制造方法，该β-Ga2O3系晶种用于在抑制向宽度方向扩肩的情况下培养平板状β-Ga2O3系单晶。在一实施方式中提供包含如下工序的β-Ga2O3系单晶的培养方法，其使用了EFG法，使坩埚(13)内的Ga2O3系熔体(12)通过模具(14)的狭缝(14a)上升到模具(14)的开口部(14b)为止，在晶种(20)的水平方向的位置从模具(14)的宽度方向(W)的中心向宽度方向(W)偏移的状态下，使晶种(20)与位于模具(14)的开口部(14b)的Ga2O3系熔体(12)接触；以及提拉与Ga2O3系熔体(12)接触了的晶种(20)，使β-Ga2O3系单晶(25)生长。